高效穩(wěn)定鈣鈦礦太陽能電池的吸光層制備及界面調(diào)控
發(fā)布時(shí)間:2022-02-11 19:01
鈣鈦礦電池具有高效率、低成本、易制備等優(yōu)點(diǎn),是一種非常有發(fā)展前景的新型太陽能電池。然而存在的電流電壓滯后效應(yīng)及器件長效穩(wěn)定性等問題嚴(yán)重制約了其大規(guī)模的應(yīng)用與發(fā)展。如何在保證高效率的基礎(chǔ)上,抑制滯后效應(yīng)的發(fā)生,并提高器件的穩(wěn)定性是目前需要攻破的主要問題。本論文旨在制備高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池。首先著眼于制備具有高光吸收和結(jié)晶性的鈣鈦礦吸光層,并引入添加物繼續(xù)優(yōu)化吸光層形貌和結(jié)晶性,然后通過元素?fù)诫s調(diào)控電子傳輸層與鈣鈦礦吸光層的能級(jí)匹配,提高載流子分離傳輸效率,以抑制滯后效應(yīng),最后在鈣鈦礦吸光層和空穴傳輸層之間沉積疏水界面層,以提高器件的環(huán)境穩(wěn)定性。具體研究內(nèi)容如下:(1)在兩步法制備鈣鈦礦吸光層的過程中,將氯苯作為反溶劑誘導(dǎo)致密碘化鉛轉(zhuǎn)化為多孔結(jié)構(gòu),結(jié)合吸收譜和x射線衍射譜研究了不同形貌碘化鉛對(duì)鈣鈦礦晶相轉(zhuǎn)化的影響。通過氯苯反溶劑處理制備了具有均勻致密無孔洞的鈣鈦礦薄膜,并提高了鈣鈦礦吸光層的光吸收和結(jié)晶性。這主要是由于氯苯反溶劑處理可在致密碘化鉛薄膜使表面和內(nèi)部產(chǎn)生大量的孔洞,為鹵化甲胺溶液的滲入提供了空間和通道,使其與底層碘化鉛充分接觸并反應(yīng),提高了碘化鉛到鈣鈦礦的晶相轉(zhuǎn)化效率。組...
【文章來源】:北京科技大學(xué)北京市211工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:107 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
不同種類鈣欽礦材料的能級(jí)分布
圖2.2半導(dǎo)體材料禁帶寬度和極限光電轉(zhuǎn)換效率關(guān)系圖??此外,A、B、X位的元素所占比例的不同,會(huì)對(duì)鈣鈦礦材料能級(jí)分布產(chǎn)生極??大的影響,如圖2.3所示。對(duì)于A位,通常原子半徑越小,帶隙越大,原子半徑??越大,帶隙越。摺@,CsPbI3的帶隙為1.73eV,?MAPbI3的帶隙為1.55eV,??FAPbI3的帶隙為1.48?eV。對(duì)于X位,通常Br基摻雜會(huì)引起帶隙增加,例如,MAPbI3??鈣鈦礦的帶隙為1.55eV,MAPbBr3的帶隙為2.2eV。因此,通過對(duì)A、B、X位??元素的協(xié)同調(diào)控,可實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦帶隙的連續(xù)調(diào)控。??-3.0?—?A?^?X?1.5???3.5-?篇?羽?....54)??.?,?-Wr?S69?濟(jì)??利二?'?M勒?-r,???羽??-5.0-?.542?鱗?-5.2??^?,3?鉍如紀(jì)?M?“?^?H?島氣尨:、5??—6.0-?
?0.057?mol/l.?0.063?mol/L??圖2.6兩步法不同條件制備的鈣鈦礦薄膜形貌.(a)不同濃度的甲胺碘溶液,(b)熱退火,??(c)溶劑退火。??3.氣相法??氣相法(vapor?deposition?method)主要米用蒸發(fā)纟丐鈦礦材料的一種或多種來??制備鈣鈦礦薄膜。由于氣相比液相接觸更加均勻緊密,故產(chǎn)生的薄膜質(zhì)量也更高。??MAPbI3的高溫分解溫度在350°C,若蒸發(fā)源為MAPbI3,蒸發(fā)過程中會(huì)發(fā)生分解,??因此需采用雙源進(jìn)行蒸發(fā)沉積。Snaith教授首采用?1)(:12和^^1雙源沉積法,制??備了均勻致密的的鈣鈦礦薄膜,如圖2.7?(a)所示,獲得了?15.4%的光電轉(zhuǎn)換效率??m。但此方法難以控制,Cui教授采用連續(xù)氣相沉積法(如圖2.7?(b)),先沉積一??層Pbl2,在沉積一層MAL連續(xù)進(jìn)行,制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜l261。Yangyang教授??首先液相法沉積一層Pbl2薄膜,然后采用MA丨氣體與其反應(yīng)生成鈣鈦礦,由于??MAI所需蒸發(fā)溫度較低
本文編號(hào):3620794
【文章來源】:北京科技大學(xué)北京市211工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:107 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
不同種類鈣欽礦材料的能級(jí)分布
圖2.2半導(dǎo)體材料禁帶寬度和極限光電轉(zhuǎn)換效率關(guān)系圖??此外,A、B、X位的元素所占比例的不同,會(huì)對(duì)鈣鈦礦材料能級(jí)分布產(chǎn)生極??大的影響,如圖2.3所示。對(duì)于A位,通常原子半徑越小,帶隙越大,原子半徑??越大,帶隙越。摺@,CsPbI3的帶隙為1.73eV,?MAPbI3的帶隙為1.55eV,??FAPbI3的帶隙為1.48?eV。對(duì)于X位,通常Br基摻雜會(huì)引起帶隙增加,例如,MAPbI3??鈣鈦礦的帶隙為1.55eV,MAPbBr3的帶隙為2.2eV。因此,通過對(duì)A、B、X位??元素的協(xié)同調(diào)控,可實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦帶隙的連續(xù)調(diào)控。??-3.0?—?A?^?X?1.5???3.5-?篇?羽?....54)??.?,?-Wr?S69?濟(jì)??利二?'?M勒?-r,???羽??-5.0-?.542?鱗?-5.2??^?,3?鉍如紀(jì)?M?“?^?H?島氣尨:、5??—6.0-?
?0.057?mol/l.?0.063?mol/L??圖2.6兩步法不同條件制備的鈣鈦礦薄膜形貌.(a)不同濃度的甲胺碘溶液,(b)熱退火,??(c)溶劑退火。??3.氣相法??氣相法(vapor?deposition?method)主要米用蒸發(fā)纟丐鈦礦材料的一種或多種來??制備鈣鈦礦薄膜。由于氣相比液相接觸更加均勻緊密,故產(chǎn)生的薄膜質(zhì)量也更高。??MAPbI3的高溫分解溫度在350°C,若蒸發(fā)源為MAPbI3,蒸發(fā)過程中會(huì)發(fā)生分解,??因此需采用雙源進(jìn)行蒸發(fā)沉積。Snaith教授首采用?1)(:12和^^1雙源沉積法,制??備了均勻致密的的鈣鈦礦薄膜,如圖2.7?(a)所示,獲得了?15.4%的光電轉(zhuǎn)換效率??m。但此方法難以控制,Cui教授采用連續(xù)氣相沉積法(如圖2.7?(b)),先沉積一??層Pbl2,在沉積一層MAL連續(xù)進(jìn)行,制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜l261。Yangyang教授??首先液相法沉積一層Pbl2薄膜,然后采用MA丨氣體與其反應(yīng)生成鈣鈦礦,由于??MAI所需蒸發(fā)溫度較低
本文編號(hào):3620794
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