當(dāng)前,同質(zhì)結(jié)晶硅太陽電池在光伏市場(chǎng)中占很大份額。進(jìn)一步提升此類電池的效率是本領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。擴(kuò)散是該類太陽電池制備的中心環(huán)節(jié),擴(kuò)散工藝的效果直接影響到最終電池的效率。為了獲得比三氯氧磷/溴化硼等液態(tài)源擴(kuò)散更優(yōu)更適宜晶體硅太陽電池特性的擴(kuò)散技術(shù),減少擴(kuò)散過程中氧的引入,我們經(jīng)過系列的研發(fā)改進(jìn),提出了一種新的擴(kuò)散技術(shù)—無氧擴(kuò)散技術(shù),其尤其適用于n型晶體硅太陽電池的硼擴(kuò)散。其關(guān)鍵在于采用無氧擴(kuò)散源,高溫時(shí)在無氧環(huán)境中進(jìn)行擴(kuò)散,然后降低到較低溫度進(jìn)行氧化吸雜。研究過程中獲得的主要結(jié)果如下:1、理論分析發(fā)現(xiàn),高溫下硅片表面的氧向硅中擴(kuò)散能力很強(qiáng),尤其是在硼擴(kuò)散溫度（～1000℃）,其擴(kuò)散深度和濃度甚至遠(yuǎn)超硼的。我們?cè)诠杵砻娉练e重?fù)诫s硼的非晶硅薄膜,在有氧氣和無氧氣的氣氛條件下進(jìn)行擴(kuò)散對(duì)比實(shí)驗(yàn),通過XPS測(cè)試兩種條件下從硅片表面向內(nèi)部的氧濃度分布情況,最終實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析相符。2、采用重?fù)诫s硼或者磷的非晶硅薄膜作為擴(kuò)散源進(jìn)行擴(kuò)散,我們獲得了硼擴(kuò)散層方阻在40-400 Ω/sq范圍內(nèi),結(jié)深在0.4 μm-1.2μm范圍內(nèi),表面濃度在1 × 1 019 cm^-3-1 × 10... 

【文章來源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 晶硅太陽能電池發(fā)展與現(xiàn)狀
    1.2 晶硅太陽能電池?cái)U(kuò)散技術(shù)
        1.2.1 引言
        1.2.2 硼擴(kuò)散技術(shù)
        1.2.3 磷擴(kuò)散技術(shù)
    1.3 硼磷氧在晶體硅中的擴(kuò)散行為
        1.3.1 硼在晶體硅中的擴(kuò)散行為
        1.3.2 磷在晶體硅中的擴(kuò)散行為
        1.3.3 氧在晶體硅中的擴(kuò)散行為
    1.4 本論文研究內(nèi)容簡(jiǎn)介
第2章 實(shí)驗(yàn)條件準(zhǔn)備
    2.1 清洗工藝
    2.2 擴(kuò)散工藝
    2.3 樣品表征方法
第3章 結(jié)果與討論
    3.1 擴(kuò)散工藝對(duì)硅片性能影響
        3.1.1 方阻結(jié)果分析
        3.1.2 少子壽命結(jié)果分析
    3.2 氧在硅中的擴(kuò)散
    3.3 無氧擴(kuò)散低溫氧化技術(shù)
第4章 總結(jié)與展望
    4.1 研究總結(jié)
    4.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]熱絲CVD法沉積固態(tài)擴(kuò)散源制備晶硅太陽電池p+/n+發(fā)射極研究[J]. 宿世超,王濤,韓宇哲,田罡煜,黃海賓,高超,岳之浩,袁吉仁,周浪.  人工晶體學(xué)報(bào). 2016(11)
[2]n型補(bǔ)償直拉單晶硅的電子遷移率[J]. 易俊,陳鵬,馬向陽,楊德仁.  材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào). 2015(01)



本文編號(hào)：3457538