發(fā)布時間：2021-10-11 10:14

　　目前我國安全級的核電設(shè)備需完成鑒定試驗來驗證工程樣機(jī)指標(biāo)是否達(dá)到要求,鑒定合格才能對核電廠進(jìn)行供貨。而電磁兼容試驗是鑒定試驗中重要的一項。由于目前存在對設(shè)備電磁兼容設(shè)計這一環(huán)節(jié)重視不夠的現(xiàn)象,設(shè)備在電磁兼容試驗后常需要專門進(jìn)行整改。且瞬態(tài)抗擾度試驗對問題設(shè)備的危害較大,常出現(xiàn)試驗時設(shè)備內(nèi)的元器件被燒毀的情況,增加了對設(shè)備進(jìn)行抗擾度分析和整改的復(fù)雜度。因此針對核電廠電子設(shè)備的瞬態(tài)抗擾度分析及整改的全流程進(jìn)行研究具有重要意義。本文主要完成的工作有:首先分析研究了瞬態(tài)干擾源的能量特性及瞬態(tài)干擾的耦合途徑,并從使用及仿真的角度介紹了瞬態(tài)干擾抑制器件的選型及仿真模型,同時提到了規(guī)范使用瞬態(tài)干擾抑制器件的多級防護(hù)電路,搭建的電路設(shè)計及PCB設(shè)計的要點。然后針對目前關(guān)于電子設(shè)備瞬態(tài)抗擾度分析和整改措施系統(tǒng)性不強(qiáng)和不夠全面這一現(xiàn)狀,針對靜電放電（ESD）瞬態(tài)抗擾度試驗、電快速瞬變脈沖群（EFT）抗擾度試驗、浪涌（SURGE）瞬態(tài)抗擾度試驗這三種瞬態(tài)抗擾度試驗,通過采用以問題為導(dǎo)向的原則,提出了問題自查和問題定位并重的觀點,基于以問題為導(dǎo)向的思路,給出了更完備的電子設(shè)備瞬態(tài)抗擾度問題整改流程。本文提出的... 

【文章來源】：南華大學(xué)湖南省

【文章頁數(shù)】：81 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

壓敏電阻仿真波形

南華大學(xué)碩士學(xué)位論文24完成TVS模型構(gòu)建后，搭建１KV脈沖波形對TVS的性能進(jìn)行測試，如下圖2.17所示，仿真波形圖如下圖2.18所示，可以看到TVS對沖擊電壓有明顯的抑制作用，同時響應(yīng)極快。R31.1Ω21L610uH12C18uFU18TCLOSE=0121KVR115Ω21R223Ω21U20SMAJ24CA1122VV圖2.17TVS仿真電路圖圖2.18TVS仿真波形圖2.4多級防護(hù)電路設(shè)計2.4.1防護(hù)電路設(shè)計規(guī)范防護(hù)電路是指位于端口處抵抗大電壓/大電流的瞬態(tài)干擾抑制器件的組合，由于各類保護(hù)器件的優(yōu)缺點不一致，各類型端口要求的效果不同。因此將他們有效組合可獲得最佳的效果。這對后期完成各端口防護(hù)電路設(shè)計有指導(dǎo)意義。端口可分為電源端口和信號端口：1)針對電源端口，相地之間一般選用氣體放電管和壓敏電阻串聯(lián)電路。相

第4章核電廠某電子設(shè)備瞬態(tài)抗擾度問題整改53圖4.13熱電偶共模端口PSPICE仿真圖Time0s0.2us0.4us0.6us0.8us1.0us1.2us1.4us1.6us1.8us2.0usV(TVS1:1)V(GDT1:1)0V40V80V120VTVS仿仿GDT仿仿圖4.14熱電偶共模端口波形圖(1)RS485端口浪涌防護(hù)設(shè)計查看RS485端口共�；芈贩雷o(hù)設(shè)計如圖4.15所示，根據(jù)試驗現(xiàn)象液晶屏閃屏、花屏、端口有火花。參考3.3.2防護(hù)器件的常見問題分析，發(fā)現(xiàn)錯誤如下：防護(hù)護(hù)器件選型錯誤。TVS規(guī)格為SMAJ18CA，鉗位電壓為29.2V。但回路中工作電壓為12V，此時鉗位電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于工作電壓，會對后級電路造成影響，因此需要改進(jìn)。同時從試驗現(xiàn)象來看，需要增強(qiáng)防護(hù)電路的通流量，因此將TVS換成了TSS，在二級防護(hù)電路中，TSS的通流容量更大。與TVS不同的是，TSS是電壓開關(guān)型器件，將電壓從擊穿電壓下拉至器件維持電壓ＶT。TSS的擊穿電壓一般大于工作電壓的1.2~1.5倍。選用型號為P0220SAMCLRP，額定擊穿電壓

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3430312