作為分布式新能源更高效率的接入形式的直流微電網技術,對實現(xiàn)能源可持續(xù)發(fā)展和推進節(jié)能減排具有重要意義。然而,保護技術的缺乏限制了直流微電網的應用。固態(tài)斷路器能夠快速切斷線路故障、結構簡單、無弧動作、性能可靠,并可以將短路電流限制在較低水平,是直流微電網保護技術未來的發(fā)展方向。目前基于硅（Silicon,Si）功率器件的直流固態(tài)斷路器通態(tài)損耗高、器件工作結溫低、耐受電壓低、性能受溫度影響顯著,限制了固態(tài)斷路器的進一步推廣。碳化硅（Silicon Carbide,SiC）功率器件具有低損耗、高耐壓、高工作結溫以及性能受溫度影響小等優(yōu)良特性,為固態(tài)斷路器的快速可靠關斷能力提供了可能。然而,直流微電網發(fā)生短路故障時,故障電流迅速增加,會導致器件結溫顯著上升,使得器件工作于高溫狀態(tài),可能會導致器件動、靜態(tài)特性及特征參數(shù)發(fā)生改變。由于SiC功率器件關斷速度較快,電流變化率較大,還會給斷路器帶來較大的瞬時電壓應力問題。此外,為配合斷路器動作,快速可靠的故障電流檢測也必不可少。為了發(fā)揮SiC MOSFET的優(yōu)勢,確�；赟iC MOSFET的直流固態(tài)斷路器具有快速、可靠關斷能力,論文開展了SiC MOS... 

【文章來源】：重慶大學重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：125 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

直流固態(tài)斷路器樣機Fig.6.8SiCMOSFET-basedDCsolidstatecircuitbreakerprototype

【參考文獻】：
期刊論文
[1]考慮變溫度影響的SiC MOSFET建模與分析[J]. 李輝,鐘懿,黃樟堅,廖興林,謝翔杰,肖洪偉.  電源學報. 2019(04)
[2]基于MOSFET的限流式固態(tài)斷路器及其過電壓抑制[J]. 盧其威,高志宣,滕尚甫,雷婷,何棒棒.  電工技術學報. 2017(24)
[3]新型直流固態(tài)限流斷路器設計與分析[J]. 彭振東,任志剛,姜楠,楊晨光.  中國電機工程學報. 2017(04)
[4]用于精確預測SiC MOSFET開關特性的分析模型[J]. 梁美,鄭瓊林,李艷,巴騰飛.  電工技術學報. 2017(01)
[5]快速直流斷路器研究現(xiàn)狀與展望[J]. 劉路輝,葉志浩,付立軍,熊又星,吳楠.  中國電機工程學報. 2017(04)
[6]航空270V混合式斷路器分斷瞬態(tài)特性及實驗研究[J]. 霍文磊,武建文,李德閣,賈博文,周軍亮.  中國電機工程學報. 2017(04)
[7]直流微網保護綜述[J]. 薛士敏,齊金龍,劉沖.  中國電機工程學報. 2016(13)
[8]中低壓直流配電系統(tǒng)的主動保護研究[J]. 吳鳴,劉海濤,陳文波,蘇劍,季宇,孫麗敬,王麗.  中國電機工程學報. 2016(04)
[9]一種適用于固態(tài)直流斷路器的IGBT串聯(lián)均壓電路[J]. 張帆,楊旭,任宇,陳穎,茍銳鋒.  中國電機工程學報. 2016(03)
[10]基于IGCT串聯(lián)的10kV直流混合斷路器研究[J]. 陳政宇,余占清,呂綱,黃瑜瓏,曾嶸,陳名,趙宇明,黎小林,溫偉杰,張祖安.  中國電機工程學報. 2016(02)

碩士論文
[1]高壓固態(tài)開關關鍵技術研究[D]. 于海躍.哈爾濱工業(yè)大學 2017
[2]基于SiC MOSFET的270V直流固態(tài)斷路器的研制[D]. 徐克峰.南京航空航天大學 2017
[3]碳化硅MOSFET器件建模及一體化驅動技術研究[D]. 李剛.哈爾濱工業(yè)大學 2016
[4]IGBT驅動及過壓保護研究[D]. 趙愷.華南理工大學 2015
[5]基于碳化硅MOSFET變溫度參數(shù)模型的器件建模與仿真驗證[D]. 徐國林.華北電力大學 2015
[6]全固態(tài)高壓直流斷路器的設計[D]. 常友輝.西安電子科技大學 2014
[7]適應于分布式電源接入的直流微網研究[D]. 朱克平.浙江大學 2013
[8]碳化硅MOSFET應用技術研究[D]. 陸玨晶.南京航空航天大學 2013
[9]低壓ZnO壓敏電阻器的性能優(yōu)化[D]. 惠磊.西安電子科技大學 2011



本文編號：3398662