基于SiC器件的多相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器的設(shè)計(jì)與研究
【學(xué)位單位】:北京交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TM46
【部分圖文】:
的應(yīng)用越來(lái)越多,SiC功率器件在電力電子變壓器、高壓直流輸電和柔性輸電等應(yīng)??用場(chǎng)合有很大的應(yīng)用潛力。??電力電子變壓器(Power?Electronic?Transformer,?PET)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1-1所??示,其用高頻變壓器和電力電子變換器代替了傳統(tǒng)工頻變壓器,經(jīng)過(guò)交-直-交兩次??變換,來(lái)實(shí)現(xiàn)高低壓變換和電能控制,提高功率密度的同時(shí),還兼具頻率變換、??無(wú)功補(bǔ)償和自動(dòng)限流等諸多功能[18]。然而,輸電網(wǎng)高壓側(cè)的電壓等級(jí)很高,單級(jí)??拓?fù)鋾r(shí)使用Si功率器件耐壓很難滿足要求,目前PET主要通過(guò)多個(gè)Si功率器件??串聯(lián)或者H橋電路拓?fù)浯?lián)等方式來(lái)滿足耐壓要求,結(jié)構(gòu)很復(fù)雜且控制難度較大。??5??
者陸續(xù)對(duì)其工作原理、參數(shù)設(shè)計(jì)、拓?fù)渥冃巍⒖刂齐娐吩O(shè)計(jì)等做了大量分析和研??究。??如圖1-2所示為半橋不對(duì)稱LLC諧振變換器的電路拓?fù)洌撾娐匪闷骷伲??且能夠通過(guò)良好設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)原邊MOS管的ZVS開(kāi)通。當(dāng)系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻??率低于諧振頻率時(shí),還可實(shí)現(xiàn)副邊整流管的零電流關(guān)斷,因此非常適合于高效率、??高功率密度模塊化電源[2?6]。??'^3?,?d??Uin?—r??齡?1??H??1?y?+????C'|————I?I ̄ ̄S—??圖1-2半橋LLC諧振變換器拓?fù)??Fig.?1-2?The?topology?of?half-bridge?LLC?resonant?converter??該基本半橋電路也有一些明顯的缺點(diǎn),首先半橋電路的輸出電流為饅頭波,??輸出電壓紋波較大,所以通常很難滿足電源模塊的低紋波要求,通常需要增加二??階濾波電路來(lái)濾掉高頻紋波,增加了體積,同時(shí)動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度變慢。此外,在寬??輸入或?qū)捿敵鲭妷簣?chǎng)合,變換器工作的頻率變化范圍較寬,參數(shù)設(shè)計(jì)很難優(yōu)化,??同時(shí)增加了無(wú)功環(huán)流,副邊二極管可能會(huì)失去ZVS的工作條件,降低了變換器的??效率。因此
Fig.?1-3?Half-bridge?double?LLC?resonant?converter??在中大功率場(chǎng)合,可結(jié)合全橋結(jié)構(gòu)和LLC拓?fù)鋬烧叩膬?yōu)良特性,提高變換效??率,同時(shí)也能減小輸入電流脈動(dòng),其拓?fù)淙鐖D1-4所示。??51?D,C,?S3D,C3????#?D5??b?_ri_L_r??52?D:C2?S4?D4C4??圖1-4全橋LLC諧振變換器拓?fù)??Fig.?1-4?Full?bridge?LLC?resonant?converter?topology??針對(duì)高輸入電壓的場(chǎng)合,為了降低開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力,有文獻(xiàn)提出一種基于??諧振開(kāi)關(guān)電容技術(shù)的自動(dòng)均壓LLC諧振變流器[2W9],如圖1-5所示。??^j^Tt?? ̄/*vwn?,??、?Ls&?Lye??u4??—?Q334???1?s6?°2???54J^Tt??圖1-5自動(dòng)均壓LLC諧振變流器??Fig.?1-5?Automatic?Voltage-sharing?LLC?Resonant?Converter??8??
【參考文獻(xiàn)】
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