基于復(fù)合式全橋LLC諧振變換器的充電模塊研究與設(shè)計
【學(xué)位單位】:西安理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TM46
【部分圖文】:
高溫高壓特性可以使器件應(yīng)用在條件更為苛電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);高頻特性可以減小系統(tǒng)中無源元件的體積積和尺寸。如圖 1-1 所示為單個 H 橋 LLC 拓?fù),把原來的,此電路的?yōu)點很明顯,解決了高壓問題,電路結(jié)構(gòu)簡單:電壓增益范圍受限,達(dá)不到我們的需求[8-10]。
Fig.1-1 H-bridge LLC circuit topologyLC 諧振拓?fù)涫緸?Si-MOS 的三電平 LLC 諧振電路。在高電壓的需求下 Si-MOS,因為每個開關(guān)的承受電壓幾乎為輸入電壓的一SiC-MOS,所以成本稍微低一點,但是驅(qū)動邏輯會稍微復(fù)也存在范圍不夠?qū)挼膯栴}[11]。
如圖 1-3 所示為兩個 H 橋 LLC 交錯并聯(lián)電路。兩個 LLC ,輸出的電流紋波可以相互抵消,進一步減小輸出濾波電LLC 的缺點,增益特性不理想。當(dāng)在頻率上限時加入調(diào)寬調(diào)的問題。又因為是多個 H 橋電路,每個開關(guān)需要單獨的PWM 數(shù)目要求較高,很多時候一個 DSP 芯片難以滿足[12-1
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