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電弧三維電磁場(chǎng)模型參數(shù)對(duì)GIS中VFTO的影響

發(fā)布時(shí)間:2020-08-22 02:12
【摘要】:隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的特快速暫態(tài)過電壓(VFTO)對(duì)一次設(shè)備的絕緣和二次設(shè)備安全穩(wěn)定運(yùn)行產(chǎn)生很大的危害。電弧模型對(duì)VFTO理論分析有很大影響;趯(shí)測(cè)電弧等效電阻,應(yīng)用三維瞬態(tài)電磁場(chǎng)模型,分析了隔離開關(guān)操作過程中圓柱形電弧模型半徑變化對(duì)VFTO分布的影響;谑噶縿(dòng)態(tài)位,討論了應(yīng)用三維有限元法分析GIS內(nèi)部瞬態(tài)電磁波初始條件的設(shè)定。根據(jù)實(shí)測(cè)電弧等效電阻,用導(dǎo)電媒質(zhì)建立了用于3D電磁分析的電弧模型。對(duì)比了不同電弧模型半徑下電源側(cè)、空載母線側(cè)和電弧處VFTO波形及峰值。通過分析發(fā)現(xiàn)當(dāng)電弧模型的半徑下降到一定數(shù)值后,半徑開始對(duì)VFTO分布有較大的影響,其對(duì)電弧處電壓響應(yīng)幅值的影響最明顯;隨著電弧模型半徑的減小VFTO在時(shí)間上發(fā)生滯后,電弧模型半徑的減小對(duì)電源側(cè)、負(fù)載側(cè)和電弧處時(shí)間滯后影響程度基本相同。因此在應(yīng)用3D電磁場(chǎng)模型分析VFTO時(shí),電弧模型半徑應(yīng)盡量與實(shí)際相符。

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本文編號(hào):2800129

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