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用于壓接式IGBT模塊的PCB羅氏線圈電流互感器的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-08-04 10:30
【摘要】:我國(guó)能源分布與用電需求不均衡的國(guó)情決定了直流輸電技術(shù)成為提高能源利用率最有效的手段之一。高壓直流輸電(HVDC)對(duì)壓接式IGBT等功率半導(dǎo)體器件提出了更高的要求,為了獲得更大的通流能力,通常將多個(gè)IGBT模塊并聯(lián)。制造過(guò)程中不可避免的誤差會(huì)造成IGBT器件本身參數(shù)不一致,加之柵極單元的傳播延遲時(shí)間與并聯(lián)支路存在的雜散電感,會(huì)導(dǎo)致IGBT并聯(lián)電流分布不均衡,降低整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。因此,測(cè)量壓接式IGBT模塊內(nèi)電流的均衡度對(duì)實(shí)現(xiàn)其可靠性研究具有重要意義。首先,本文介紹了 IGBT并聯(lián)均流技術(shù)和集成電力電子模塊電流測(cè)量技術(shù)的研究現(xiàn)狀,結(jié)合本文的研究對(duì)象——Westcode公司4.5kV/1.2kA壓接式IGBT器件的凸臺(tái)布局及器件開關(guān)電流的特點(diǎn),對(duì)羅氏線圈的發(fā)展作了重點(diǎn)論述。其次,闡述了傳統(tǒng)羅氏線圈的工作原理,通過(guò)對(duì)比不同結(jié)構(gòu)形式的羅氏線圈,設(shè)計(jì)了 PCB羅氏線圈作為電流的采樣元件。在介紹羅氏線圈的集總參數(shù)模型的基礎(chǔ)上,分析了羅氏線圈在自積分和微分這兩種不同工作狀態(tài)下的頻率特性。結(jié)合PCB羅氏線圈的應(yīng)用場(chǎng)合,對(duì)影響其測(cè)量準(zhǔn)確度的因素進(jìn)行仿真分析。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)羅氏線圈的微分信號(hào)的積分,本文對(duì)基于不同積分算法的數(shù)字積分器和不同類型的模擬積分器進(jìn)行對(duì)比,最終設(shè)計(jì)了無(wú)源積分電路與有源積分電路相結(jié)合的積分電路方案,并進(jìn)行優(yōu)化。最后,利用阻抗分析儀測(cè)量了 PCB羅氏線圈的電磁參數(shù),結(jié)合PSpice軟件搭建集總參數(shù)等效電路模型分析了羅氏線圈的頻率特性,設(shè)計(jì)了簡(jiǎn)單的傳變實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證PCB羅氏線圈的微分工作方式;在PSpice軟件中搭建PCB羅氏線圈電流互感器的整體模型,進(jìn)行交流分析和瞬態(tài)分析,通過(guò)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)雷電流的測(cè)量證明所設(shè)計(jì)的電流互感器的性能,為研究壓接式IGBT的可靠性奠定基礎(chǔ)。
【學(xué)位授予單位】:北京交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TM452
【圖文】:

用于壓接式IGBT模塊的PCB羅氏線圈電流互感器的研究


圖1-3有源柵極控制典型框圖逡逑Fig.邋1-3邋Typical邋block邋diagram邋of邋active邋gate邋control逡逑

用于壓接式IGBT模塊的PCB羅氏線圈電流互感器的研究


圖1-5電流傳感器接線圖逡逑Fi.邋1-5邋Current邋sensor邋wirindiaram逡逑

用于壓接式IGBT模塊的PCB羅氏線圈電流互感器的研究


圖1-6簡(jiǎn)單開環(huán)電流傳感器原理逡逑--

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

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本文編號(hào):2780421

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