三電平逆變器中點(diǎn)電位平衡與輸出電壓諧波問(wèn)題研究
【學(xué)位授予單位】:華南理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TM464
【圖文】:
第一章 緒論與兩電平變流設(shè)備相比,多電平變流設(shè)備具有開(kāi)關(guān)應(yīng)力低,輸出波形正弦度高,開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)[21]。多電平設(shè)備從拓?fù)渖峡梢苑譃?1)級(jí)聯(lián)型多電平逆變器(2)中點(diǎn)箝位型(Neutral Point Clamped, NPC)逆變器。1.2.1 級(jí)聯(lián)型多電平逆變器級(jí)聯(lián)型逆變器于 1975 年 P.Hammond 提出,是最早的一種多電平逆變器拓?fù),也是人們(cè)诙嚯娖阶兞黝I(lǐng)域的第一次嘗試。經(jīng)過(guò)不斷發(fā)展并拓寬它的應(yīng)用場(chǎng)合,現(xiàn)在級(jí)聯(lián)型逆變器廣泛應(yīng)用于高電壓電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、大功率電源等大功率場(chǎng)合[22]。
充電電路復(fù)雜[35];(2)為保證多電平輸出,在穩(wěn)態(tài)時(shí)依然需要確保各電容上電壓維持在特定值[36];(3)載波調(diào)制狀態(tài)下,電容電壓不易控制,輸出波形中諧波含量較高[37],且調(diào)制方式復(fù)雜;(4)為減少飛跨電容的容值,系統(tǒng)需要工作在較高的開(kāi)關(guān)頻率下[24]。由此可見(jiàn),(1)和(2)不利于系統(tǒng)體積的減小與成本的降低,(3)和(4)限制了系統(tǒng)的使用范圍,(4)使得該類型逆變器開(kāi)關(guān)損耗增加,不利于工作在大功率變流場(chǎng)合。飛跨電容箝位型多電平逆變器自身的特點(diǎn),限制了它的應(yīng)用范圍,科研人員對(duì)二極管箝位型多電平逆變器進(jìn)行廣泛應(yīng)用與深入研究。以三電平二極管中點(diǎn)箝位型(3L-NPC)逆變器為例,其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖 1-2 所示,通過(guò)在每個(gè)橋臂上的兩個(gè)二極管,使得輸出相電壓分為 0,±0.5 ,其中 表示直流電壓源幅值。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變流器可在實(shí)際應(yīng)用之中實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行。
NPC 逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其換流狀態(tài)分析可控硅器件問(wèn)世以來(lái),研究人員提出了各種控制方法與變流需求在交流、直流形式之間進(jìn)行變換的目的。最早得以廣泛 器件,為增大系統(tǒng)的容量,IGBT 器件應(yīng)運(yùn)而生。IGBT 器件通流能力更強(qiáng)。隨著人們對(duì)系統(tǒng)耐壓與容量要求的進(jìn)一步提比 IGBT 更高的電壓,耐受溫度更高等特點(diǎn),得到人們的青用,復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)過(guò)程中的電壓過(guò)沖問(wèn)題,限制階段,IGBT 依然是中壓,大功率電路的首選器件。IGBT 耐壓能力不足與系統(tǒng)電壓提升之間的矛盾,研究人員提過(guò)多年的研究,多電平拓?fù)湓?1kV 至 10kV 的中壓大功率領(lǐng)在此之中,二極管箝位型多電平拓?fù)涫亲顬槌R?jiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)器作為主要研究對(duì)象。 設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖 2-1 所示。
【參考文獻(xiàn)】
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