【摘要】：異質(zhì)結(jié)電池是量產(chǎn)的高效晶體硅太陽電池之一,開發(fā)簡單有效的監(jiān)控方案是規(guī)�；a(chǎn)的前題.通過監(jiān)測a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i),a-Si:H(p~+)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n~+),TCO/a-Si:H(p~+)/a-Si:H(i)/c-Si/aSi:H(i)/a-Si:H(n~+)三種異質(zhì)結(jié)的有效少子壽命來監(jiān)控太陽電池生產(chǎn)過程中各層薄膜的沉積質(zhì)量,追蹤電池性能,結(jié)果發(fā)現(xiàn),各異質(zhì)結(jié)的隱性開壓(impliedVoc),贗填充因子(pFF)等在低于~2ms時,與壽命呈明顯的正相關(guān)關(guān)系,而當(dāng)少子壽命超過~2ms時,上述電參數(shù)變化很小,趨于飽和狀態(tài),最終的電池效率也遵循這一規(guī)律.這可以解釋為硅材料在非平衡態(tài)下的費米能級之差隨著表面復(fù)合的減少趨于極大值所致.研究表明,采用少子壽命跟蹤的方法,可以判斷非晶硅層的質(zhì)量、透明氧化物薄膜沉積過程中對非晶硅的轟擊損傷、分析和預(yù)測電池性能,同時可監(jiān)控產(chǎn)線的穩(wěn)定性和異常情況.
[Abstract]:Heterojunction cell is one of the high-efficient crystal silicon solar cells with mass production. The development of simple and effective monitoring scheme is the precondition of large-scale production. By monitoring the effective minor carrier lifetime of a-Si:H (i) / c-Si / a-Si: h (i) / a-Si: h (p ~) -a-SiH (i) / c-Sia-Si: h (i) / a-Si: h (n~) / TCO-ra-Si: h (p~) / a-SivoH (i) / c-Sia-Siv-H / (i) / a-Siw (n~) three heterojunctions, the deposition quality of each layer of thin films in the solar cell production process was monitored, and the cell performance was tracked. The occult open pressure (impliedVoc), pseudo-filling factor (pFF) of each heterojunction is positively correlated with the lifetime when it is less than 2 Ms. When the minority carrier lifetime is longer than 2 Ms, the change of the above electrical parameters is very small and tends to be saturated. The final battery efficiency also follows this rule. This can be explained by the fact that the difference of Fermi level in the nonequilibrium state of silicon material tends to maximum with the decrease of surface recombination. The results show that the minority carrier lifetime tracking method can be used to judge the quality of amorphous silicon layer, damage the amorphous silicon by bombardment during the deposition process of transparent oxide film, and analyze and predict the performance of the battery. At the same time, it can monitor the stability and abnormal condition of the production line.
【作者單位】： 保定天威英利新能源有限公司光伏材料與技術(shù)國家重點實驗室;河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國家國際科技合作專項(編號:2015DFE62900)資助項目
【分類號】：TM914.4

【參考文獻】

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【共引文獻】

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2 趙孟鋼;馮云峰;劉皎;王水威;;PERC太陽電池測試分析研究[J];太陽能;2015年12期

【二級參考文獻】

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3 于威;張立;王保柱;路萬兵;王利偉;傅廣生;;氫化納米硅薄膜中氫的鍵合特征及其能帶結(jié)構(gòu)分析[J];物理學(xué)報;2006年04期

4 張曉丹 ,高艷濤 ,趙穎 ,朱鋒 ,魏長春 ,孫建 ,耿新華 ,熊紹珍;VHF-PECVD制備微晶硅薄膜及其微結(jié)構(gòu)表征研究[J];人工晶體學(xué)報;2005年03期

5 胡志華,廖顯伯,刁宏偉,夏朝鳳,曾湘波,郝會穎,孔光臨;p型納米硅與a-Si∶H不銹鋼底襯nip太陽電池[J];物理學(xué)報;2005年06期

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2 俞孝偉;張山林;賀偉偉;張志剛;郭豐啟;詹傳郎;黃彥;;新型酞菁-傒分子異質(zhì)結(jié)的合成及其光伏性能研究[J];有機化學(xué);2012年10期

3 袁德華;張立新;戴振宏;王偉田;;全氧化物異質(zhì)結(jié)HoMnO_3/Nb-SrTiO_3的電子輸運特性[J];煙臺大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)與工程版);2011年01期

4 孟昭進;展鐵政;;Cu_2S/CdS異質(zhì)結(jié)工藝的發(fā)展[J];包頭鋼鐵學(xué)院學(xué)報;1993年01期

5 ;光調(diào)制技術(shù)及器件[J];中國光學(xué)與應(yīng)用光學(xué)文摘;1996年02期

6 王強;孫樹葉;張竹青;花國然;;同型異質(zhì)結(jié)埋柵太陽電池設(shè)計與仿真研究[J];太陽能學(xué)報;2013年07期

7 薛延;許娜;談立偉;李紅波;王偉;;基于TiO_2異質(zhì)結(jié)在光電化學(xué)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用[J];鹽城工學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版);2014年02期

8 李琳;文亞南;董燕;汪壯兵;梁齊;;Cu_2ZnSnS_4/Si異質(zhì)結(jié)器件的制備及特性研究[J];真空;2012年05期

9 鐘戰(zhàn)天,楊鴻展,金維新;分子束外延GaAs/Si異質(zhì)結(jié)的生長和研究[J];真空科學(xué)與技術(shù);1989年02期

10 趙占霞,崔容強,趙百川,孟凡英,于化叢,陳鳳翔,周之斌;濺射法低溫生長納米硅薄膜及異質(zhì)結(jié)電池[J];真空;2004年05期

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4 李維實;;基于分子異質(zhì)結(jié)化合物的有機光電材料設(shè)計[A];中國化學(xué)會第27屆學(xué)術(shù)年會第05分會場摘要集[C];2010年

5 莫雄;陳紅征;施敏敏;汪茫;;溶液共混制備酞菁／傒本體異質(zhì)結(jié)[A];2005年全國高分子學(xué)術(shù)論文報告會論文摘要集[C];2005年

6 周凱歌;Freddie Withers;曹陽;胡晟;于葛亮;Cinzia Casiraghi;;以拉曼光譜探測二維異質(zhì)結(jié)中的范德華界面相互作用[A];中國化學(xué)會第29屆學(xué)術(shù)年會摘要集——第30分會：低維碳材料[C];2014年

7 王峻嶺;游陸;;(La,Sr)MnO_3/BiFeO_3異質(zhì)結(jié)中磁疇的電場控制研究[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年

8 戴守愚;劉立豐;呂惠賓;陳正豪;;磁性異質(zhì)結(jié)中的半導(dǎo)體-金屬轉(zhuǎn)變現(xiàn)象[A];第十二屆全國相圖學(xué)術(shù)會議論文集[C];2004年

9 何暢;賀慶國;李永舫;白鳳蓮;;新型分子TPA-DCM-TPA的合成及光伏性能研究[A];中國化學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集（上冊）[C];2006年

10 李建章;王洪;陳久福;鐘俊波;胡偉;;g-C_3N_4/TiO_2異質(zhì)結(jié)的制備及其光催化脫色性能[A];中國化學(xué)會第29屆學(xué)術(shù)年會摘要集——第12分會：催化化學(xué)[C];2014年

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2 申衍偉;ZnO異質(zhì)結(jié)光電器件的制備及其性能研究[D];北京科技大學(xué);2016年

3 張克難;二硫化鉬二維材料及其異質(zhì)結(jié)的制備和光電特性研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所);2016年

4 程麗君;基于Bi_2O_3異質(zhì)結(jié)光催化劑制備、表征及催化活性研究[D];天津大學(xué);2014年

5 陶晨;反型體異質(zhì)結(jié)聚合物太陽能電池的研究[D];吉林大學(xué);2010年

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5 趙鵬毅;濺射制備銅鋅錫硫薄膜及其CZTS/In_2S_3異質(zhì)結(jié)的初步研究[D];福州大學(xué);2014年

6 梁智敏;新型硅基異質(zhì)結(jié)光伏器件的構(gòu)建及性能研究[D];暨南大學(xué);2016年

7 鄭宣清;鈣鈦礦型光催化材料的制備及性能研究[D];華僑大學(xué);2016年

8 裴九清;增強型雙異質(zhì)結(jié)器件特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

9 孫倩;MoS_2/RGO二維異質(zhì)結(jié)的制備及其光電特性研究[D];西北大學(xué);2016年

10 陳惠娟;納米碳/硅異質(zhì)結(jié)的制備及其氣敏性研究[D];中國石油大學(xué);2010年

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本文編號：2260826