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金剛石線鋸切割多晶硅片表面制絨工藝研究

發(fā)布時間:2018-04-27 14:27

  本文選題:金剛石線鋸 + 多晶硅; 參考:《無機(jī)材料學(xué)報(bào)》2017年09期


【摘要】:晶體硅片的制絨技術(shù)是太陽能電池制造工藝中的關(guān)鍵步驟。本研究以工業(yè)中酸制絨方法為基礎(chǔ),研究了腐蝕時間、濃度對絨面結(jié)構(gòu)以及反射率的影響。此外,還采用金屬催化化學(xué)腐蝕法進(jìn)行制絨,選用氫氟酸和硝酸銀作為腐蝕液。而且對兩種制絨方法效果進(jìn)行了對比。研究獲得的最優(yōu)絨面結(jié)構(gòu)及反射率結(jié)果的實(shí)驗(yàn)條件為:氫氟酸濃度4.6 mol/L、硝酸銀濃度0.02 mol/L,室溫下反應(yīng)90 min,得到的平均反射率為8%,遠(yuǎn)低于目前多晶硅片制絨生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。
[Abstract]:The manufacture technology of crystal silicon wafer is a key step in the solar cell manufacturing process. The effects of corrosion time and concentration on the structure and reflectivity of the flannel were studied on the basis of the acid-making method in industry. In addition, metal-catalyzed chemical etching method was used to make velvet, and hydrofluoric acid and silver nitrate were used as corrosion solution. In addition, the effects of the two methods are compared. The experimental conditions of the optimum flannel structure and reflectivity obtained are as follows: the concentration of hydrofluoric acid is 4.6 mol / L, the concentration of silver nitrate is 0.02 mol / L, and the reaction time is 90 min at room temperature, and the average reflectivity is 8%, which is much lower than the present production standard of polysilicon wafer.
【作者單位】: 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;遼寧省太陽能光伏系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(51574057) 中央高;究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(DUT15QY07)~~
【分類號】:TM914.4

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

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相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

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相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

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【共引文獻(xiàn)】

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相關(guān)博士學(xué)位論文 前4條

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3 儲清梅;堿性含氟液對太陽電池用單晶硅的腐蝕機(jī)理研究[D];昆明理工大學(xué);2014年

4 陳卓;單晶硅材料超精密磨削機(jī)理研究[D];廣東工業(yè)大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前5條

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2 葉s吅,

本文編號:1811102


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