本文研究了不同周期長度的G/H-BN超晶格納米帶在不同缺陷下的力學(xué)性能。在G/H-BN超晶格納米結(jié)構(gòu)中,通過離子輻照產(chǎn)生了菱形和方形兩種缺陷。研究和討論了納米孔面積(菱形和方形)、周期長度Lp、空位缺陷數(shù)以及不同位置空位缺陷對G/H-BN超晶格納米帶力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,G/H-BN超晶格納米結(jié)構(gòu)的破壞強(qiáng)度和應(yīng)變對缺陷和納米孔更為敏感。然而,其楊氏模量沒有類似的趨勢。此外,在G/H-BN超晶格納米結(jié)構(gòu)中,具有幾何缺陷的氮化硼區(qū)域的力學(xué)性能小于具有幾何納米孔的石墨烯部分。顯然,如果超晶格結(jié)構(gòu)產(chǎn)生一系列納米孔,這些納米孔應(yīng)該在石墨烯部分,而不是盡可能多地在氮化硼區(qū)域。最終,隨著缺陷密度的增加,G/H-BN超晶格納米結(jié)構(gòu)具有更強(qiáng)的韌性。同時,對納米孔存在時超晶格納米結(jié)構(gòu)的力學(xué)性能、量子化能帶結(jié)構(gòu)與光電性能的關(guān)系提供了指導(dǎo)。

【文章頁數(shù)】：11 頁

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Experimental
3 Results and discussion
    3.1 Verification
    3.2 Mechanical properties of defective g/h-BN su-perlattice nanoribbons
    3.3 Comparison
    3.4 Effect of ion irradiation induced rhombus nanopores
    3.5 Effect of ion irradiation induced square nanopores
4 Conclusion



本文編號：4011738