目的研究二維MoS₂薄片的生長規(guī)律,為將來過渡金屬硫族化合物薄膜的生長提供理論參考與技術(shù)經(jīng)驗。方法采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備MoS₂薄片,且僅改變薄片生長的保溫時間。通過光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡(SEM)和拉曼光譜分析探究MoS₂薄片的生長規(guī)律。結(jié)果 MoS₂薄片由最初的形核點逐漸生長為中心有亮點的三角形(形核點MoS₂拉曼光譜特征峰波數(shù)差為20.25 cm^-1)進一步生長為完整三角形的MoS₂薄片(拉曼光譜特征峰波數(shù)差為18.32 cm^-1)。隨著保溫時間的延長,薄片之間開始"拼接"成膜,并最終在此膜層上再次形核生長出體相MoS₂薄片。結(jié)論二維MoS₂薄片的生長模式隨著生長階段而表現(xiàn)不同,最開始以非二維生長模式產(chǎn)生形核點,而非形核點區(qū)域以二維生長模式進行生長。在持續(xù)長大階段,薄片以二維生長的模式為主導(dǎo)。在"拼接"階段,出現(xiàn)多層MoS₂區(qū)域。在第...

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號：3832016