CdS和CdSe一維半導體納米結構已成為光電探測領域的研究熱點材料。通常，單一組成的半導體材料具有固定帶隙，只對其帶隙附近的光子能量具有很高的光響應。合金納米線在單基片上的集成生長技術的突破，成功解決了不同帶隙半導體材料集成到一起后的晶格不匹配問題，為實現寬光譜高靈敏探測提供了可能。本課題利用大尺度CdSSe三元合金半導體納米線集成基片，優(yōu)化了基底材料和電極結構等條件的基礎上，實現了寬光譜高靈敏探測大尺寸光電探測器，為利用微觀納米結構構建宏觀高靈敏大尺度光電探測器奠定了理論和實驗基礎。具體工作如下：（1）本文采用條件可控的化學氣相沉積法（CVD）方法在不同基底，如硅片、白云母上制備了組分/帶隙漸變的CdSxSe1-x（x從0到1，帶隙從1.7eV到2.4eV）納米線集成基片。比較了其光電導性能的差異，發(fā)現白云母片做基底，整個基片具有更高的明暗電流比，最大可達106。白云母基底有著不導電、易分層結構、價格低廉等多種優(yōu)點，降低了光電探測器制備工藝的成本及難度。同時，考察了不同形狀的鋁電極：叉指電極和條形電極對光電導性能的影響。不同電極形狀、不同光照面積所產生的載流子數量及收集效率均有差異。... 

【文章來源】：北京理工大學北京市 211工程院校 985工程院校

【文章頁數】：72 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

電極和納米線的接觸情況等效電路及納米線晶體管不同接觸情況下的I-V特性曲線

屬的功函數和半導體納米材料的費米能級不匹配，在肖特基勢壘。肖特基勢壘在 M-S-M 結構中反向偏壓時一般的半導體納米線，I-V 特性主要取決于 MSM 結構向偏置時，勢壘的厚度降低，電子由金屬向納米線中流（納米電子器件的典型信號水平）。MSM 結構包含兩部性質，需要良好的電接觸。完美的電極接觸,如歐姆接半導體納米線中通常測得非線性的 I-V 曲線。肖特基勢同的—I-V 特性，包括線性、近乎對稱、不對稱、以及近線取決于納米線的內部參數，如電阻率、摻雜濃度、接觸面積和肖特基勢壘高度。在較大的電壓下，MSM 的斜率與納米線電阻相關。一般在半導體納米線中，觸將得到新型 I-V 曲線，如果一端近歐姆接觸，則對應的接觸情況不一致將會得到非對稱的 I-V 曲線。

圖 1.4 CdS 納米線—石墨烯器件的制備過程[49]墨烯表面上沉積金顆粒薄膜，金粒子用作催化劑，在以往在濺射有金粒子的位置，可通過控制金顆粒的位置將 CdS烯的上方，然后蒸鍍兩端電極（Ti/Au）。當入射光照射納生電子-空穴對，光生載流子可以通過石墨烯通道在電壓作。CdS 納米線的長度與生長時間成正比。義為：時間的延長（0-45min），納米線從無法覆蓋整個單層石墨米線由于具有較大的光照面積，光敏度表現出上升趨勢。45min），納米線繼續(xù)增長，載流子在到達石墨烯之前復合趨勢。這點與本文中部分研究相似，正文部分我們將


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