幾種納米結(jié)構(gòu)非線性光學性質(zhì)的理論研究
發(fā)布時間：2021-01-20 13:36
非線性光學（NLO）材料在光通訊、光計算機、光存儲等高科技術(shù)領域的廣泛應用,促使人們?nèi)ラ_發(fā)和設計高性能的非線性光學材料。非線性光學響應的強度主要通過非線性光學系數(shù)來衡量,因此研究高性能的非線性光學材料的首要任務就是提高體系的非線性光學系數(shù)。本文采用量子化學方法,對一些納米結(jié)構(gòu)的非線性光學性質(zhì)進行理論研究。本文主要內(nèi)容如下:1、研究了多種推、拉電子基團端位取代H─（CH═CH）n─H的電子結(jié)構(gòu),并在LC-BLYP/6-31G（d）水平上計算了推電子基團（─NH2、─OH、─NHCOH、─CH3）、拉電子基團（─F、─Cl、─C6H5、─C≡CH、─CN、─CHO、─NO2）對長程共軛烯烴分子結(jié)構(gòu)的非線性光學性質(zhì)的影響。結(jié)果表明,單獨推或拉電子基團均能有效的增大共軛多烯結(jié)構(gòu)的超極化率（β0）。β0從結(jié)構(gòu)H─（CH═CH）6─H的0.6分別增大到NH2─（CH═CH）
【文章來源】：煙臺大學山東省
【文章頁數(shù)】：83 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
在LC-BLYP水平上NH2─(CH=CH)
27圖 4.1 硼邊緣摻雜 SWCNT 的七個結(jié)構(gòu)，硼原子取代的一端定義為 DU，另一端為 DLFig. 4.1 Seven structures of boron edge-doped SWCNT are formed by doping boron atom(s) into tpristine SWCNT (5. 0), The mean diameter DUfor the upper side (boron-doped) and DLfor the lowside未摻雜的 SWCNT (5. 0)以及七個硼邊緣摻雜的 SWCNT 的全實頻結(jié)構(gòu)見圖 4根據(jù)硼原子數(shù)目 n 和位置，將摻雜結(jié)構(gòu)表示為 1B、2B1、2B2、3B1、3B2、4B、和 5BB 前面的數(shù)字 1 ~ 5 表示硼的取代個數(shù)，下標表示不同位置的取代。B 摻雜端的平直徑表示為 DU，未摻雜端平均直徑表示為 DL。從表 4-2 可以看出，摻雜端平均直徑 DU均大于未摻雜端的 DL，而且均大于
子摻雜取代的超短單壁碳納米管的靜態(tài)第一超極化率的理論研究。這表明硼的邊緣摻雜對 SWCNT 的幾何結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響的邊緣摻雜使得 DU小于 DL，這與硼摻雜結(jié)果正好相反。的關(guān)系見圖 4-2，七個摻雜結(jié)構(gòu)的能隙大小粗略的隨硼原子結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性隨著摻雜數(shù)目你而增大。
【參考文獻】：
期刊論文
[1]高質(zhì)量氮摻雜單壁碳納米管的可控制備（英文）[J]. 侯鵬翔,宋曼,李金成,劉暢,李世勝,成會明. Science China Materials. 2015(08)
[2]供體-鋸齒型碳納米管-受體的非線性光學響應對管徑的依賴性[J]. 劉英濤,王鑫,劉翔宇,冀永強. 化學學報. 2012(09)
[3]Lindqvist型鉬酸鹽修飾的碳納米管二階非線性光學性質(zhì)的理論研究[J]. 馬騰穎,關(guān)威,溫世正,郎中玲,顏力楷,蘇忠民. 高等學�；瘜W學報. 2012(05)
[4]光電功能晶體材料研究進展[J]. 王繼揚,吳以成. 中國材料進展. 2010(10)
[5]10 fs超快聚苯乙烯非線性光子晶體全光開關(guān)[J]. 劉曄,秦飛,李志遠. 激光與光電子學進展. 2010(03)
[6]鞏固優(yōu)勢 再攀高峰——記我國無機非線性光學晶體的發(fā)展歷程[J]. 沈德忠. 新材料產(chǎn)業(yè). 2009(10)
[7]新型雙光子引發(fā)劑光聚合行為及微器件制備[J]. 郭福全,胡治元,付新建,張其錦,黃文浩,夏安東. 中國激光. 2009(06)
[8]碳納米管非線性光限幅機理的研究[J]. 袁艷紅,侯洵,王相虎,趙華. 上海電機學院學報. 2008(02)
[9]激光在玻璃內(nèi)誘導功能晶體新進展[J]. 戴曄,余昺鯤,邱建榮. 激光與光電子學進展. 2008(06)
[10]中紅外波段二階非線性光學晶體材料研究進展[J]. 蘇旭,劉濤,張剛,陳興國,秦金貴,陳創(chuàng)天. 無機化學學報. 2006(07)
博士論文
[1]某些電子化物及分子的非線性光學性質(zhì)和電場效應[D]. 白楊.吉林大學 2013
[2]從分子到納米體系的非線性光學性質(zhì)的理論研究[D]. 劉振波.吉林大學 2012
[3]大的非線性光學響應的分子設計[D]. 徐紅亮.吉林大學 2008
本文編號：2989141
【文章來源】：煙臺大學山東省
【文章頁數(shù)】：83 頁
【學位級別】：碩士
【部分圖文】：
在LC-BLYP水平上NH2─(CH=CH)
27圖 4.1 硼邊緣摻雜 SWCNT 的七個結(jié)構(gòu)，硼原子取代的一端定義為 DU，另一端為 DLFig. 4.1 Seven structures of boron edge-doped SWCNT are formed by doping boron atom(s) into tpristine SWCNT (5. 0), The mean diameter DUfor the upper side (boron-doped) and DLfor the lowside未摻雜的 SWCNT (5. 0)以及七個硼邊緣摻雜的 SWCNT 的全實頻結(jié)構(gòu)見圖 4根據(jù)硼原子數(shù)目 n 和位置，將摻雜結(jié)構(gòu)表示為 1B、2B1、2B2、3B1、3B2、4B、和 5BB 前面的數(shù)字 1 ~ 5 表示硼的取代個數(shù)，下標表示不同位置的取代。B 摻雜端的平直徑表示為 DU，未摻雜端平均直徑表示為 DL。從表 4-2 可以看出，摻雜端平均直徑 DU均大于未摻雜端的 DL，而且均大于
子摻雜取代的超短單壁碳納米管的靜態(tài)第一超極化率的理論研究。這表明硼的邊緣摻雜對 SWCNT 的幾何結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響的邊緣摻雜使得 DU小于 DL，這與硼摻雜結(jié)果正好相反。的關(guān)系見圖 4-2，七個摻雜結(jié)構(gòu)的能隙大小粗略的隨硼原子結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性隨著摻雜數(shù)目你而增大。
【參考文獻】：
期刊論文
[1]高質(zhì)量氮摻雜單壁碳納米管的可控制備（英文）[J]. 侯鵬翔,宋曼,李金成,劉暢,李世勝,成會明. Science China Materials. 2015(08)
[2]供體-鋸齒型碳納米管-受體的非線性光學響應對管徑的依賴性[J]. 劉英濤,王鑫,劉翔宇,冀永強. 化學學報. 2012(09)
[3]Lindqvist型鉬酸鹽修飾的碳納米管二階非線性光學性質(zhì)的理論研究[J]. 馬騰穎,關(guān)威,溫世正,郎中玲,顏力楷,蘇忠民. 高等學�；瘜W學報. 2012(05)
[4]光電功能晶體材料研究進展[J]. 王繼揚,吳以成. 中國材料進展. 2010(10)
[5]10 fs超快聚苯乙烯非線性光子晶體全光開關(guān)[J]. 劉曄,秦飛,李志遠. 激光與光電子學進展. 2010(03)
[6]鞏固優(yōu)勢 再攀高峰——記我國無機非線性光學晶體的發(fā)展歷程[J]. 沈德忠. 新材料產(chǎn)業(yè). 2009(10)
[7]新型雙光子引發(fā)劑光聚合行為及微器件制備[J]. 郭福全,胡治元,付新建,張其錦,黃文浩,夏安東. 中國激光. 2009(06)
[8]碳納米管非線性光限幅機理的研究[J]. 袁艷紅,侯洵,王相虎,趙華. 上海電機學院學報. 2008(02)
[9]激光在玻璃內(nèi)誘導功能晶體新進展[J]. 戴曄,余昺鯤,邱建榮. 激光與光電子學進展. 2008(06)
[10]中紅外波段二階非線性光學晶體材料研究進展[J]. 蘇旭,劉濤,張剛,陳興國,秦金貴,陳創(chuàng)天. 無機化學學報. 2006(07)
博士論文
[1]某些電子化物及分子的非線性光學性質(zhì)和電場效應[D]. 白楊.吉林大學 2013
[2]從分子到納米體系的非線性光學性質(zhì)的理論研究[D]. 劉振波.吉林大學 2012
[3]大的非線性光學響應的分子設計[D]. 徐紅亮.吉林大學 2008
本文編號：2989141
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