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高功率容量電容式RF MEMS開關失效機理研究

發(fā)布時間:2017-04-26 02:12

  本文關鍵詞:高功率容量電容式RF MEMS開關失效機理研究,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:電容式RF MEMS開關在處理30d Bm以上功率的信號時,會發(fā)生自驅動、自鎖和自熱現(xiàn)象,導致開關失效,限制了它在通信系統(tǒng)中的應用。為了設計高功率容量的電容式RF MEMS開關,必須對上述三種失效模式進行失效機理分析,建立相應的高保真閾值功率解析模型或失效行為模型,為開關的可靠性設計奠定理論基礎。針對膜片的邊緣場效應對開關自驅動閾值功率解析模型精度的影響,論文構建了一個優(yōu)值來表征邊緣場效應的強度,進而構建了計及邊緣場效應的開關自驅動閾值功率模型,提高了模型的計算精度。針對down態(tài)電容退化對開關自鎖閾值功率解析模型精度的影響,論文提出了“3D電磁-等效電路仿真對比建!钡姆椒,確定了任一開關的介電層表面粗糙度與開關down態(tài)電容退化的函數(shù)關系。進而對簡化的(介電層光滑)開關自鎖失效閾值功率模型進行了修訂,可擴展用于預測介電層粗糙開關的功率容量。為了建立完整的開關自熱失效行為模型,論文提出了“電磁-熱-應力”的多物理場協(xié)同仿真方法,描述開關自熱失效模式,并分析其失效機理。進而擬合出了0~5W輸入功率下的開關驅動電壓隨輸入功率的漂移曲線,為開關抗熱應力變形設計提供了理論支撐。
【關鍵詞】:電容式RFMEMS開關 閾值功率 自驅動 自鎖 自熱
【學位授予單位】:西南科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TH-39;TM564
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-8
  • 1 緒論8-18
  • 1.1 RF MEMS技術與RF MEMS元器件8-9
  • 1.2 RF MEMS開關的應用與優(yōu)缺點9-12
  • 1.3 電容式RF MEMS開關失效機理研究現(xiàn)狀12-15
  • 1.3.1 介電層充電問題12-13
  • 1.3.3 功率容量問題13-15
  • 1.4 研究思路15-16
  • 1.5 本文主要工作及內容安排16-18
  • 1.5.1 主要工作介紹16
  • 1.5.2 內容安排16-18
  • 2 電容式RF MEMS開關的理論分析與模型構建18-33
  • 2.1 電容式RF MEMS開關原理18-21
  • 2.2 電容式RF MEMS開關性能參數(shù)分析21-24
  • 2.2.1 開關的RLC參數(shù)21-23
  • 2.2.2 開關的S參數(shù)23-24
  • 2.3 電容式RF MEMS開關結構參數(shù)構建24-30
  • 2.3.1 CPW傳輸線設計24-27
  • 2.3.2 開關膜片與介電層設計27-30
  • 2.4 仿真分析軟件介紹30-32
  • 2.4.1 高頻電路仿真軟件ADS30-31
  • 2.4.2 高頻電磁場仿真軟件HFSS31
  • 2.4.3 熱、應力仿真軟件e Physics31-32
  • 2.5 本章小結32-33
  • 3 自驅動閾值功率建模與邊緣場效應表征33-45
  • 3.1 開關自驅動閾值功率建模33-34
  • 3.2 膜片邊緣場效應的表征34-41
  • 3.2.1 優(yōu)值構建34-35
  • 3.2.2 優(yōu)值模型的仿真驗證35-41
  • 3.3 提高開關自驅動閾值功率的方案41-44
  • 3.3.1 減小膜片寬度42-43
  • 3.3.2 減小膜片厚度43-44
  • 3.4 本章小結44-45
  • 4 自鎖閾值功率建模與down態(tài)電容退化表征45-55
  • 4.1 開關自鎖閾值功率建模45-47
  • 4.2 開關down態(tài)電容退化的表征47-53
  • 4.2.1 表征方法47-49
  • 4.2.2 介電層光滑時開關等效電路的確定49-50
  • 4.2.3 介電層的粗糙度定義50-52
  • 4.2.4 改變粗糙度對開關down態(tài)電容的影響52-53
  • 4.3 提高開關自鎖閾值功率的方案53-54
  • 4.4 本章小結54-55
  • 5 電容式RF MEMS開關自熱效應研究55-68
  • 5.1 膜片上耗散功率的計算與表征55-56
  • 5.2 電容式RF MEMS開關熱傳遞模式分析56-57
  • 5.3 開關自熱效應多物理場協(xié)同仿真57-65
  • 5.3.1 “電磁-熱”耦合59-63
  • 5.3.2 “熱-應力”耦合63-65
  • 5.4 開關驅動電壓隨輸入功率漂移的表征65-66
  • 5.5 減小開關自熱效應的方案66-67
  • 5.6 本章小結67-68
  • 結論68-70
  • 1 論文主要工作總結68-69
  • 2 后續(xù)工作展望69
  • 3 后續(xù)工作展望69-70
  • 致謝70-71
  • 參考文獻71-77
  • 附錄177-79
  • 附錄279-82
  • 攻讀碩士期間科研成果82

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 陶濤;蘇輝;謝自力;張榮;劉斌;修向前;李毅;韓平;施毅;鄭有p

本文編號:327542


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