石墨烯的發(fā)現(xiàn)和大規(guī)模的制備以及應(yīng)用,打開(kāi)了人們對(duì)于二維材料領(lǐng)域的研究思路。其中過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔铮═MDCs）最為受到研究者的關(guān)注。與石墨烯相比,單層過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔?如MoS₂、MoSe₂、WS₂和WSe₂都是直接帶隙半導(dǎo)體,填補(bǔ)了石墨烯帶隙為零的缺點(diǎn)。單層TMDCs薄膜是直接帶隙半導(dǎo)體材料,單層到多層TMDCs材料的禁帶寬度變化范圍為1.1².1eV,其禁帶寬度根據(jù)層數(shù)的變化可調(diào),硅材料的禁帶寬度為1.1eV。由于其具有優(yōu)異的電學(xué)與光學(xué)性能,同時(shí)這類(lèi)材料具備半導(dǎo)體特性,從而使得過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔镉型蔀槔^石墨烯之后的新型半導(dǎo)體材料。MoS₂作為過(guò)渡金屬硫?qū)倩锏拇?其合成方法和相關(guān)應(yīng)用都得到廣泛的研究,而到目前為止有關(guān)WSe₂的報(bào)道和研究相對(duì)較少。單層WSe₂為禁帶寬度為1.64eV左右的直接帶隙半導(dǎo)體,同時(shí)具有優(yōu)異的電學(xué)與光學(xué)性能,使其可以滿足作為電學(xué)器件與光學(xué)器件的大部分需求。并且與其他過(guò)渡金屬硫?qū)倩?.. 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

過(guò)渡金屬和三種硫族元素組成的過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔?br>

WSe2結(jié)構(gòu)示意圖

WSe2材料多型結(jié)構(gòu)示意圖：2H（兩層原子為一個(gè)重復(fù)單元，六方對(duì)稱(chēng)，為三角棱柱配位），3R（三層原子為一個(gè)重復(fù)單元，菱形對(duì)稱(chēng)，為三角棱柱配位），

【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]層狀過(guò)渡金屬硫化物及其納米帶特性的第一性原理研究[D]. 張志祥.華東師范大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3627244