薄膜材料電阻率高通量表征平臺開發(fā)
【學位授予單位】:中國工程物理研究院
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TB383.2
【圖文】:
圖1.1邋Hanak提出的材料高通量實驗的初始概念逡逑對于當時只研究一種成分的新材料的研發(fā)新概念,包括合成、分析、測試的一整套理濺射的多組分材料和成方法,以及一種基于法。將這種方法被具體應用于新的二元超導搜索和開發(fā)速度提高了數十倍之多,并且預實驗的初始概念包括以下幾個部分:逡逑成完整的多組分材料體系;逡逑損、全面的成分結構分析;逡逑動化、高速率的材料性能測試;逡逑,以表格、圖形、函數等形式進行輸出。逡逑合化學逐漸興起,并隨之產生了高通量基因反應器等技術手段。90年代中后期,高通量
探針法的基本原理逡逑探針測量電阻率的基本原理是,四根探針與樣品表面進行接觸,其中兩根探流源對樣品進行電流注入,從而在樣品內部激勵形成擴散電場,使得樣品上都對應著特定的電勢值。電場穩(wěn)定之后,由電壓表讀取另外兩根探針各自對電勢差,根據電流電壓數據,結合樣品的形狀尺寸與探針的位置分布,從而出待測樣品材料的電阻率[43]。具體實施過程中,根據薄層樣品的厚度不同,場分布形態(tài)也有較大差異,需要區(qū)別應用體原理或者薄層原理的物理模型率公式的推導。另外,在不滿足四探針法測準條件的前提下得到的電阻率結加以進一步的修正,從而減小測量原理誤差,得到較為準確的結果。逡逑原理逡逑原理的應用條件是,樣品的幾何尺度與相鄰探針間的距離比較可以近似看作設探針注入的電流源強度為/,假設樣品內部的電阻率分布均勻性足夠理想,力線分布呈標準的放射狀,等勢面分布為一系列同心半球面,如圖所示。逡逑電流源|逡逑
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本文編號:2718008
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