發(fā)布時(shí)間：2017-11-09 13:25

  本文關(guān)鍵詞：多層納米AlGaN薄膜制備及其場(chǎng)發(fā)射性能

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【摘要】：本文采用激光脈沖沉積系統(tǒng)在SiC基底上制備了GaN/AlN/GaN多層納米結(jié)構(gòu)薄膜,探索了多層納米薄膜量子結(jié)構(gòu)增強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射性能.X射線衍射和掃描電子顯微鏡結(jié)果表明,已成功制備出了界面清晰、結(jié)晶良好的GaN/AlN/GaN多層納米薄膜.場(chǎng)發(fā)射測(cè)試結(jié)果表明:多層納米薄膜結(jié)構(gòu)相對(duì)于GaN和AlN單層納米薄膜,其場(chǎng)發(fā)射性能得到顯著提升.其開啟電場(chǎng)低至0.93V/μm,電流密度在5.5V/μm時(shí)已經(jīng)能夠達(dá)到30mA/cm~2.隨后進(jìn)一步分析了納米結(jié)構(gòu)增強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射機(jī)理,電子在GaN/AlN/GaN多層納米薄膜結(jié)構(gòu)中的量子阱中積累使其表面勢(shì)壘高度顯著下降,并通過(guò)共振隧穿效應(yīng)進(jìn)一步提高電子的透過(guò)概率,從而使場(chǎng)發(fā)射性能極大提高.研究結(jié)果將為應(yīng)用于高性能場(chǎng)發(fā)射器件的納米薄膜材料的制備提供一種好的技術(shù)方案.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;北京市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):11274029,11074017) 北京工業(yè)大學(xué)京華人才支持計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2014-JH-L07)資助的課題~~
【分類號(hào)】：O484
【正文快照】： 本文采用激光脈沖沉積系統(tǒng)在Si C基底上制備了Ga N/Al N/Ga N多層納米結(jié)構(gòu)薄膜,探索了多層納米薄膜量子結(jié)構(gòu)增強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射性能.X射線衍射和掃描電子顯微鏡結(jié)果表明,已成功制備出了界面清晰、結(jié)晶良好的Ga N/Al N/Ga N多層納米薄膜.場(chǎng)發(fā)射測(cè)試結(jié)果表明:多層納米薄膜結(jié)構(gòu)相對(duì)于Ga N

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本文編號(hào)：1162076