本文關(guān)鍵詞： 化合物半導(dǎo)體 GaAs GaN SiC　出處：《集成電路應(yīng)用》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：集成電路高速發(fā)展,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支撐。我國集成電路正處于大發(fā)展時(shí)期,可為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供先進(jìn)技術(shù)支撐。相對于硅材料,化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)異,制作出的器件相對于硅器件具有更優(yōu)異的電性能。國產(chǎn)化替代需求為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了巨大市場。
[Abstract]:The rapid development of integrated circuits provides technical support for the industrial development. China's integrated circuits are in a period of great development, which can provide advanced technical support for the compound semiconductor industry. Compared with silicon materials. The properties of compound semiconductors are more excellent, and the fabricated devices have better electrical properties than silicon devices. The demand for localization of substitution provides a huge market for the development of compound semiconductor industry.
【作者單位】： 賽迪智庫集成電路產(chǎn)業(yè)研究所;
【分類號】：F426.63
【正文快照】： 化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于硅(Si)和鍺(Ge)等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類半導(dǎo)體材料,主要包括砷化鎵(Ga As)、磷化銦(In P)、氮化鎵(Ga N)、碳化硅(Si C)、氧化鋅(Zn O)等。相對于硅材料,化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)異,制作出的器件相對于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和

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本文編號：1470868