本文關(guān)鍵詞：第三代半導體產(chǎn)業(yè)概況剖析

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【摘要】：技術(shù)創(chuàng)新是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動力。當前,在科技強國的背景下,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視。我國政府高度重視第三代半導體材料的研究與開發(fā),啟動了一系列重大研究項目。
【作者單位】： 河北科技大學;
【分類號】：TN304;F426.63
【正文快照】： 1引言 由于第三代半導體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用,歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略,投入巨資支持發(fā)展[1]。本文將對第三代半導體材料的定義、特性以及各國研發(fā)情況進行詳細剖析。 1.1第一代半導體材料概況 第一代半導

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