【摘要】：目的：探討A549細胞發(fā)生低劑量輻射超敏向低劑量輻射抗拒轉(zhuǎn)變(HRS/IRR)的機制及ATM激酶和自噬在其中的作用。 方法：（1）流式分選計數(shù)克隆形成法檢測不同劑量照射后人肺腺癌A549細胞株(HRS/IRR+)及人宮頸癌SIHA細胞株(HRS/IRR－)的存活分?jǐn)?shù)，觀察HRS/IRR與放射劑量間的關(guān)系。（2）酶標(biāo)儀檢測不同劑量照射后兩種細胞內(nèi)活性氧(ROS)水平。（3）Westernblot免疫印跡法檢測不同劑量照射后兩種細胞中Phospho-ATM(Ser1981)/ATM和自噬相關(guān)蛋白MAP1LC3BⅠ/Ⅱ(微管相關(guān)蛋白1輕鏈3BⅠ/Ⅱ)表達水平。（4）激光共聚焦LC3-GFP檢測法觀察不同劑量照射后兩種細胞的自噬發(fā)生情況。（5）透射電鏡檢測兩種細胞在接受0.2Gy劑量照射后胞漿中自噬泡形成情況。 結(jié)果：（1）A549細胞表現(xiàn)出顯著的HRS/IRR現(xiàn)象；而SIHA細胞無。（2）當(dāng)輻射劑量≤0.2Gy時，A549細胞內(nèi)ROS水平隨著放射劑量的增加而增加，當(dāng)劑量達到0.3Gy時，細胞內(nèi)ROS則出現(xiàn)明顯的下降，隨后ROS隨著放射劑量的增加而再度增加；SIHA細胞中ROS水平隨放射劑量的增加無顯著改變。（3）A549細胞在0.2Gy時，Phospho-ATM(Ser1981)開始表達，隨放射劑量增加表達無明顯變化；SIHA細胞在起始劑量便存在Phospho-ATM(Ser1981)表達，與放射劑量變化無關(guān)。A549細胞在0.2Gy時，MAP1LC3BⅡ開始表達并隨放射劑量增加而表達增加；SIHA細胞在起始劑量便存在MAP1LC3BⅡ表達，，隨放射劑量增加而表達增加。（4）A549細胞在放射劑量達到0.2Gy時可見自噬發(fā)生，后隨放射劑量增加自噬逐漸累積；SIHA細胞在起始劑量便存在自噬，并隨放射劑量增加而累積。（5）電鏡下觀察到在0.2Gy時A549細胞僅有極少量自噬泡結(jié)構(gòu)；而同樣放射劑量下SIHA細胞中有顯著地自噬泡產(chǎn)生。 結(jié)論：（1）ATM激酶的活化與自噬啟動可能存在關(guān)聯(lián)。（2）ATM激酶的活化與HRS/IRR現(xiàn)象存在相關(guān)性。（3）自噬可能參與促成HRS向IRR的轉(zhuǎn)變。
【圖文】：

華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文實驗 結(jié) 果 1. 細胞 存 活曲 線 ： A5 4 9 細 胞和 S IH A 細 胞在 接 受0 G y ~ 4G y 之 間劑 量X 射 線照 射后 的存 活分 數(shù)應(yīng)用 線 性 平方 模 型 及 修正 的 誘 導(dǎo) 修復(fù) 模 型 [1 3 , 14 ] 來擬 合 各自 的 細胞 存 活 曲線 ：

華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文實驗 結(jié) 果 1. 細胞 存 活曲 線 ： A5 4 9 細 胞和 S IH A 細 胞在 接 受0 G y ~ 4G y 之 間劑 量X 射 線照 射后 的存 活分 數(shù)應(yīng)用 線 性 平方 模 型 及 修正 的 誘 導(dǎo) 修復(fù) 模 型 [1 3 , 14 ] 來擬 合 各自 的 細胞 存 活 曲線 ：
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2012
【分類號】：R730.55

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本文編號：2577985