以市售常見(jiàn)的3種不同基底BDD電極（Ta/BDD、Nb/BDD、Si/BDD）為陽(yáng)極構(gòu)建電化學(xué)氧化體系,分別采用XRD、SEM實(shí)驗(yàn)對(duì)3種電極的薄膜晶體組分和表面形態(tài)進(jìn)行考察;采用循環(huán)伏安實(shí)驗(yàn)（CV）和計(jì)時(shí)電量實(shí)驗(yàn)（CC）方法對(duì)3種電極在含溴（Br^-）化物溶液體系中的電化學(xué)行為進(jìn)行表征;分別采用水楊酸（SA）和2,6-二氯靛酚鈉（DCIP）作為探針物質(zhì),分別對(duì)主要的電生活性物質(zhì)羥基自由基（·OH）和超氧自由基（·O^-₂）產(chǎn)率進(jìn)行捕獲測(cè)定;利用電解模擬含Br^-水實(shí)驗(yàn),考察初始Br^-濃度、電流密度和pH等實(shí)驗(yàn)條件對(duì)3種電極作用下Br^-轉(zhuǎn)化反應(yīng)速率的影響。結(jié)果表明,采用相同氣相沉積工藝制備的3種電極,基底元素與C元素均通過(guò)相互熔合的方式向薄膜中引入了合金成分,這些成分的電阻率影響了電極的電化學(xué)性質(zhì)。由于薄膜成分的不同,使得3種電極的電勢(shì)窗口、反應(yīng)電子數(shù)n及表面余量Γ₀等電化學(xué)特性表現(xiàn)出一定的差異,其中電勢(shì)窗口和n均表現(xiàn)為Ta/BDD電極最大,... 

【文章來(lái)源】：應(yīng)用化工. 2020,49(03)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

Ta/BDD電極(a)、Nb/BDD電極(b)和Si/BDD電極(c)的XRD圖及對(duì)應(yīng)峰

圖1 Ta/BDD電極(a)、Nb/BDD電極(b)和Si/BDD電極(c)的XRD圖及對(duì)應(yīng)峰由圖1可知,3種電極的圖譜中都出現(xiàn)了基底材質(zhì)元素和C元素組成的合金成分。Ta/BDD、Nb/BDD電極的圖譜中均出現(xiàn)X-C合金、X和C的衍射峰(X=Ta、Nb),而Si/BDD電極僅出現(xiàn)Si—C衍射峰。這表明相對(duì)于金屬基底Ta和Nb與表面金剛石涂層中的C元素僅發(fā)生一定程度熔合不同,Si基底更易與C元素融合,使得涂層中全部轉(zhuǎn)化為了Si—C合金成分。

Ta/BDD電極(a)、Nb/BDD電極(b)和Si/BDD電極(c)的SEM圖像

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]不同基底BDD電極對(duì)模擬染料廢水的降解脫色試驗(yàn)[J]. 邢劍飛,王珺,李侃,王亞林,應(yīng)迪文,賈金平.  凈水技術(shù). 2013(01)
[2]一步還原法制備（W-Ti-Ta-Nb）C復(fù)合碳化物的研究[J]. 王紅彬,鐘暉,戴艷陽(yáng).  稀有金屬與硬質(zhì)合金. 2009(04)
[3]高效液相色譜法測(cè)定水楊酸及其羥基化產(chǎn)物[J]. 任信榮,邵可聲,唐孝炎.  色譜. 2001(02)
[4]酶催化法進(jìn)行超氧自由基(O2·-)動(dòng)力學(xué)檢測(cè)[J]. 林清枝,朱云云.  重慶師范學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 1998(S1)
[5]1:1對(duì)稱型單獨(dú)電解質(zhì)溶液擴(kuò)散系數(shù)數(shù)學(xué)模型的研究[J]. 宋國(guó)忠.  化學(xué)工程. 1985(05)

博士論文
[1]化學(xué)氣相沉積硅基薄膜的性能及機(jī)理研究[D]. 宋雪梅.北京工業(yè)大學(xué) 2003

碩士論文
[1]β-PbO2鍍層電極制備及其在電化學(xué)法檢測(cè)水中COD應(yīng)用[D]. 王西志.北京化工大學(xué) 2015
[2]超聲強(qiáng)化金剛石膜電極電化學(xué)氧化降解有機(jī)污染物的機(jī)制[D]. 沈世豪.同濟(jì)大學(xué) 2008



本文編號(hào)：3238824