發(fā)布時間：2017-05-06 16:01

  本文關鍵詞：納米生物材料的合成與改性研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：無機納米材料獨特的性能為設計新一代的設備和合成展示了新穎的功能提供了極好的遠景展望，但同時無機納米材料也存在著不可忽視的缺陷，例如：生物不相容、有毒性、不可降解、疏水性、化學穩(wěn)定性差等，，這就迫切需要對納米無機材料進行表面改性來完善它的性能，使之獲得更好的應用價值。本文對近些年無機納米材料表面改性進行了簡單的闡述。 在羥基磷灰石（HAP）表面用β-丙氨酸對其進行修飾，隨后用于引發(fā)γ-芐基-L-谷氨酸-N-羧基-環(huán)內(nèi)酸酐（BLG-NCA）的開環(huán)聚合，成功的將聚（γ-芐基-L-谷氨酸）（PBLG）作用于羥基磷灰石的表面。通過增加聚（γ-芐基-L-谷氨酸）在HAP-PBLG的含量，能夠逐漸提高HAP-PBLG在氯仿中的溶解度，最后能夠溶于氯仿。通過對HAP-PBLG進行加氫催化成功裸露出功能性羧基。在對HAP改性過程中，通過透射電鏡（TEM）發(fā)現(xiàn)形貌發(fā)生了明顯的變化從棒狀到片狀最后變?yōu)獒槧睢?采用“Solution-Liquid-Solid”法合成CdSe量子點（CdSe QDs）。利用低熔點納米粒子作為催化劑。研究表明鉍及其合金納米粒子是制備各種QDs和納米線的理想催化劑。且SLS方法比傳統(tǒng)方法：電化學沉積、氣相沉積等方法的反應條件要溫和，反應裝置相對要簡單。通過一系列表征手段（紫外-可見吸收光譜，TEM和EDS）對制備的樣品進行了分析。 通過采用CdCl2和NaHTe在水溶液中100℃下反應，成功地制備了具有核/殼結構，和高熒光的CdTe/CdS納米線。隨著反應時間從10min延長至140min，CdTe/CdS納米晶體的形貌逐漸從納米棒演變成納米線。CdTe/CdS納米線的表面同時具有氨基和羧基兩個功能性基團，使其在水溶液中有良好的分散性，與此同時，納米線的熒光量子產(chǎn)率達到了7.25%，這是基于在用半胱胺酸作為配體以及在CdTe核上形成了一層CdS殼，而且納米線的直徑為窄分布d=~5nm以及長度范圍為175-275nm，縱橫比的范圍為1/35至1/55。
【關鍵詞】：羥基磷灰石 硒化鎘 量子點 納米線 碲化鎘/硫化鎘
【學位授予單位】：云南民族大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2014
【分類號】：TB383.1;R318.08
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-11
• 主要符號對照表11-12
• 第一章 無機納米材料表面改性（綜述）12-26
• 1.1 簡介12-13
• 1.2 納米線的制備13-14
• 1.3 納米線表面修飾14-19
• 1.3.1 聚合物修飾15-16
• 1.3.2 有機分子修飾16-18
• 1.3.3 生物分子修飾18-19
• 1.4 量子點有機改性19-24
• 1.4.1 硒化鎘量子點表面有機分子改性20-21
• 1.4.2 硒化鎘量子點核-殼結構改性21-22
• 1.4.3 硒化鎘量子點低聚物的表面改性22-23
• 1.4.4 硒化鎘量子點作為生物熒光探針的應用23-24
• 1.4.4.1 CdSe 量子點對細胞、DNA 等生物大分子的標記和檢測23-24
• 1.4.4.2 CdSe 量子點應用于活體成像24
• 1.5 展望24-26
• 第二章 聚（γ-芐基-L 谷氨酸-N-羧基-環(huán)內(nèi)酸酐）對羥基磷灰石-β-丙氨酸的嫁接改性的合成與表征26-38
• 2.1 前言26-27
• 2.2 實驗部分27-30
• 2.2.1 試劑與儀器27-28
• 2.2.1.1 試劑27
• 2.2.1.2 儀器27-28
• 2.2.2 采用原位法制備表面具有氨基的羥基磷灰石納米晶體-HAP-β-丙氨酸（HAP-NH_2）28
• 2.2.3 制備γ-芐基-L 谷氨酸-N-羧基-環(huán)內(nèi)酸酐（BLG-NCA）28-29
• 2.2.4 制備羥基磷灰石-β-丙氨酸-聚（γ-芐基-L-谷氨酸）（HAP-PBLG）29
• 2.2.5 制備羥基磷灰石-β-丙氨酸-聚（L-谷氨酸）（HAP-PLGA）29-30
• 2.3 結果與討論30-37
• 2.3.1 在 HAP-羥基磷灰石-β-丙氨酸（HAP-NH2）上嫁接聚（γ-芐基-L-谷氨酸）30-32
• 2.3.2 羥基磷灰石-β-丙氨酸-聚（L-谷氨酸）（HAP-PLGA）的合成32
• 2.3.3 X 射線粉末衍射儀（XRD）圖譜32-33
• 2.3.4 透射電鏡（TEM）33-34
• 2.3.5 ~1H NMR 圖譜34-36
• 2.3.6 紅外圖譜36-37
• 2.4 本章小結37-38
• 第三章 “Solution-Liquid-Solid”法合成 CdSe 量子點38-46
• 3.1 前言38
• 3.2 實驗部分38-40
• 3.2.1 試劑與儀器38-39
• 3.2.1.1 試劑38-39
• 3.2.1.2 儀器39
• 3.2.3 實驗步驟39-40
• 3.2.3.1 制備 Bi[N(SiMe_3)_2]_339
• 3.2.3.2 Bi 納米粒子的制備39
• 3.2.3.3 制備 TOP-Se39
• 3.2.3.4 制備 CdSe 族39-40
• 3.2.3.5 制備 CdSe 量子點40
• 3.3 結果與討論40-44
• 3.4 本章小節(jié)44-46
• 第四章 低溫水溶液中合成半胱氨酸修飾、直線型的 CdTe/CdS 核-殼結構納米線46-60
• 4.1 前言46-47
• 4.2 實驗部分47-49
• 4.2.2 試劑與儀器47-48
• 4.2.2.1 試劑47-48
• 4.2.2.2 儀器48
• 4.2.3 制備 NaTeH 溶液48
• 4.2.4 制備 CdTe/CdS 納米線48-49
• 4.2.5 細胞培養(yǎng)49
• 4.2.6 細胞活性檢測49
• 4.3 結果圖討論49-59
• 4.3.1 半光氨酸-CdTe/CdS 納米線的合成49
• 4.3.2 反應時間對 CdTe/CdS 納米晶體形貌的影響49-52
• 4.3.3 半胱氨酸-CdTe/CdS 納米晶體的光學性質(zhì)52-54
• 4.3.4 晶相54-57
• 4.3.5 細胞57-59
• 4.4 本章小節(jié)59-60
• 第五章 論文總結60-62
• 參考文獻62-76
• 在學位期間發(fā)表的學術成果及獲獎情況76-77
• 致謝77

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