目的篩選并驗(yàn)證RAW264. 7細(xì)胞中電穿孔轉(zhuǎn)染TRIB3過表達(dá)質(zhì)粒和TRIB3 siRNA的條件,建立適用于RAW264. 7細(xì)胞的最佳電穿孔轉(zhuǎn)染方案。方法通過改變脈沖電壓、脈沖時(shí)長(zhǎng)和質(zhì)粒濃度等條件,將載體為p CMV6-Entry的TRIB3過表達(dá)質(zhì)粒和TRIB3 siRNA轉(zhuǎn)入RAW264. 7細(xì)胞,24 h后相差顯微鏡觀察細(xì)胞形態(tài),CCK-8法檢測(cè)細(xì)胞存活率,72 h后Western Blot法檢測(cè)TRIB3蛋白表達(dá)以驗(yàn)證目的基因表達(dá)改變情況。結(jié)果 (1)以不同脈沖電壓轉(zhuǎn)染時(shí),110和120 mV組細(xì)胞形態(tài)和存活率與對(duì)照組無差異,130和140 mV組懸浮細(xì)胞較多、細(xì)胞存活率顯著低于對(duì)照組(P<0. 01),120、130和140 mV組TRIB3蛋白表達(dá)顯著增加(P<0. 05);(2)以不同脈沖時(shí)長(zhǎng)進(jìn)行轉(zhuǎn)染時(shí),10和20 ms組細(xì)胞形態(tài)和存活率與對(duì)照組無差異,30 ms組細(xì)胞存活率顯著低于對(duì)照組(P<0. 01),20和30 ms組TRIB3蛋白表達(dá)顯著增加(P<0. 01);(3)以不同質(zhì)粒濃度進(jìn)行轉(zhuǎn)染時(shí),2和4μg組細(xì)胞形態(tài)和存活率與對(duì)照組無差異...

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【文章目錄】：
1 材料與方法
    1.1 材料
        1.1.1 實(shí)驗(yàn)材料
        1.1.2 主要儀器
    1.2 方法
        1.2.1 質(zhì)粒構(gòu)建與純化
        1.2.2 RAW264.7細(xì)胞培養(yǎng)
        1.2.3 電穿孔轉(zhuǎn)染
        1.2.4 CCK8法檢測(cè)細(xì)胞存活率
        1.2.5 TRIB3蛋白表達(dá)檢測(cè)
    1.3 統(tǒng)計(jì)學(xué)分析
2 結(jié)果
    2.1 不同脈沖電壓對(duì)細(xì)胞形態(tài)、存活率和目的基因表達(dá)的影響
    2.2 脈沖電壓恒定時(shí)不同脈沖時(shí)長(zhǎng)對(duì)細(xì)胞形態(tài)、存活率和目的基因表達(dá)的影響
    2.3 電壓和電擊時(shí)長(zhǎng)恒定時(shí)不同質(zhì)粒濃度對(duì)細(xì)胞形態(tài)、存活率和目的基因表達(dá)的影響
    2.4 電壓和電擊時(shí)長(zhǎng)恒定時(shí)不同TRIB3 siRNA濃度對(duì)細(xì)胞形態(tài)、存活率和目的基因表達(dá)的影響
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