【摘要】：目的：研究放射性腦損傷不同時期MR灌注成像的變化規(guī)律以及病理學表現(xiàn),探討相對腦血容量(rCBV)與血管內皮生長因子(VEGF)表達水平之間的相關性。 材料與方法：將30只成年大鼠隨機分為對照組和照射組。對照組不予以照射。照射組采用6Mev電子線行20Gy單次全腦照射,對照組和照射組照射后1個月、3個月、6個月、9個月、12個月均行MR平掃和MR灌注成像檢查。MR檢查完畢后,立即斷頭取腦,制作病理切片,行HE染色、血管內皮生長因子(VEGF)免疫組化染色及電鏡檢查。MR灌注成像測量大鼠雙側側腦室周圍腦白質的rCBV、MTT、TTP值；免疫組化染色測量VEGF吸光度值；HE染色觀察血管的形態(tài)、結構及密度情況；電鏡下觀察血管腔、基底膜等微細結構的變化。 結果：①大鼠全腦照射后,隨著時間的推移,照射區(qū)rCBV及VEGF值呈逐漸下降趨勢,MTT及TTP值呈逐漸上升趨勢。 ②照射后1個月組rCBV、MTT及TTP數值與對照組相比,差異均無統(tǒng)計學意義(P0.05)；自3個月起,rCBV值逐漸下降,MTT、TTP值逐漸升高,與對照組相比,差異均有統(tǒng)計學意義(P0.05)。 ③照射后1個月組VEGF吸光度值與對照組相比,差異無統(tǒng)計學意義(P0.05)；自3個月起,VEGF吸光度值逐漸下降,差異均有統(tǒng)計學意義(P0.05)。 ④rCBV與VEGF之間呈顯著的正相關(r=0.94),線性相關具有統(tǒng)計學意義(P0.05)。 結論： MR灌注成像可以間接地反映腦照射后腦組織放射性損傷的病理生理改變；VEGF表達可直接反映腦照射后腦組織放射性損傷的病理生理改變。rCBV與VEGF呈正相關,即腦照射后VEGF表達減低,血管密度減低,局部血流灌注減少,導致rCBV值下降。VEGF表達降低在放射性腦損傷的發(fā)病機制中發(fā)揮著關鍵作用。
【學位授予單位】：青島大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2014
【分類號】：R739.91;R445.2

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