本文關鍵詞：微電子所，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

url:,id:0

近日，中國科學院微電子研究所科研成果——銦鎵砷（ingaas）mosfet射頻開關芯片被國際半導體雜志semiconductortoday進行了專題報道。

高遷移率ingaasmosfet是在ingaashemt器件的基礎上引入高k介質金屬柵技術發(fā)展起來的新一代半導體器件，被國際學術界和半導體產業(yè)界認為是延展摩爾定律至5納米節(jié)點的主要技術選擇。微電子所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心研究員劉洪剛課題組長期致力于ingaasmosfet器件及其應用研究，在國家科技重大專項、“973”計劃、國家自然科學基金等多項國家級課題的支持下，先后在量子阱溝道設計、高k介質與界面態(tài)控制、關鍵工藝與硅基異質集成、器件模型與電路模擬等方面取得重要進展，相關成果已成功應用于面向4g/5g移動通信的射頻開關芯片的研究。課題組研制的ingaasmosfet射頻開關芯片，在移動通信頻段表現出優(yōu)越的射頻開關特性，在0.1-3ghz無線通信頻段內插入損耗為0.27-0.49db，，隔離度達到35-68db，比傳統(tǒng)ingaashemt射頻開關具有更高的射頻輸出功率和功率附件效率。該特性使ingaasmosfet技術在5g智能手機與高速wifi中具有廣闊的應用前景。

報道鏈接

射頻開關器件和平面圖與單管剖面圖

[責任編輯:yfs001]

  本文關鍵詞：微電子所，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。