1 硅微電子技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

　　硅（Si）材料作為當(dāng)前微電子技術(shù)的基礎(chǔ)，預(yù)計(jì)到本世紀(jì)中葉都不會(huì)改變。

　　從提高硅集成電路（ICs）性能價(jià)格比來(lái)看，增大直拉硅單晶的直徑，仍是今后硅單晶發(fā)展的大趨勢(shì)。硅ICs工藝由8英寸向12英寸的過(guò)渡將在近年內(nèi)完成。預(yù)計(jì)2016年前后，18英寸的硅片將投入生產(chǎn)。

　　從進(jìn)一步縮小器件的特征尺寸，提高硅ICs的速度和集成度看，研制適合于硅深亞微米乃至納米工藝所需的超高純、大直徑和無(wú)缺陷硅外延片會(huì)成為硅材料發(fā)展的主流。

　　2 硅基高效發(fā)光研究取得突破進(jìn)展

　　· 硅基光電集成一直是人們追求的目標(biāo)，其中如何提高硅基材料發(fā)光效率是關(guān)鍵。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期努力，2003年在硅基異質(zhì)結(jié)電注入高效發(fā)光和電泵激射方面的研究獲得了突破性進(jìn)展，這使人們看到了硅基光電集成的曙光。

　　· 另外，隨著在大尺寸硅襯底上高質(zhì)量GaAs外延薄膜的生長(zhǎng)成功，向硅基光電混合集成方向也邁出了重要的一步！

　　3 量子級(jí)聯(lián)激光材料與器件研究取得進(jìn)展

　　量子級(jí)聯(lián)激光器是單極性器件，原則上不受能帶結(jié)構(gòu)所限，是理想的中、遠(yuǎn)紅外光源，在自由空間通信、紅外對(duì)抗、遙控化學(xué)傳感、高速調(diào)制器和無(wú)線光學(xué)連接等方面有著重要應(yīng)用前景。

　　4 寬帶隙半導(dǎo)體材料與器件

　　第三代（高溫、寬帶隙）半導(dǎo)體材和器件，主要指的是III族氮化物，碳化硅（SiC），氧化鋅（ZnO）和金剛石等，它們不僅是研制高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導(dǎo)體微電子器件、電路的理想材料，而且III族氮化物和ZnO等還是優(yōu)異的短波長(zhǎng)光電子材料。

　　· 在通信、汽車、航空、航天、石油開(kāi)采、全色大屏幕顯示、全固態(tài)白光照明、超高密度光存儲(chǔ)讀寫光源和海底光通信以及國(guó)防等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，是目前國(guó)際高技術(shù)研發(fā)的重點(diǎn)領(lǐng)域。

　　5  納米（低維）半導(dǎo)體材料與量子器件

　　· 納米（低維）半導(dǎo)體材料，通常是指除體材料之外的二維超晶格、量子阱材料，一維量子線和零維量子點(diǎn)材料，是自然界不存在的人工設(shè)計(jì)、制造的新型半導(dǎo)體材料。MBE、MOCVD技術(shù)和微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用，為實(shí)現(xiàn)納米半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、制備和量子器件的研制創(chuàng)造了條件。

　　· 目前，以GaAs、InP為代表的晶格匹配或應(yīng)變補(bǔ)償?shù)某Ц�、量子阱材料體系已發(fā)展得相當(dāng)成熟，并成功地用于制造微電子和光電子器件與電路。目前發(fā)展的方向是研制光電集成芯片材料和器件，以滿足新一代光纖通信和智能光網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的需求。

　　6 其它信息功能材料與器件研究進(jìn)展

　　信息存儲(chǔ)材料和器件：

　　· 磁記錄材料仍是目前最重要的存儲(chǔ)材料，預(yù)計(jì)到2006年左右，磁性材料中磁記錄單元的尺寸將達(dá)到其記錄狀態(tài)的物理極限（100Gb/in2）。

　　· 應(yīng)用光存儲(chǔ)技術(shù)，其存儲(chǔ)密度可隨光波波長(zhǎng)的變短而得到成倍的增長(zhǎng)，但光存儲(chǔ)技術(shù)的面密度也已接近光學(xué)衍射極限。

　　· 探索尋找可實(shí)用的海量光存儲(chǔ)新材料和發(fā)展諸如三維光存儲(chǔ)技術(shù)、全息光存儲(chǔ)技術(shù)和近場(chǎng)光存儲(chǔ)等是目前的主攻方向。