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半導體信息

刊名：半導體信息

SemiconductorInformation

主辦：中國電子科技集團公司第五十五研究所

周期：雙月

出版地：江蘇省南京市

語種：中文;

開本：16開

曾用刊名：半導體信息報

創(chuàng)刊時間：1990

《半導體信息》常見論文發(fā)表范例：

工信部與廣東簽署共建OLED產(chǎn)業(yè)示范基地合作協(xié)議章從福;

9項半導體照明行業(yè)標準2010年1月1日正式實施劉廣榮;

洛陽中硅2000噸級多晶硅示范項目通過驗收劉廣榮;

正泰太陽能在溫州投資20億元建240兆瓦非晶項目劉廣榮;

阿特斯陽光電力建成常熟市首個屋頂并網(wǎng)光伏電站項目章從福;

業(yè)界GaN功率器件開發(fā)動向?qū)O再吉;

磁性半導體研究取得突破性進展江興;

海力士封裝項目通過發(fā)改委核準章從福;

高通與臺積電合作28奈米芯片2010年中投產(chǎn)章從福;

AgilentInfiniium9000系列榮膺EDNChina最佳測試與測量產(chǎn)品創(chuàng)新獎江興;

英飛凌科技公司推出超小體積的高能效VDSL和ADSL解決方案章從福;

英特爾發(fā)布新一代凌動芯片能耗僅為5.5瓦章從福;

三菱電機工程師在高頻電路設(shè)計中力推X參數(shù)孫再吉;

中芯國際制造工藝延伸至40納米江興

JFE技研推出硅晶圓及涂層膜的膜厚分布測量裝置可同時測量顯示150萬點的膜厚分布章從福;

世界最小半導體激光器得到驗證韓瀟;

波長515nm的綠色InGaN激光器孫再吉;

500V功率MOSFET章從福;

富士電機器件技術(shù)公司開發(fā)車載功率器件孫再吉;

韓國三星研發(fā)新型CMOS傳感器孫再吉;

美韓科學家制成世界上首個分子晶體管劉廣榮;

英特爾22nm制程技術(shù)研究動態(tài)孫再吉;

西安炬光科技推出波長1550nm的單管半導體激光器江興;

基于量子點的高功率半導體薄片激光器江興;

175°C下工作的CMOS處理器孫再吉;

中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟成立劉廣榮;

大日本印刷開發(fā)可將以引線鍵合封裝的裸芯片內(nèi)置于底板的技術(shù)章從福;

縱向生長硅納米線技術(shù)韓瀟;

IMEC推出新型硅基GaN結(jié)構(gòu)韓瀟;

SiGe半導體發(fā)布高集成度前端模塊江興;

IR推出汽車級絕緣柵雙極晶體管劉廣榮;

業(yè)界SiC功率器件開發(fā)動向?qū)O再吉;

飛兆半導體MicroFET采用薄型封裝瞄準電池充電和功率多工應(yīng)用章從福;

ADI公司新推26款高速ADC產(chǎn)品,擴充其低功耗數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合江興;

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