為了探究空心蓮子草對陽生和陰生環(huán)境的適應性,對兩種光環(huán)境下空心蓮子草葉片快速葉綠素熒光誘導動力學進行了分析。結果表明,兩種光環(huán)境下的空心蓮子草葉片快速葉綠素熒光誘導動力學曲線(OJIP曲線)存在明顯差異,但其PI_ABS卻無差異。陽生環(huán)境下的空心蓮子草具有相對較高的Sm、ψ_o、φ_Do、φ_Ro、ETo/RC、DIo/RC和REo/RC。而陰生環(huán)境下的空心蓮子草則具有相較高的TRo/RC、RC/CS、ABS/CS和TRo/CS。這表明,陽生環(huán)境下的空心蓮子草可通過增大PQ庫容量和PSI活性來提高光合電子傳遞鏈的電子傳遞效率,并增強熱耗散能力以消耗過量吸收光能,從而防御了強光對光合機構的傷害;而陰生環(huán)境下,空心蓮子草可通過增加單位面積中反應中心數(shù)量來增強對弱光的吸收與利用能力。

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圖1陰生和陽生環(huán)境下空心蓮子草葉片OJIP曲線和性能指數(shù)的比較

由圖1可知，陽生環(huán)境下空心蓮子草葉片的葉綠素熒光值明顯低于陰生環(huán)境下的植株，兩者間的OJIP曲線存在顯著差異；然而兩者間的PIABS卻無差異。2.2對PSII受體側的影響

圖2陰生和陽生環(huán)境下空心蓮子草葉片比活性參數(shù)的比較

對于單位有活性的PSII反應中心而言，兩種光環(huán)境下空心蓮子草葉片的ABS/RC并沒有明顯區(qū)別，但陽生環(huán)境下空心蓮子草葉片具有比陰生環(huán)境下植株更高的ETo/RC、DIo/RC和REo/RC，而陰生環(huán)境下的空心蓮子草則具有較高的TRo/RC（圖2A）。對于單位葉片面積而言，陰生環(huán)境下....

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