本文關(guān)鍵詞：材料制備原理，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

文檔名稱：薄膜材料制備原理、技術(shù)及應(yīng)用知識(shí)點(diǎn).doc

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文檔介紹：薄膜材料制備原理、技術(shù)及應(yīng)用知識(shí)點(diǎn)名詞解釋1.氣體分子的平均自由程:自由程是指一個(gè)分子與其它分子相繼兩次碰撞之間，經(jīng)過(guò)的直線路程。對(duì)個(gè)別分子而言，自由程時(shí)長(zhǎng)時(shí)短，但大量分子的自由程具有確定的統(tǒng)計(jì)規(guī)律。氣體分子相繼兩次碰撞間所走路程的平均值。2.物理氣相沉積（PVD）：物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體(或等離子體)過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發(fā)展到目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。3.化學(xué)氣相沉積（CVD）：化學(xué)氣相沉積(Chemicalvapordeposition，簡(jiǎn)稱CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過(guò)程。4.等離子體鞘層電位：等離子區(qū)與物體表面的電位差值ΔVp即所謂的鞘層電位。在等離子體中放入一個(gè)金屬板，由于電子和離子做熱運(yùn)動(dòng)，而電子比離子的質(zhì)量小，熱速度就比離子大，先到達(dá)金屬板，這樣金屬板帶上負(fù)電，板附近有一層離子，于是形成了一個(gè)小局域電場(chǎng)，該電場(chǎng)加速了離子，減速電子，最終穩(wěn)定了以后，就形成了鞘層結(jié)構(gòu)，該金屬板穩(wěn)定后具有一個(gè)電勢(shì)，稱為懸浮電位。5.濺射產(chǎn)額：即單位入射離子轟擊靶極濺出原子的平均數(shù)，與入射離子的能量有關(guān)。6.自偏壓效應(yīng)：在射頻電場(chǎng)起作用的同時(shí)，靶材會(huì)自動(dòng)地處于一個(gè)負(fù)電位下，導(dǎo)致氣體離子對(duì)其產(chǎn)生自發(fā)的轟擊和濺射。7.磁控濺射：在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場(chǎng)，借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來(lái)增強(qiáng)

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