本文關鍵詞：固體電子學研究與進展，由無憂論文網(wǎng)整理發(fā)布。

【雜志簡介】
《固體電子學研究與進展》是南京電子器件研究所主辦的全國性學術期刊（雙月刊），向國內(nèi)外公開發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創(chuàng)新性學術研究�？堑膬�(nèi)容為：無機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術、固體光電和電光轉換、有機發(fā)光器件（OLED）和有機微電子技術、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學技術報告和學術論文，論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。
在科技期刊評審中，《固體電子學研究與進展》多次獲得部屬電子優(yōu)秀期刊獎，獲江蘇省第一屆、第二屆、第三屆、第四屆優(yōu)秀期刊獎和第二屆華東地區(qū)優(yōu)秀期刊獎。
1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目總覽》列為相關專業(yè)的中文核心期刊，被中國科學院文獻情報中心列為科技核心期刊。
本刊已列為國家科技部中國科技論文統(tǒng)計源期刊，被認定為《中國科學引文數(shù)據(jù)庫》來源期刊、《中國學術期刊綜合評介數(shù)據(jù)庫》全文收錄期刊，已載入《電子科技文獻數(shù)據(jù)庫》和《中國工程技術電子信息網(wǎng)》，已被《中國學術期刊（光盤）》和《中國期刊網(wǎng)》全文收錄，已進入萬方數(shù)據(jù)資源系統(tǒng)ChianInfo數(shù)字化期刊群。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
信息產(chǎn)業(yè)部2001-2002年優(yōu)秀期刊
中國期刊方陣“雙效”期刊
江蘇省第六屆優(yōu)秀期刊
國外數(shù)據(jù)庫收錄：美國化學文摘
【欄目設置】
設有“學術論文”、“研究報告”、“研究簡訊”、“會議報道”等欄目。
【投稿須知】
1、來稿要求主題突出，論據(jù)充分，內(nèi)容新穎、創(chuàng)新、實用。來稿采用A4幅面，5號字體，每頁40行，每行大約39個漢字，來稿控制在6頁以內(nèi)。建議作者同時介紹一下論文的工作背景、原創(chuàng)性、先進性與指導意義。
2、標題（中、英文對照）：中文標題控制在20個漢字以內(nèi)；英文標題最多為400個字符。
3、作者姓名（中文、漢語拼音對照）：作者姓名漢語拼音的寫法為姓在前、名在后，姓氏的全部字母均大寫，名字的首字母大寫。
4、作者單位（中、英文對照）：作者單位需給出所有作者的工作單位全稱、所在省、市及郵政編碼，英文部分還應在郵編之后加上國別代碼“CHN”。
5、摘要（中、英文對照）：摘要應能反映文章主要內(nèi)容，應能給讀者關于文章內(nèi)容的足夠信息，它包括研究的目的、方法、結果和結論。有關論文的背景信息、作者過去的研究及將來的計劃和工作意義都不應在摘要中出現(xiàn)。中文摘要不超過300個漢字；英文摘要不超過150個單詞（含介詞），不出現(xiàn)“It is reported，Extensive investigotion shows that …”詞句。
6、關鍵詞（中、英文對照3-8個）：中文關鍵詞應使用中文全稱，盡量不采用英語縮略語。中、英文各關鍵詞之間用分號隔開。在中、英文關鍵詞的下方分別給出論文的中圖分類號與EEACC(或PACC)。
7、基金項目：在正文首頁下方，按照國家有關部門規(guī)定的正式名稱寫明基金項目，并在圓括號內(nèi)注明其項目編號。多項基金項目應依次列出，其間用分號隔開。
8、聯(lián)系作者：在正文首頁下方，給出第一作者或聯(lián)系人的E-mail，如第一作者為研究生，宜將導師作為聯(lián)系人。
9、插圖與表格：應安排在文中的相應位置，圖表均應清晰可辨。圖題、表題需中、英文對照，圖、表內(nèi)的中文詞均改為英文，插圖�？刂圃�10幅以內(nèi)。
10、參考文獻：按文中引用次序排列（引用處應加上角碼（[  ]），按GB/T7714-2005著錄，順序為：
a.期刊：作者.篇名（文題）[J].期刊名稱，出版年；卷號（期號）：起止頁
b.專著：作者.書名[M].出版地：出版者，出版年；起止頁
c.會議錄、論文集：作者.文題 [C].文集編者. 會議錄或論文集名，，出版地：
出版者，出版年；起止頁
d.學位論文：作者.文題 [D]. 學位授予單位，編號或縮微制品序號，年份
文獻中作者項：姓在前、名在后，去縮寫點；3人以下應全列出，4人以上則只列出3人后再加上“等”（et al.）。
11、作者簡介：文稿最后應有作者簡介及電子版照片（限3位），內(nèi)容包括：姓名、性別、出生年月、職稱或職務、學歷、現(xiàn)從事何種研究。
12、文稿中使用的名詞術語、符號、計量單位要前后一致，符合國家有關標準（SI單位）。文中專業(yè)符號、大小寫、英文與希臘文和正、斜體都要標寫清楚，用作上下角的字母、數(shù)碼和符號，其高低層次分明。
13、來稿不得涉及國家機密，涉及者應有單位證明。來稿請寫明詳細地址（郵政編碼）及聯(lián)系人和電話號碼，有電子郵件信箱的也請留下信箱地址。來稿切勿一稿多投。來稿無論錄用與否，本刊均會通知作者。
14、為適應我國信息化建設，擴大本刊及作者知識信息交流渠道，本刊已被《中國學術期刊網(wǎng)絡出版總庫》及CKNI系列數(shù)據(jù)庫收錄，其作者文章著作權使用費與本刊稿酬一次性給付。免費提供作者文章引用統(tǒng)計分析資料。如作者不同意文章被收錄，請在來稿時向本刊說明，本刊將作適當處理。
【雜志范例】

2015年04期
1 氧等離子體處理對薄勢壘增強型AlGaN/GaN HEMT的影響  王哲力;周建軍;孔月嬋;孔岑;董遜;楊洋;陳堂勝;  307-310+345
2 短溝道三材料柱狀圍柵MOSFET的解析模型  趙青云;于寶旗;蘇麗娜;顧曉峰;  311-316+365
3 柱形量子點中量子比特的消相干時間  姜福仕;李巖;  317-320
4 S波段280W GaN內(nèi)匹配功率管的設計與實現(xiàn)  姚實;唐世軍;任春江;錢峰;  321-324+391
5 L波段高增益功放模塊設計  楊斌;林川;高群;  325-328
6 應用于IEEE 802.11 ac的高線性InGaP/GaAs HBT功率放大器  鄭耀華;鄭瑞青;林俊明;陳思弟;章國豪;  329-333
7 基于HBT工藝的北斗手持終端功率放大器設計  陳思弟;鄭耀華;章國豪;  334-339
8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J類功率放大器  鄭瑞青;鄭耀華;章國豪;  340-345
9 WIFI用砷化鎵多功能收發(fā)芯片設計與實現(xiàn)  李娜;葉建軍;楊磊;  346-351
10 一種高集成射頻接收前端  黃貞松;宋艷;許慶;楊磊;  352-356
11 X波段8路波導功分器/合成器  周巧儀;崔富義;馬福軍;  357-359+397
12 基于階梯阻抗諧振器的雙頻微帶帶通濾波器設計  李紫怡;楊維明;朱星宇;彭菊紅;張偉;  360-365
13 圖形化襯底對GaN基LED電流與發(fā)光特性的影響  李麗莎;閆大為;管婕;楊國鋒;王福學;肖少慶;顧曉峰;  366-370
14 高壓LDMOS擊穿電壓退化機理研究  金鋒;徐向明;寧開明;錢文生;王惠惠;鄧彤;王鵬飛;張衛(wèi);  371-376
15 紅外讀出電路中低功耗列讀出級電路的設計  沈玲羽;龐屹林;范陽;夏曉娟;吉新村;郭宇鋒;  377-382
16 TVS二極管標稱參數(shù)與靜電放電防護能力研究  郭瑤;徐曉英;葉宇輝;高兵生;  383-387
17 高平整度GaN HEMT歐姆接觸工藝  陳韜;蔣浩;陳堂勝;  388-391
18 蓋板結構對外殼密封可靠性影響的有限元分析  郭懷新;程凱;胡進;王子良;  392-397
19 低溫共燒陶瓷共燒焊盤可焊接性研究  嚴蓉;戴雷;曹常勝;  398-402
20 鋁合金微波組件激光密封技術研究  田飛飛;陳以鋼;汪宇;周亞;  403-408

2015年03期
1 GaN HFET中的陷阱和局域電子氣  薛舫時;  207-216
2 GaN HEMT微波功率管直流和射頻加速壽命試驗  楊洋;徐波;賈東銘;蔣浩;姚實;陳堂勝;錢峰;  217-220+252
3 100A/1200V Si/SiC混合模塊對比研究（英文）  曹琳;王富珍;  221-226
4 平面石墨烯納米帶隧穿場效應管理論設計  趙磊;呂亞威;常勝;王豪;黃啟俊;何進;  227-230+240
5 基于憶阻器的Simulink模型及其特性分析  段飛騰;崔寶同;  231-235
6 0.15μm Y型柵高In溝道GaAs PHEMT低噪聲器件設計  韓克鋒;黃念寧;吳少兵;秦桂霞;  236-240
7 帶數(shù)字驅動的高集成2～18GHz時延放大多功能MMIC  潘曉楓;李建平;李小鵬;彭建業(yè);  241-245
8 SOI和pHEMT雙刀五擲開關對比設計與實現(xiàn)  張志浩;黃亮;余凱;章國豪;  246-252
9 一種UHF RFID標簽低功耗物理設計與實現(xiàn)  王成龍;張萬榮;萬培元;祝雪菲;王樹甫;  253-258
10 超小型、高性能L波段LTCC濾波器設計  祁高品;  259-262
11 一種毫米波表貼型外殼的微波設計  李永彬;龐學滿;胡進;王子良;程凱;  263-266
12 一種提高硅基OLED微顯示器對比度的像素電路  楊淼;張白雪;陳建軍;曹允;  267-271+283
13 新型圖形化三埋層SOI LDMOS高壓器件  高迎霞;孫秀婷;盧智嘉;孟納新;  272-276
14 適用于兩級流水線逐次逼近型模數(shù)轉換器的LMS校準算法（英文）  郭東東;程旭;曾曉洋;  277-283
15 面向AD9222的SPI模塊設計  周雪榮;葉凡;任俊彥;  284-288+295
16 基于無源RFID的集成加速度傳感器設計  劉茂旭;何怡剛;鄧芳明;陳歡;李得民;  289-295
17 基于DSP和FPGA的短波功放數(shù)字預失真算法實現(xiàn)  郭雅琴;葉焱;劉太君;李先印;程琪榕;  296-299
18 芯片粘接空洞的超聲檢測工藝研究  周慶波;王曉敏;  300-305
19 征稿啟事   306
20 芯片級原子鐘堿金屬吸收泡  黃旼;朱健;石歸雄;曹遠洪;王文軍;  307

2013年 第3期目錄
寬禁帶半導體
(205)GaN HFET溝道層中的慢輸運電子態(tài)和射頻電流崩塌
薛舫時
(211)氮鈍化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究
劉沙沙 秦福文 朱巧智 劉冰冰 湯斌 王德君
(215)0.15μm GaN HEMT及其應用
任春江 陶洪琪 余旭明 李忠輝 王泉慧 王雯 陳堂勝 張斌
(220)4500V碳化硅肖特基二極管研究
黃潤華 李理 陶永洪 劉奧 陳剛 李赟 柏松 栗銳 楊立杰 陳堂勝
(224)高壓SiC JFET研究進展
陳剛 柏松 李赟 陶然 劉奧 楊立杰 陳堂勝
器件物理與器件模擬
(228)非對稱HALO-LDD摻雜石墨烯納米條帶場效應管的電學特性研究
蔣嗣韜 肖廣然 王偉
(237)量子環(huán)中電子的激發(fā)能量和躍遷譜線頻率
姜福仕 趙翠蘭
射頻與微波
(240)高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技術
林罡 陳堂勝
(244)高效率高線性度功率放大器的設計與實現(xiàn)
南敬昌 方楊 李厚儒
(249)Ka波段上變頻組件設計
孔斌 陳俊羽 詹銘周 趙偉 徐銳敏
(254)一種具有溫度補償?shù)膶拵MOS可變增益放大器
黃杏麗 秦希 秦亞杰 黃煜梅 洪志良
(260)一種共面波導饋電的超寬頻天線研究
吳毅強 胡少文 張燁 羅斌 周輝林
(F0003)51級E／D模A1GaN／GaNHEMT集成環(huán)形振蕩器
孔月嬋 周建軍 孔岑 董遜 張有濤 陸海燕 陳堂勝
射頻與微波
(266)9～11GHz數(shù)字控制LC振蕩器
劉雋人 江晨 黃煜梅 洪志良
(271)應用于全數(shù)字發(fā)射機的射頻信號發(fā)生器
馬志威 趙陽 彭振飛 劉洋 洪志良
材料與工藝
(276)退火時間對SiC熱解法制備石墨烯薄膜的影響
李赟 尹志軍 趙志飛 朱志明 陸東賽 李忠輝
(280)低漏電、高擊穿電容的HDPCVD工藝研究
劉海琪 王泉慧 栗銳 任春江 陳堂勝
硅微電子學
(284)0.18μm RF CMOS雙向可控硅ESD防護器件的研究
柯逸辰 梁海蓮 顧曉峰 朱兆旻 董樹榮
(289)具有T型電荷補償區(qū)的橫向超結SOILDMOS
王文廉
(294)應用于片上ESD防護中新式直通型MOS觸發(fā)SCR器件的研究
鄭劍鋒 馬飛 韓雁 梁海蓮 董樹榮 吳健
(300)一種適用于MEMS麥克風的新型恒壓電荷泵設計
張文杰 楊鳳 段杰斌 謝亮 金湘亮

2014年1期

1 磁場對二維量子點兩電子系統(tǒng)自旋極化態(tài)能級的影響  烏云其木格;辛偉;額爾敦朝魯;  1-5    

2 柱形量子點中強耦合極化子的性質(zhì)  馬新軍;姜福仕;  6-8    

3 有機薄膜晶體管直流電流-電壓模型研究  張玲瓏;滕支剛;鐘傳杰;  9-12+28    

4 Ⅲ-Ⅴ族HBT小信號模型直接提取方法  王儲君;錢峰;項萍;鄭惟彬;  13-17    

5 RTD串聯(lián)電阻和峰值電壓隨溫度變化的測量與分析  郭維廉;郭琦鵬;謝生;管坤;趙帆;張世林;王伊鈿;毛陸虹;  18-23    

6 用于DRFM的4 bit相位量化DAC  張敏;張有濤;李曉鵬;陳新宇;楊磊;  24-28    

7 E/D GaAs PHEMT多功能MMIC設計  劉石生;彭龍新;潘曉楓;沈宏昌;  29-34+40    

8 一種新型有源預失真單片集成電路設計  張奇;王文斌;陶洪琪;張斌;  35-40    

9 S波段150W GaN內(nèi)匹配功率放大器  楊興;鐘世昌;錢峰;  41-45    

10 RF LDMOS器件與高效率功率放大器設計  鄭云飛;王一哲;張小苗;羅玲;曾大杰;宋賀倫;  46-49    

11 一種低功耗全差分交叉耦合環(huán)形振蕩器設計  程凱;賴松林;程樹英;林培杰;章杰;  50-55    

12 2014年《固體電子學研究與進展》征訂通知   55    

13 X波段低相噪細步進頻率合成器的研制  王川宇;潘碑;丁玉寧;  56-59    

14 基于分頻器的開關濾波器組件的設計  魏然;朱臣偉;錢興成;  60-64    

15 用于多模多頻射頻前端的單刀八擲SOI天線開關設計  陳磊;趙鵬;崔杰;康春雷;史佳;牛旭;劉軼;  65-68+100    

16 溫度對懸臂梁靜電驅動RF-MEMS開關性能的影響  張沛然;朱健;姜理利;  69-74    

17 征稿啟事   74    

18 夾斷電壓可調(diào)的高壓結型場效應管  聶衛(wèi)東;朱光榮;易法友;于宗光;  75-80    

19 1700V/100A平面型NPT-IGBT靜態(tài)特性研究  高明超;劉雋;趙哿;劉江;金銳;于坤山;包海龍;  81-85    

20 一種快速啟動低噪聲片上電源  楊少丹;陰亞東;劉韻清;  86-89  

21 一種低功耗射頻無線收發(fā)芯片基帶控制器  劉韻清;陰亞東;張玢;楊少丹;  90-94    

22 基于基準源提出的一種環(huán)路穩(wěn)態(tài)分析方法  王敏;何洋;原義棟;  95-100    

23 千瓦級LDMOS大功率器件研制  王佃利;李相光;嚴德圣;應賢煒;丁曉明;梅海;劉洪軍;蔣幼泉;  101  

2014年2期

1 短溝道雙柵MOSFET的亞閾值特性分析  朱兆旻;王睿;趙青云;顧曉峰;  101-105    

2 氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵電流輸運機制研究  焦晉平;任艦;閆大為;顧曉峰;  106-110    

3 1200V溝槽柵/平面柵場截止型IGBT短路耐量特性研究  陳天;楊曉鸞;季順黃;  111-119    

4 憶阻-電容等效憶感器的有源回轉實現(xiàn)及其特性仿真  曹新亮;  120-123+178    

5 1.21.4GHz370W硅雙極型晶體管研制  劉洪軍;王建浩;丁曉明;高群;馮忠;庸安明;嚴德圣;蔣幼泉;  124-128    

6 2.14GHzGaN-HEMT脈沖功率放大器設計  姚銀華;  129-135+191    

7 三級Doherty功率放大器的研究  南敬昌;方楊;李厚儒;  136-141    

8 基于CMOSSOI工藝的射頻開關設計  蔣東銘;陳新宇;許正榮;張有濤;  142-145+162    

9 基于階梯阻抗hair-pin諧振器的X波段振蕩器的設計  李博瓊;楊浩;路永鋼;  146-151    

10 表貼式MMIC高密度封裝外殼微波特性設計  徐利;曹坤;李思其;王子良;  152-156+196    

11 實現(xiàn)色溫自動控制的白光LED照明系統(tǒng)設計  李毓欽;陳長纓;王媛;劉平宇;魏其鋒;  157-162    

12 基于紅白藍模式色溫可調(diào)的LED照明系統(tǒng)  劉平宇;陳長纓;張浩;李毓欽;蔡蓉;  163-169    

13 征稿啟事   169    

14 嵌入式非平衡超結LDMOST  王文廉;王玉;張晉文;  170-173    

15 快閃存儲器閾值電壓分布讀取和修正方法  謝南;伍冬;劉輝;高岑岑;潘立陽;  174-178    

16 簡化4T像素結構CMOS圖像傳感器設計與實現(xiàn)  趙秋衛(wèi);李曉宇;  179-183    

17 基于101.6mm(4英寸)砷化鎵晶圓的130nm光刻工藝研究  蔡利康;彭勁松;高建峰;  184-187    

18 SF6和CHF3混合氣體各向異性刻蝕WN研究  庸安明;王佃利;蔣幼泉;  188-191    

19 低溫共燒陶瓷翹曲度改進工藝研究  嚴蓉;戴雷;曹常勝;  192-196    

20 Si腐蝕工藝的優(yōu)化  呂勇;王佃利;盛國興;蔣幼泉;  197-200  

21 基于外延層轉移的GaAs PIN與Si異構集成技術  趙巖;程偉;吳立樞;吳璟;石歸雄;黃子乾;  201  

  本文關鍵詞：固體電子學研究與進展，由無憂論文網(wǎng)整理發(fā)布。