本文關鍵詞：固體電子學研究與進展雜志，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

固體電子學研究與進展雜志社/雜志簡介 《固體電子學研究與進展》1981年創(chuàng)刊，是南京電子器件研究所主辦的全國性學術期刊（雙月刊），向國內外公開發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創(chuàng)新性學術研究。刊登的內容為：無機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術、固體光電和電光轉換、有機發(fā)光器件（OLED）和有機微電子技術、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學技術報告和學術論文，論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。 固體電子學研究與進展收錄情況/影響因子 國家新聞出版總署收錄　維普網、萬方數(shù)據(jù)庫、知網數(shù)據(jù)庫、化學文摘（網絡版）、文摘與引文數(shù)據(jù)庫收錄

1、中文核心期刊：

1992-2011年連續(xù)6屆中文核心期刊（中文核心期刊(1992)、中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2011)）

2、CSCD中國科學引文數(shù)據(jù)庫來源期刊（2013-2014年度）（含擴展版）

3、數(shù)據(jù)：MARC數(shù)據(jù)、DC數(shù)據(jù)

4、圖書館藏：國家圖書館館藏、上海圖書館館藏

5、影響因子：

截止2014年萬方：影響因子：0.182；總被引頻次：191

截止2014年知網：復合影響因子：0.259；綜合影響因子：0.174

6、固體電子學研究與進展雜志榮譽：

中國期刊方陣雙效期刊

江蘇省第六屆優(yōu)秀期刊

工信部09-10年期刊編輯質量優(yōu)秀獎

信息產業(yè)部2001-2002年優(yōu)秀期刊 固體電子學研究與進展欄目設置 器件物理、射頻器件與電路、微電子學、光電子學、半導體材料。 固體電子學研究與進展編輯部/雜志社投稿須知 1、來稿要求主題突出，論據(jù)充分，內容新穎、創(chuàng)新、實用。來稿采用A4幅面，5號字體，每頁40行，每行大約39個漢字，來稿控制在6頁以內。建議作者同時介紹一下論文的工作背景、原創(chuàng)性、先進性與指導意義。

2、標題（中、英文對照）：中文標題控制在20個漢字以內；英文標題最多為400個字符。

3、作者姓名（中文、漢語拼音對照）：作者姓名漢語拼音的寫法為姓在前、名在后，姓氏的全部字母均大寫，名字的首字母大寫。

4、作者單位（中、英文對照）：作者單位需給出所有作者的工作單位全稱、所在省、市及郵政編碼，英文部分還應在郵編之后加上國別代碼“CHN”。

5、摘要（中、英文對照）：摘要應能反映文章主要內容，應能給讀者關于文章內容的足夠信息，它包括研究的目的、方法、結果和結論。有關論文的背景信息、作者過去的研究及將來的計劃和工作意義都不應在摘要中出現(xiàn)。中文摘要不超過300個漢字；英文摘要不超過150個單詞（含介詞），不出現(xiàn)“Itisreported，Extensiveinvestigotionshowsthat…”詞句。

6、關鍵詞（中、英文對照3-8個）：中文關鍵詞應使用中文全稱，盡量不采用英語縮略語。中、英文各關鍵詞之間用分號隔開。在中、英文關鍵詞的下方分別給出論文的中圖分類號與EEACC(或PACC)。

7、基金項目：在正文首頁下方，按照國家有關部門規(guī)定的正式名稱寫明基金項目，并在圓括號內注明其項目編號。多項基金項目應依次列出，其間用分號隔開。

8、聯(lián)系作者：在正文首頁下方，給出第一作者或聯(lián)系人的E-mail，如第一作者為研究生，宜將導師作為聯(lián)系人。

9、插圖與表格：應安排在文中的相應位置，圖表均應清晰可辨。圖題、表題需中、英文對照，圖、表內的中文詞均改為英文，插圖�？刂圃�10幅以內。

10、參考文獻：按文中引用次序排列（引用處應加上角碼（[]），按GB/T7714-2005著錄，順序為：

a.期刊：作者.篇名（文題）[J].期刊名稱，出版年；卷號（期號）：起止頁

b.專著：作者.書名[M].出版地：出版者，出版年；起止頁

c.會議錄、論文集：作者.文題[C].文集編者.會議錄或論文集名，出版地：

出版者，出版年；起止頁

d.學位論文：作者.文題[D].學位授予單位，編號或縮微制品序號，年份

文獻中作者項：姓在前、名在后，去縮寫點；3人以下應全列出，4人以上則只列出3人后再加上“等”（etal.）。

11、作者簡介：文稿最后應有作者簡介及電子版照片（限3位），內容包括：姓名、性別、出生年月、職稱或職務、學歷、現(xiàn)從事何種研究。

12、文稿中使用的名詞術語、符號、計量單位要前后一致，符合國家有關標準（SI單位）。文中專業(yè)符號、大小寫、英文與希臘文和正、斜體都要標寫清楚，用作上下角的字母、數(shù)碼和符號，其高低層次分明。

13、來稿不得涉及國家機密，涉及者應有單位證明。來稿請寫明詳細地址（郵政編碼）及聯(lián)系人和電話號碼，有電子郵件信箱的也請留下信箱地址。來稿切勿一稿多投。來稿無論錄用與否，本刊均會通知作者。

14、為適應我國信息化建設，擴大本刊及作者知識信息交流渠道，本刊已被《中國學術期刊網絡出版總庫》及CKNI系列數(shù)據(jù)庫收錄，其作者文章著作權使用費與本刊稿酬一次性給付。免費提供作者文章引用統(tǒng)計分析資料。如作者不同意文章被收錄，請在來稿時向本刊說明，本刊將作適當處理。 固體電子學研究與進展同類優(yōu)質期刊(排名不分先后)

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《固體電子學研究與進展》論文發(fā)表范例  InP基RTD特性的數(shù)值模擬研究王偉 孫浩 孫曉瑋 徐安懷 齊鳴 (317)
增強型GaN絕緣柵HEMT線性電荷控制解析模型盧盛輝 杜江鋒 羅謙 于奇 周偉 夏建新 楊謨華 (323)
薄硅層階梯埋氧PSOI高壓器件新結構吳麗娟 胡盛東 張波 李肇基 (327)
超結硅鍺功率二極管電學特性的研究馬麗 高勇 王冬芳 張如亮 (333)
TaON界面層Hf基高κ柵介質Ge MOS電容特性研究鄒曉 徐靜平 張雪峰 (338)
非對稱量子點中強耦合磁極化子的性質王貴文 肖景林 (342)
雙量子環(huán)的隧穿電導和隧穿磁電阻杜堅 王素新 (346)
柵長對SOI NMOS器件ESD特性的影響恩云飛 何玉娟 羅宏偉 潘金輝 肖慶中 (350)
UTC-PD和RTD單片集成的器件模擬研究毛旭瑞 劉慶綱 宋瑞良 毛陸虹 郭維廉 (353)
一種基于微結構的GaAs HEMT的壓阻系數(shù)侯婷婷 薛晨陽 劉國文 賈曉娟 譚振新 張斌珍 劉俊 (358)
電子輻照對GaAs HBT殘余電壓與飽和電壓的影響田野 石瑞英 龔敏 何志剛 蔡娟露 溫景超 (362)
應變Si（1-x）Gex（001）空穴有效質量各向異性周春宇 劉超 宋建軍 (366)
LDMOSFET電熱耦合解析模型孫曉紅 戴文華 嚴唯敏 陳強 高懷 (370)
壓電基片上集成微通道數(shù)字微流體微混合器研究章安良 葉麗軍 費景臣 (377)
U波段小數(shù)分頻鎖相環(huán)型頻率綜合器陰亞東 郭桂良 高海軍 杜占坤 陳杰 (382)
低抖動時鐘鎖相環(huán)的一種優(yōu)化設計方法尹海豐 毛志剛 (387)
基于LTCC的Ka波段帶通濾波器的設計李殷喬 紀建華 費元春 周建明 (392)
應用于無線傳感網絡的2.4GHz低噪聲放大器路守領 韓科鋒 姜祁峰 王俊宇 (396)
便攜式UHF RFID閱讀器中發(fā)射前端電路設計徐萍 何偉 張潤曦 馬和良 賴宗聲 (402)
UHF RFID閱讀器中低噪聲△Σ小數(shù)頻率綜合器的設計何偉 徐萍 張潤曦 石春琦 張勇 陳子晏 賴宗聲 (408)
一種基于0.13μm CMOS工藝的10位SAR A/D轉換器佟星元 楊銀堂 肖艷 朱樟明 陳劍鳴 (413)
基于分形IP核的平板顯示控制器設計與應用徐美華 冉峰 陳章進 (418)
高動態(tài)范圍多功能快照式紅外讀出電路設計胡濱 趙玉江 李平 阮愛武 沈科 (425)
一種1.5V 8.3×10^-6/℃數(shù)字控制型CMOS帶隙基準電壓源鄒亮 唐長文 (431)
一種PDP掃描驅動芯片的HV-PMOS的研究和實現(xiàn)韓成功 郭清 韓雁 張斌 張世峰 胡佳賢 (436)
一種新的四模式電荷泵電路的設計與實現(xiàn)黃振杰 鄧婉玲 黃君凱 (441)
一種高效單相電源Ⅰ類線性音頻功放的設計楊姍姍 馮勇 洪志良 劉洋 (446)
一種低功耗嵌入式14位400MHz數(shù)模轉換器李亮 張惠國 陳珍海 (453)
低DNL的SAR型模數(shù)轉換器的設計裴曉敏 (458)
鋸齒型單壁碳納米管的光電性質田紅燈 王利琴 王利光 K．Tagami M．Tsukada (159)
量子阱激光器的閾值電流與腔長關系段天利 崔碧峰 王智群 沈光地 (165)
GaN HFET中的耦合溝道阱薛舫時 (169)
納米雙柵MOS器件的二維量子模擬王豪 王高峰 常勝 黃啟俊 (174)
疊層高k柵介質中遠程界面粗糙散射的理論模型張雪鋒 邱云貞 張振娟 陳云 黃靜 王志亮 徐靜平 (180)
量子環(huán)終端布局對自旋輸運的影響杜堅 (184)
量子棒中極化子聲子平均數(shù)的溫度依賴性烏云其木格 王曉昱 額爾敦朝魯 (188)
MOSFET集約模型的發(fā)展伍青青 陳靜 羅杰馨 肖德元 王曦 (192)
一種聯(lián)合設計的寬帶天線-濾波器模塊周杰美 王俊 王衛(wèi)東 (199)
一種寬帶正交振蕩器中子頻帶的精確設計方法潘杰 楊海鋼 楊立吾 (204)
MMIC用NiFe-SiO_x磁性金屬顆粒膜電感研究孔岑 李輝 張萬里 陳辰 陳效建 (208)
高性能U波段砷化鎵體效應二極管 張曉 鄧衍茂 張蕾 李熙華 王海濤 劉萍 錢剛 (212)
高線性度PHEMT達林頓放大器李曉倩 錢峰 鄭遠 (218)
全集成低噪聲CMOS寬帶分數(shù)分頻頻率綜合器柴路 閔昊 (222)
CMOS寬帶可編程增益低噪聲放大器周春媛 閔昊 (228)
單片CMOS UHF RFID閱讀器中低噪聲LC VCO的設計 何偉 徐萍 張潤曦 張勇 李彬 陳子晏 馬和良 (234)
一種新型大功率同軸Wilkinson功分器的研制王甲譽 李國民 劉新良 (240)
寬帶基片集成裂縫波導空間功率合成器駱新江 官伯然 陳宏江 吳景峰 (244)
雙頻帶通濾波器的優(yōu)化設計孟令琴 (247)
UHF RFID閱讀器中優(yōu)化小數(shù)頻率綜合器設計張潤曦 何偉 石春琦 賴宗聲 (251)
Double RESURF nLDMOS功率器件的優(yōu)化設計朱奎英 錢欽松 孫偉峰 (256)
采用有限狀態(tài)機控制的升降壓雙通路高效率電荷泵張杰 殷亮 潘姚華 嚴冬勤 吳曉波 (262)
與工藝、電源電壓和溫度無關的低功耗振蕩環(huán)設計劉祥昕 李文宏 (269)
同步整流降壓型DC-DC過零檢測電路的設計王輝 王松林 來新泉 郭寶龍 牟在鑫 (276)
一種新的應用于降壓式DC-DC變換器電流采樣電路的設計皮常明 徐翊華 周文君 王曉南 李文宏 (281)
單片集成直流-直流轉換器的效率提高方法倪金華 洪志良 劉洋 (287)
氮化鎵功率半導體器件技術張波 陳萬軍 鄧小川 汪志剛 李肇基 (1)
銻化物超晶格紅外探測器的研究進展李彥波 劉超 張楊 趙杰 曾一平 (11)
RTD表觀正阻與串聯(lián)電阻非本征雙穩(wěn)態(tài)的相關性 郭維廉 王偉 劉偉 李曉云 牛萍娟 梁惠來 張世林 (18)
新結構InGaP／GaAs／InGaPDHBT生長及特性研究艾立鹍 徐安懷 孫浩 朱福英 齊鳴 (23)
BSIM4和ULTRA—BULK模型對稱性和連續(xù)性的檢驗李博 牛旭東 宋巖 何進 林信南 (27)
應變Si／SiGe溝道功率UMOSFET的模擬分析胡海帆 王穎 程超 (32)
0．6μmMOS器件穩(wěn)態(tài)總劑量損傷效應研究羅尹虹 郭紅霞 張鳳祁 姚志斌 何寶平 岳素格 (37)
變漂移區(qū)厚度SOI橫向高壓器件的優(yōu)化設計郭宇鋒 王志功 管邦虎 (42)
電子束輻射對LED發(fā)光性能的影響于莉媛 王凡 牛萍娟 許文翠 李曉云 唐衛(wèi)東 楊斌 (47)
156GHz0．15μmGaAs Metamorphic HEMT器件研制康耀輝 高建峰 黃念寧 陳堂勝 (51)
15～17GHz高精度單片數(shù)控移相器的研制潘曉楓 沈亞 洪偉 (54)
一種砷化鎵HBT高速預分頻器的設計瞿小峰 陸科杰 栗成智 隋文泉 (59)
基于雪崩三極管的高重頻高穩(wěn)定度脈沖源研究 袁雪林 張洪德 徐哲峰 丁臻捷 俞建國 浩慶松 曾搏 (64)
內置驅動器的六位GaAsPHEMT寬帶單片數(shù)控衰減器李娜 許正榮 李曉鵬 陳新宇 (69)
基于神經網絡的RFMEMS移相器面向設計參數(shù)建模楊國輝 吳群 傅佳輝 孟繁義 張狂 (73)
11．25°毫米波數(shù)字移相器的設計劉玥玲 楊永輝 周邦華 (80)
低功耗寬帶CMOSLC—VCO設計肖時茂 馬成炎 葉甜春 (85)
一種帶有升壓電路的0．5V3GHz低功耗LCVCO設計周海峰 韓雁 董樹榮 韓曉霞 王春暉 (90)
2．4GHz可變增益CMOS低噪聲放大器設計丘聰 葉甜春 范軍 (94)
有孔圓柱介質諧振頻率的自動測試方法肖芬 彭浪 劉同贊 林賢體 (98)
連續(xù)時間型∑△調制器的系統(tǒng)級設計和建模方法張翼 葉天鳳 洪志良 劉洋 (102)
2．5W低噪聲CMOSD類音頻功放設計黃武康 周長勝 袁國順 趙海亮 (108)
10bit20MS／s流水線模數(shù)轉換器設計衛(wèi)寶躍 周玉梅 范軍 胡曉宇 陳利杰 (114)
千兆比特數(shù)據(jù)率LVDS接口電路設計矯逸書 周玉梅 蔣見花 (119)
鎖相環(huán)中電荷泵的分析與設計馬辰光 馮軍 (124)
應用于PWM降壓DC—DC變換器的高性能誤差放大器王佳 魏廷存 鄭然 高武 高德遠 (129)
一種用于LED驅動的高效電荷泵電路的設計尚林林 楊紅官 郭友洪 (134)
一種用于高精度跟蹤型RDC的壓控振蕩器徐大林 羅佳亮 廖良闖 黃慶安 (139)
基于結終端擴展的4H—SiC肖特基勢壘二極管研制張發(fā)生 李欣然 (146)
引入基態(tài)施主能級分裂的SiC基MOS電容模型戴振清 楊瑞霞 (150)
泡顯影液法T—TOP剝離工藝研究彭勁松 黃念寧 陳堂

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