量子點(diǎn)(quantum dots,QDs)為尺寸小于波爾半徑的半導(dǎo)體納米晶體,QDs具有發(fā)光光譜窄、發(fā)光峰可調(diào)、色純度高以及優(yōu)異的溶液加工性等特點(diǎn),基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管(quantum dots light-emitting diodes,QLEDs)發(fā)展迅速。QLEDs是由厚度在納米級別的薄膜組成的薄膜器件,載流子的注入與抽取、激子的復(fù)合、能量傳遞和解離等許多關(guān)鍵的載流子動力學(xué)過程均發(fā)生于QLEDs中各功能層薄膜的界面處。為了得到高效穩(wěn)定的器件,界面的能級匹配以及界面載流子動力學(xué)的研究十分重要。為了驅(qū)動大尺寸和高分辨率的顯示器,必須使用有源矩陣驅(qū)動方案。金屬氧化物薄膜晶體管(metal oxide thin film transistors,MOTFT).MOTFT具有高電子遷移率、低制造成本等優(yōu)點(diǎn)。倒裝QLEDs的陰極與n型的MOTFT的漏極能夠直接連接,降低了驅(qū)動像素的電壓,具有n型MOTFT的QLEDs是有源矩陣驅(qū)動方案QLEDs的首選。然而,大多數(shù)倒裝QLEDs是通過溶液沉積的QDs層與真空蒸鍍的空穴傳輸層結(jié)合在一起制成的。與昂貴的真空工藝相比,溶液加工工藝的解決方案經(jīng)濟(jì)高...

【文章頁數(shù)】：120 頁

【學(xué)位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 量子點(diǎn)的光電特性
        1.2.1 量子限域效應(yīng)
        1.2.2 表面效應(yīng)
        1.2.3 量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)及缺陷鈍化
        1.2.4 量子點(diǎn)的發(fā)光機(jī)理
    1.3 量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件的工作原理及發(fā)展現(xiàn)狀
        1.3.1 量子點(diǎn)發(fā)光二極管的工作原理
        1.3.2 量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及發(fā)展概述
        1.3.3 倒裝結(jié)構(gòu)QLEDs的優(yōu)勢及目前研究進(jìn)展
        1.3.4 量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件的界面問題及界面調(diào)控
    1.4 量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件效率的提高和穩(wěn)定性的研究
        1.4.1 量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管器件性能衰減的機(jī)理
        1.4.2 通過優(yōu)化QDs增加效率和穩(wěn)定性
        1.4.3 通過優(yōu)化ETL增加效率和穩(wěn)定性
        1.4.4 通過優(yōu)化HTL增加效率和穩(wěn)定性
        1.4.5 通過減少焦耳熱增加效率和穩(wěn)定性
    1.5 有機(jī)發(fā)光二極管的界面調(diào)控
        1.5.1 OLEDs的陰極界面修飾
        1.5.2 溶劑處理的界面修飾方法機(jī)理
        1.5.3 OLEDs中溶液蒸汽處理的界面修飾方法
    1.6 本論文主要研究內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)
第二章 器件制備與研究方法
    2.1 引言
    2.2 器件制備和測試所用儀器
    2.3 器件制備過程
        2.3.1 配置溶液
        2.3.2 清洗基板
        2.3.3 各功能層制備
        2.3.4 器件包封
    2.4 電致發(fā)光二極管的主要性能參數(shù)
    2.5 本章小結(jié)
第三章 全溶液加工倒裝量子點(diǎn)發(fā)光二極管
    3.1 引言
        3.1.1 全溶液加工倒裝QLEDs的技術(shù)難點(diǎn)
    3.2 實(shí)驗(yàn)材料與測試
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)制備工藝和測試方法
    3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        3.3.1 PEDOT:PSS中加入雙添加劑
        3.3.2 界面偶極層PEI
    3.4 總結(jié)
第四章 溫度及ZnO界面接觸對量子點(diǎn)載流子動力學(xué)影響
    4.1 引言
        4.1.1 表面缺陷對量子點(diǎn)的影響
        4.1.2 量子點(diǎn)載流子動力學(xué)
    4.2 實(shí)驗(yàn)材料與測試方法
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        4.2.2 器件制備及測試方法和條件
    4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
        4.3.1 溫度對輻射復(fù)合速率K_r與非輻射復(fù)合速率K_nr的影響
        4.3.2 溫度及Zn O界面接觸對界面轉(zhuǎn)移速率K_et的影響
    4.4 總結(jié)
第五章 溶液蒸汽處理在有機(jī)發(fā)光二極管中的運(yùn)用
    5.1 引言
    5.2 實(shí)驗(yàn)材料與測試
        5.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        5.2.2 實(shí)驗(yàn)制備工藝和測試方法
    5.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果討論
        5.3.1 PFSO材料體系的選擇
        5.3.2 不同極性溶劑的篩選
        5.3.3 器件性能分析
        5.3.4 器件性能提升的機(jī)理
    5.4 總結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀博士/碩士學(xué)位期間取得的研究成果
致謝
附件



本文編號：3810799