近年來光敏有機場效應晶體管（photo-responsive organic field-effect transistor,PhotOFET）作為有機光探測研究的重要分支,受到越來越多的關注。與有機光敏二極管相比,PhotOFET具有更高的靈敏度、光響應度和更低的噪聲電流。在光傳感、光探測、成像等領域具有廣闊的應用前景。相比常規(guī)單柵光敏有機場效應晶體管,雙柵光敏有機場效應管具有高增益、寬譜響應等優(yōu)勢。本文立足于大量的文獻調研,研究了一種雙柵PhotOFET,該PhotOFET可工作在獨立和協(xié)同兩種模式。實驗研究表明,相較于單柵工作,雙柵工作的PhotOFET遷移率顯著提升;雙柵PhotOFET采用同型互補雙光敏層時,器件表現(xiàn)為寬光譜響應特征;雙柵PhotOFET采用異型互補雙光敏層時,器件表現(xiàn)為雙光譜探測特征。論文的具體研究歸納為以下三個部分:（1）基于單光敏層有機場效應晶體管結構,研究了光照和黑暗條件下PhotOFET遷移率特性。器件分別采用不同活性層材料(酞菁銅（CuPc）、并五苯（pentacene）和富勒烯(C₆₀)),不同電極（金、銀、鋁和銅）,不同溝... 

【文章來源】：蘭州大學甘肅省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學位級別】：博士

【部分圖文】：

有機光探測器及應用[6,7,22]

蘭州大學博士學位論文雙柵光敏有機場效應晶體管研究2斷增長的現(xiàn)狀以及細分的應用占比。圖1-2成像領域的器件市場規(guī)模[9]當前PhotOFET的研究還處在發(fā)展階段。研究性能更高、功能更豐富、穩(wěn)定性更好的PhotOFET是現(xiàn)今的熱點[10]。這些因素啟發(fā)了我們的研究思路。本文的工作主要圍繞著PhotOFET的結構設計和功能增強而展開，研究了一種雙柵光敏有機場效應晶體管。1.2光敏有機場效應晶體管的發(fā)展簡介1.2.1有機場效應晶體管發(fā)展歷程雖然場效應晶體管概念的提出時間要早于第一支晶體管的發(fā)明時間，但當時完全實現(xiàn)這一概念的器件結構尚不夠清晰，適合制備器件的半導體材料也達不到技術要求，因此場效應晶體管的真正發(fā)展應用晚于其他固體電子器件[2]。但隨著相關科研人員對硅半導體材料（無機材料）本質認識的不斷提高，場效應晶體管器件的結構才逐漸得以實現(xiàn)，其本身潛在的性能與制備工藝也日趨完善，最終在20世紀60年代初走向真正應用[11-14]。有機場效應晶體管(orgaicfield-effecttransistor,OFET)的概念在20世紀70年代被提出[16]。當時―導電聚合物‖的發(fā)現(xiàn)震驚了整個世界[1]。隨后有機場效應晶體管的研究不斷深入，基于聚合物[18]和小分子的有機場效應晶體管漸漸出現(xiàn)在20世紀80年代[15,19]。1982年報道的聚乙炔場效應晶體管研究表明了有機場效應晶體管的可能性[16]。1985年美國化學家斯莫利與克羅托、柯爾發(fā)現(xiàn)了C60獲1996年的諾貝爾化學獎[20]。1986年Tsumura等人報道了基于聚噻吩的場效應晶體管，是最早有明顯輸出電流的有機場效應晶體管[17]。1988年報道了可溶性聚噻吩通

PhotOFET相關文獻數(shù)量統(tǒng)計


本文編號：3459345