二維半導(dǎo)體材料,如石墨烯、過渡族金屬硫化物、黑磷、氮化硼等,由于其獨(dú)特的電學(xué)以及光學(xué)特性,被廣泛地應(yīng)用于集成光電子領(lǐng)域。在這些二維半導(dǎo)體材料中,直接帶隙半導(dǎo)體黑磷填補(bǔ)了石墨烯和過渡族金屬硫化物的帶隙空白,并表現(xiàn)出各向異性的特點(diǎn),對光具有選擇性。另外,在電學(xué)上,黑磷具有較高的空穴遷移率,達(dá)1000cm²V^-1s^-1,展現(xiàn)出了優(yōu)良的晶體管特性,這一系列優(yōu)點(diǎn)掀起了基于黑磷的光電探測器件的研究熱潮。但是,在實(shí)際應(yīng)用中,由于二維半導(dǎo)體材料是一種具有原子層厚度的材料,對光的吸收很弱,這不利于光探測,因此需要設(shè)計(jì)新的器件結(jié)構(gòu)來提高黑磷與光的相互作用。眾所周知,硅波導(dǎo)技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用在光傳輸中。為了保證較低的傳輸損耗,對于常規(guī)光傳輸問題,尤其是在彎曲處,通常采用大尺寸彎曲半徑以獲得高的光傳輸效率。然而,如何在保證低的光傳輸損耗的同時(shí),縮小器件尺寸,使其利于器件集成,也是本論文重點(diǎn)解決的問題之一�？紤]到小尺寸和高傳輸效率,本論文創(chuàng)新地設(shè)計(jì)了一種基于二維半導(dǎo)體材料黑磷的光子晶體反射鏡傳輸結(jié)構(gòu),在增強(qiáng)了彎曲處的反射效率的同時(shí),更是有效的縮小了... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：121 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

二維(2D)與三維(3D)FDTD方法中用于離散電磁場的Yee元胞

3.6 不同模式下的光子晶體帶隙結(jié)構(gòu)的仿真結(jié)果。其中晶格周期 a 為 500 nm，空氣柱半為 190 nm。(a) TE 模式，(b) TM 模式圖 3.6 給出了晶格周期 a 為 500 nm，空氣柱半徑 r 為 190 nm，在不同模式下子晶體帶隙結(jié)構(gòu)的仿真結(jié)果。值得注意的是，這里只計(jì)算了幾個(gè)高度對稱的方向

采用圓傳輸線模型 (CTLM) 的器件的 SEM 圖，其中溝道間距依次為 5 μ5 μm、15 μm、20 μm，以及 30 μm。，對上述制備好的器件，采用 ICP 設(shè)備，用氧等離子體刻蝕的方

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Graphene integrated photodetectors and opto-electronic devices — a review[J]. 王肖沐,甘雪濤.  Chinese Physics B. 2017(03)



本文編號：3426297