�、�-Ⅵ族碲化物是指由Ⅳ族的Ge、Sn、Pb元素與Ⅵ族的Te構成的化合物,它們屬于窄帶隙半導體;Ⅱ-Ⅵ族碲化物則是指由Ⅱ族的Zn、Cd、Hg元素與Ⅵ族的Te構成的化合物半導體。近年來,人們一直關注Ⅳ-Ⅵ/Ⅱ-Ⅵ族碲化物半導體的拓撲性質和自旋電子學特性,這是因為SnTe、PbTe、PbSnTe、HgTe和HgCdTe等半導體具備較強的自旋軌道耦合作用,所以它們是實現(xiàn)非平庸拓撲相的絕佳材料。從技術角度來說,Ⅳ-Ⅵ/Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的生長手段成熟且多樣,這意味著人們可以獲得研究所需的高質量薄膜和各種異質結構。正是由于上述優(yōu)勢,首個拓撲絕緣體（HgTe/Hg1-xCdxTe量子阱）和拓撲晶體絕緣體（SnTe）都是在Ⅳ-Ⅵ/Ⅱ-Ⅵ族碲化物半導體或者其異質結構中實現(xiàn)的。另外,HgCdTe和PbSnTe還是十分重要的紅外探測器材料�；谝陨咸攸c,Ⅳ-Ⅵ/Ⅱ-Ⅵ族碲化物半導體及其異質結構無論是在基礎研究還是在器件應用方面都具有重要的研究價值。本文首先研究了 PbTe、CdTe、ZnTe的外延生長,獲得了高質量的薄膜和異質結構樣品。通過在PbTe中引入Te反位缺陷,實現(xiàn)了能帶反轉,然后用ARPES和S... 

【文章來源】：浙江大學浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：160 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１?（ａ）典型的１Ｖ－ＶＩ族半導體的巖鹽礦晶體結構

浙江大學博士學位論文?１緒論??５ｉ＜?ＶｅＶ＇Ｊ＇■人■??賺ｃ兼擬??＾?人丄：＾?ＨＣＰ?ＦＣＣ?Ｖ＿ＬｊＫ／??圖１．３兩種不同的堆積方式：左側紅色線框標記的是ＨＣＰ；右側藍色線框標記的是??ＦＣＣ＾ＨＣＰ的堆疊次序為ＡＢＡＢ．．．，即第三層的原子位于第一層原子的正上方；ＦＣＣ的堆??疊次序為ＡＢＣＡＢＣ．．．，即三層原子的位置都不相同［２７］。??Ｒｏｃｋ?ｓａｌｔ?Ｚｉｎｃ?ｂｌｅｎｄｅ??圖１．４ＲＳ和ＺＢ晶格沿＜１１１＞方向的原子層堆疊方式示意圖。兩種晶格結構都是由陰??離子層和陽離子層交替堆疊而成，但是ＲＳ晶格相鄰原子層間距相等，ＺＢ晶格相鄰原子層??間距有兩種。其中ｄ?＝?ａ是慣用晶胞的晶格常數(shù)。??對于巖鹽礦（ＲＳ）和閃鋅礦（ＺＢ）結構的晶體，由于晶格的基元含有兩個原子，所以??它們比基本的ＦＣＣ要復雜一些。如果沿著＜１１１＞方向觀察，我們會看到ＲＳ和ＺＢ都是由??陽離子層和陰離子層沿著＜１１１＞方向交替誰疊形成的，兩者的區(qū)別在于陽離子層和陰離子??層的相對位置不同。如圖１．４所示，ＲＳ結構（１１１）面任意一個原子層與最近鄰兩個原子層??５??

浙江大學博士學位論文?１緒論??５ｉ＜?ＶｅＶ＇Ｊ＇■人■??賺ｃ兼擬??＾?人丄：＾?ＨＣＰ?ＦＣＣ?Ｖ＿ＬｊＫ／??圖１．３兩種不同的堆積方式：左側紅色線框標記的是ＨＣＰ；右側藍色線框標記的是??ＦＣＣ＾ＨＣＰ的堆疊次序為ＡＢＡＢ．．．，即第三層的原子位于第一層原子的正上方；ＦＣＣ的堆??疊次序為ＡＢＣＡＢＣ．．．，即三層原子的位置都不相同［２７］。??Ｒｏｃｋ?ｓａｌｔ?Ｚｉｎｃ?ｂｌｅｎｄｅ??圖１．４ＲＳ和ＺＢ晶格沿＜１１１＞方向的原子層堆疊方式示意圖。兩種晶格結構都是由陰??離子層和陽離子層交替堆疊而成，但是ＲＳ晶格相鄰原子層間距相等，ＺＢ晶格相鄰原子層??間距有兩種。其中ｄ?＝?ａ是慣用晶胞的晶格常數(shù)。??對于巖鹽礦（ＲＳ）和閃鋅礦（ＺＢ）結構的晶體，由于晶格的基元含有兩個原子，所以??它們比基本的ＦＣＣ要復雜一些。如果沿著＜１１１＞方向觀察，我們會看到ＲＳ和ＺＢ都是由??陽離子層和陰離子層沿著＜１１１＞方向交替誰疊形成的，兩者的區(qū)別在于陽離子層和陰離子??層的相對位置不同。如圖１．４所示，ＲＳ結構（１１１）面任意一個原子層與最近鄰兩個原子層??５??

【參考文獻】：
期刊論文
[1]拓撲半金屬材料角分辨光電子能譜研究進展[J]. 鄧韜,楊海峰,張敬,李一葦,楊樂仙,柳仲楷,陳宇林.  物理學報. 2019(22)
[2]碲鎘汞雪崩焦平面器件[J]. 李浩,林春,周松敏,郭慧君,王溪,陳洪雷,魏彥鋒,陳路,丁瑞軍,何力.  紅外與毫米波學報. 2019(05)
[3]Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體異質結二維電子氣研究進展[J]. 馬嵩松,舒天宇,朱家旗,李鍇,吳惠楨.  物理學報. 2019(16)
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本文編號：3426206