發(fā)布時(shí)間：2021-09-09 19:29

　　β-Ga₂O₃作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅具有超寬的帶隙和高耐壓、低損耗特性,而且具有很好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,這使其在高功率器件以及日盲紫外探測(cè)器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。目前,β-Ga₂O₃材料的研究還處于初期階段,針對(duì)β-Ga₂O₃材料的制備和相關(guān)性質(zhì)研究還不夠系統(tǒng)和深入。尤其是β-Ga₂O₃薄膜質(zhì)量不高,限制了其在半導(dǎo)體器件上的應(yīng)用。此外,β-Ga₂O₃的摻雜研究進(jìn)展緩慢。雖然n型摻雜取得了一些進(jìn)展,但仍需進(jìn)一步研究以改善其電學(xué)性能,且β-Ga₂O₃的p型摻雜仍然是一個(gè)難題。本論文針對(duì)目前β-Ga₂O₃材料的研究熱點(diǎn)和難點(diǎn)問(wèn)題,采用高溫氧化物MOCVD系統(tǒng),圍繞β-Ga₂O₃薄膜和一維納米材料的生長(zhǎng)、β-Ga₂

【文章來(lái)源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：144 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【圖文】：

Ga2O3同分異構(gòu)體間的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變

β-Ga2O3晶胞結(jié)構(gòu)圖：(1)為c軸方向，(2)為a軸方向，(3)為b軸方向在這幾種同分異構(gòu)體中，研究比較多的是-GaO和β-GaO，尤其是

圖 1.3 歷年氧化鎵相關(guān)文章發(fā)表數(shù)量統(tǒng)計(jì)β-Ga2O3薄膜的研究進(jìn)展004 年，H.W. Kim 等人采用 MOCVD 工藝在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了 襯底溫度為 550 ℃。退火前后的 XRD 的測(cè)試結(jié)果如圖 1.4 所示[49]看出，未退火前薄膜呈非晶態(tài)，經(jīng) 1050 ℃退火后出現(xiàn)較多的衍射峰分別來(lái)自 -Ga2O3和 β-Ga2O3。

【參考文獻(xiàn)】：
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博士論文
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碩士論文
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