本文關鍵詞：復合鉿基高k薄膜的雙頻等離子體涂覆及機理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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復合鉿基高k薄膜的雙頻等離子體涂覆及機理研究中文摘要I復合鉿基高k薄膜的雙頻等離子體涂覆及機理研究中文摘要以硅基集成電路為核心的微電子工業(yè)正遵循著摩爾定律蓬勃發(fā)展。國際半導體技術發(fā)展規(guī)劃指出,2015年以后半導體器件將進入22 nm線寬的納電子器件時代,并將持續(xù)縮小特征尺寸。然而器件的溝道尺寸和柵介質(zhì)厚度等物理尺寸并不能無限縮小。在65 nm線寬工藝制程中,傳統(tǒng)柵介質(zhì)材料SiO2的厚度已經(jīng)接近原子間距,達到物理極限。受隧穿效應的影響,柵極漏電流開始成為一個不容忽視的問題。采用高k材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的SiO2則能有效解決上述問題,因為在具有相同等效氧化層厚度的前提下,高k柵介質(zhì)具有更大的物理厚度來限制隧穿效應的影響,防止漏電流增大和雜質(zhì)擴散。以HfO2為代表的鉿基高k薄膜因具有相對較高的介電常數(shù)、較寬的帶隙以及與Si襯底之間較大的導帶偏移(1.5 eV),成為目前備受關注、最具應用前景的新型柵介質(zhì)材料之一。但是,鉿基高k材料作為目前MOS工藝中新型柵介質(zhì)材料應用時,仍具有一定的不足之處,如HfO2在制備過程中易形成氧空位等本征缺陷、與Si襯底之間易形成界面層以及與金屬電極接觸會形成費米能級的釘扎等。如何優(yōu)化鉿基高k材料的質(zhì)量和提高鉿基柵介質(zhì)的性能,成為國內(nèi)外... 內(nèi)容來自轉(zhuǎn)載請標明出處.

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