本文關鍵詞：壓印氣體隔離及摻雜調(diào)控金屬互連電特性研究　出處：《鄭州大學》2017年碩士論文　論文類型：學位論文

  更多相關文章： 納米壓印 O-形環(huán) 氣體隔離 金屬納米顆粒 摻雜調(diào)控

【摘要】：近20年來,納米壓印技術取得了長足發(fā)展,因其高保真度、低成本、高產(chǎn)量、工藝簡單等優(yōu)良特點自2003年以來一直是國際半導體藍圖推薦的下一代圖形轉(zhuǎn)移技術備選之一。從熱塑納米壓印技術開始,逐漸開發(fā)出紫外固化納米壓印技術、卷對卷納米壓印技術,逆壓印技術,激光輔助氣壓納米壓印技術,電毛細力和電化學納米壓印技術,現(xiàn)在,金屬圖形直接轉(zhuǎn)移納米壓印技術受到青睞,激光熔融,鋒利硬掩模板壓印、假塑性金屬納米粒子流體壓印三種技術路線可以實現(xiàn)微納金屬圖形的直接轉(zhuǎn)移。氣壓輔助納米壓印在施壓均勻性方面具有明顯優(yōu)勢,項目組提出的壓縮式氣壓納米壓印利用施壓腔室體積改變的途徑均勻的對掩模板施壓,減少施壓氣流擾動,壓印均勻性進一步優(yōu)化,掩模板使用壽命有效延長。為避免施壓氣體進入到掩模板基板之間,在掩模板周邊制備O-ring結(jié)構粘合介質(zhì)流體隔離施壓氣體,工藝過程中O-ring將占用基板圓周的部分面積,因此,O-ring的結(jié)構、表觀形貌、寬度、高度等系列參數(shù)對施壓氣體隔離度、壓印工藝成本、介質(zhì)流體物理性質(zhì)等方面都具有重要影響。文章討論了O-ring寬度和上述參數(shù)之間的關系,對以后掩膜板的制造以及介質(zhì)流體的選擇具有指導意義。文章還討論了以銀納米顆粒作為介質(zhì)流體時,分散劑對實驗得到的銀顆粒分散性的影響,從而得到分散劑對銀納米顆粒線微結(jié)構導電性的影響;此外文章以其他金屬的納米顆粒(鉬,鈷,鉻,鈦,錳,鎳)為摻雜量,實驗條件下探討了摻雜金屬對銀納米顆粒線微結(jié)構導電性的影響。實驗結(jié)果表明,在摻雜了金屬顆粒后,表面形貌都不怎么好,在摻雜納米顆粒后,微結(jié)構導電性變化不大,但存在差異。此外,導電性和摻雜量之間也表現(xiàn)出密切關系。
【學位授予單位】：鄭州大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：TN405;TB383.1

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