發(fā)布時間：2024-02-22 00:09

　　根據(jù)半導體激光器有源區(qū)的結構和發(fā)光特點,可將其分為:邊發(fā)射激光器(Edge-Emitting Laser,EEL)和垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)。VCSEL的結構主要包括上、下底部多層高反射率的布拉格反射鏡(DBR)、導電限制區(qū)、有源區(qū)和半導體襯底等,激光從上底部的p-DBR面出射或下底部的襯底面出射。正是由于其特殊的內(nèi)部結構和制作工藝,導致VCSEL能夠單縱模輸出,且有閾值電流低、發(fā)散角小、耦合效率高、調(diào)制帶寬大、制作成本低、易于二維陣列集成等獨特優(yōu)點,從而成為研究的熱點內(nèi)容之一。近年來,相關研究顯示,當VCSEL受到外部擾動時,如:外部光注入、光反饋、電流調(diào)制、光電反饋等,通過適當調(diào)節(jié)相關參數(shù),能夠輸出周期態(tài)、注入鎖定、四波混頻、混沌態(tài)等復雜的現(xiàn)象;同時,由于其有源區(qū)屬于柱對稱結構,且內(nèi)部材料具有弱的各向異性的特點,而導致VCSEL在外部擾動的作用下,很容易產(chǎn)生偏振開關、偏振雙穩(wěn)等現(xiàn)象,而這些非線性動力學現(xiàn)象均已被廣泛應用于光混沌保密通信、光子微波的產(chǎn)生、光開關、光存儲、全光信息轉(zhuǎn)換、高速脈沖測距、激...

【文章頁數(shù)】：129 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

圖1.1VCSEL的典型結構[7]

西南大學博士學位論文第1章緒論1第1章緒論1.1論文的研究背景激光的出現(xiàn)極大的推動了科學技術的發(fā)展，歷經(jīng)五十多年的研究與探索，已被廣泛應用于現(xiàn)代工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、通訊、軍事、科學研究等各個領域，悄然地改變著人類的生活。半導體激光器作為一種優(yōu)質(zhì)激光源，具有體積孝質(zhì)量輕、相干性好、譜....

圖1.3（a）（b）分別為封閉層、錐形掩埋異質(zhì)結型（c

西南大學博士學位論文第1章緒論4（c）（d）圖1.3（a）（b）分別為封閉層、錐形掩埋異質(zhì)結型（c）空氣柱型（d）氧化限制性折射率引導VCSEL[17]圖1.4為反導引VCSEL的結構示意圖。如圖1.4（a）所示，在p層上增加了厚的低溫層（LT-layer），目的是用來提升電阻率....

圖1.4（a）反導引VCSEL的結構示意圖（b）腔內(nèi)有效折射率分布的示意圖[19]

西南大學博士學位論文第1章緒論4（c）（d）圖1.3（a）（b）分別為封閉層、錐形掩埋異質(zhì)結型（c）空氣柱型（d）氧化限制性折射率引導VCSEL[17]圖1.4為反導引VCSEL的結構示意圖。如圖1.4（a）所示，在p層上增加了厚的低溫層（LT-layer），目的是用來提升電阻率....

圖1.5注入系數(shù)kinj取不同值時光子密度隨頻率失諧變化的分岔圖[49]，（a）fkinj分別為6110，5110，4110，0.01，0.05，1

西南大學博士學位論文第1章緒論10圖1.5注入系數(shù)kinj取不同值時光子密度隨頻率失諧變化的分岔圖[49]，(a)~(f)kinj分別為6110，5110，4110，0.01，0.05，1圖1.6正交光注入下VCSEL輸出的非線性動力學分布圖[51]同年，比利時的J.B.Alté....

本文編號：3906096