高壓科學(xué)技術(shù)是凝聚態(tài)物理研究的重要組成部分。隨著近年來金剛石對頂砧技術(shù)的不斷改進(jìn),穩(wěn)態(tài)高壓記錄的不斷突破,高壓研究領(lǐng)域獲得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。高壓可以有效地壓縮材料的晶格,改變材料的電子能帶結(jié)構(gòu),使材料的結(jié)構(gòu),輸運,磁性等等重要的特性發(fā)生改變。研究材料在高壓下物性的變化,不僅可以深入理解材料的本質(zhì),更可能探索全新的物理現(xiàn)象。近年來高壓下金屬氫的探索,高壓下富氫體系中破紀(jì)錄的高溫超導(dǎo),高壓下鐵基超導(dǎo)體中顯著增強的超導(dǎo)臨界溫度等等令人激動的成果,都激勵著研究者去探尋高壓下豐富新奇的物理。高壓已經(jīng)不單單是一個極端條件,而是已經(jīng)成為一個新的維度�；诖�,在本文的第一部分,我們研究高壓下材料的結(jié)構(gòu)和電輸運特性,兩個研究內(nèi)容分別為高壓調(diào)控Fe3GeTe2的反常霍爾效應(yīng)和高壓誘導(dǎo)CsBi4Te6的非常規(guī)超導(dǎo)。薄膜技術(shù)在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)和工業(yè)領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用,而薄膜技術(shù)的發(fā)展離不開對薄膜光學(xué)常數(shù)的研究,橢圓偏振光譜法是獲取薄膜精確光學(xué)常數(shù)的重要手段。通過變溫橢偏光譜研究,可以獲得薄膜隨溫度變化的光學(xué)常數(shù),對薄膜實現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用具有重要的參考價值�；诖�,在本文的第二部分,我們研究了薄膜的變溫橢偏光譜,兩個研究... 

【文章來源】：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：116 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１活塞套筒壓機裝置示意圖

多結(jié)構(gòu)設(shè)計上的改進(jìn)而在??１９７８年，毛河光和Ｂｅｌｌ設(shè)計和研制了?Ｍａｏ－Ｂｅｌｌ型金剛石對頂砧［２８］，開創(chuàng)性地使??用倒角型金剛石，使得金剛石對頂砧的壓力上限突破了百萬大氣壓。近年來對金??剛石對頂砧的設(shè)計不斷改進(jìn)，其壓力上限也在不斷提高，目前雙倒角金剛石對頂??砧最高壓力記錄已經(jīng)達(dá)到７５０?ＧＰａｌ２９＿３１］。金剛石對頂砧壓機已經(jīng)成為了現(xiàn)代物理??研宄的精細(xì)定量測量工具。??ＴＡ８ＬＥ??ＵＰＰＥＲ?Ｚ??ＯＩＡＭＯＮＯ??邊??ＬＯＷＥＲ??ＯＩＡＭＯＮＯ??圖１．２典型金剛石對頂砧結(jié)構(gòu)示意圖〃７］。??金剛石對頂砧的典型結(jié)構(gòu)如圖１．２所示，其設(shè)計的基本原理很簡單，兩個金??剛石按相反的方向放置，其小臺面相互對頂，產(chǎn)生高壓。根據(jù)壓強的基本公式：??Ｐ?＝?Ｆ／Ｓ?（１．１）??在相同的作用力下，減小金剛石臺面的尺寸可以在對頂?shù)膬蓚�金剛石壓砧之??間產(chǎn)生更大的壓強。單晶金剛石作為壓砧材料具有很多優(yōu)異的性質(zhì)，包括其極強??的硬度，可以實現(xiàn)超高壓力；對紅外，可見以及紫外光輻射的透過？，對Ｘ射線透??過；化學(xué)惰性以及對電磁測量無干擾的兼容性等等。金剛石臺面的大小根據(jù)所需??３??

?第一章緒論???求的高壓范圍，一般從幾十微米到幾毫米不等。對于一個單平面的金剛石壓砧，??可以實現(xiàn)１２０ＧＰａ的超高壓力。而對于倒角型的金剛石壓砧，如圖１．３?（ａ）所示，??由于可以實現(xiàn)壓力的緩沖效應(yīng)，可以達(dá)到３００－４００?ＧＰａ的超高壓力１３２，３３］。??（ａ）／ｙ／?／１?＼?（ｂ）ｓ＾〇〇ｊ＾??（１??／／?ｂｅｖｅｌｅｄ?ｄｉａｍｏｎｄ?ａｎｖｉｌ??圖１．３各種類型金剛石壓砧和底座［２】。??，Ｍ?＇??圖１．４金剛石對頂砧壓機外貌圖片。??金剛石對頂砧的實驗操作過程如下，首先對碳化鎢的底座和金剛石的表面進(jìn)??行清潔，將清潔好的金剛石通過黑膠或者ＡＢ膠固定在碳化鎢底座上，碳化鎢底??座則通過螺絲固定在壓機外套筒裝置上。在高壓下要求兩塊金剛石砧面平行對頂，??否則不僅無法加壓，而且很容易造成兩塊金剛石的破損。因此對金剛石砧面平行??的調(diào)節(jié)和檢查至關(guān)重要，這里使用的檢測方法為光的等厚干涉方法。完成前面的??４??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]TPP-1型橢圓偏振光譜儀[J]. 江任榮,陳樹光,葉賢京,莫黨.  儀器儀表學(xué)報. 1983(04)
[2]用光譜法研究砷離子注入硅的退火[J]. 林樹漢,莫黨.  半導(dǎo)體學(xué)報. 1982(05)
[3]Si-SiO2膜的橢圓偏振光譜[J]. 莫黨,陳樹光,余玉貞,黃炳忠.  物理學(xué)報. 1980(05)
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