本文關鍵詞：近紅外InGaAs光電陰極的制備與性能研究

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【摘要】：真空探測器件中光電陰極的主要研究熱點之一,是如何使其響應波段向長波(近紅外)方向延伸,在此背景下,本文提出了分別以GaAs和InP為襯底材料的兩種InGaAs光電陰極,用于覆蓋1.06μm、1.54 μm和1.57 μm等常用激光波段的探測。圍繞InGaAs光電陰極表面模型、光電發(fā)射過程、量子效率理論,以及陰極材料的結(jié)構設計、制備工藝和性能評估等方面開展了研究,其結(jié)果對推動我國近紅外探測技術的發(fā)展具有重要意義。主要內(nèi)容包括:基于第一性原理平面波贗勢方法,計算了 InGaAs光電陰極的態(tài)密度、介電函數(shù)和復折射率等光學性質(zhì);通過光學薄膜理論,建立起多層膜系的光電陰極光吸收、反射和透射計算方法。根據(jù)NEA光電陰極光電發(fā)射機理,構建了 Cs、O吸附的表面模型。圍繞Spicer光電發(fā)射"三步模型",研究近紅外響應InGaAs光電陰極體內(nèi),電子吸收能量激發(fā)并向表面輸運最后隧穿表面勢壘逸出到真空的能量分布情況。通過求解一維少子連續(xù)方程和不同的邊界條件約束,推導薄發(fā)射層的反射式InGaAs光電陰極量子效率公式,通過修正后的量子效率公式對實驗曲線進行擬合,獲得了表面電子逸出幾率、電子擴散長度、后界面復合速率和發(fā)射層厚度等影響量子效率的參數(shù)。根據(jù)晶格失配導致的應力和位錯能密度,分別計算InGaAs光電陰極外延生長在GaAs或InP襯底時的臨界厚度;綜合考慮外延層厚度,摻雜方式,摻雜濃度、In組分變化等方面對InGaAs光電陰極的影響,從降低晶格失配和提高光電發(fā)射性能兩方面完成對InGaAs光電陰極采取變組分變摻雜的結(jié)構設計,并利用金屬有機化合物氣相沉淀進行外延生長。對NEA光電陰極制備與評估系統(tǒng)進行升級改造,擴展了光源的測試范圍,增加了1.06μm近紅外單色光光源和新型X射線電子能譜儀,實現(xiàn)了光電流、真空度、Cs、O源電流的實時采集。結(jié)合XPS分析結(jié)果和氬離子濺射對InGaAs光電陰極生長質(zhì)量進行分析;通過XPS研究不同化學清洗方法和不同熱凈化溫度對InGaAs光電陰極表面清洗效果,根據(jù)熱凈化過程中真空度曲線變化研究陰極表面各原子脫附過程,并探索適用于InGaAs光電陰極的熱凈化工藝。對不同工藝制備的InGaAs光電陰極的性能進行評估。發(fā)現(xiàn)采用鹽酸(38%)和水1:1的混合溶液清洗2 min,隨后經(jīng)過"閃蒸" 625℃的熱凈化工藝處理可獲得較好的光電發(fā)射性能。通過研究單Cs激活光譜響應截止波長的變化,分析Cs吸附對陰極表面勢壘高度的影響。此外,對真空系統(tǒng)中不同光照強度下和衰減后多次補銫處理下InGaAs光電陰極穩(wěn)定性也進行了研究。最終制備的反射式InGaAs光電陰極在1.0 μm處的輻射靈敏度為8.5 mA/W,在1.06 μm處的輻射靈敏度為0.51 mA/W,其性能優(yōu)于濱松反射式InGaAs光電陰極。
【學位授予單位】：南京理工大學
【學位級別】：博士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：O462

【參考文獻】

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本文編號：1297953