銀納米材料兼具金屬銀和納米材料的獨(dú)特結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能,擁有獨(dú)特電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)、催化等特性,在薄膜電極、催化劑、傳感器、抗菌殺菌等諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。銀納米線、銀納米顆粒等銀納米材料及其導(dǎo)電薄膜是顯示、太陽能電池、加熱器等光電器件電極的關(guān)鍵材料。目前,銀納米材料的制備存在收得率低、雜質(zhì)含量高、工藝穩(wěn)定性差等問題,嚴(yán)重制約著銀納米材料在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用。優(yōu)化銀納米材料制備技術(shù),發(fā)展導(dǎo)電薄膜制備新技術(shù),調(diào)控光電性能,已成為光電器件電極領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文在綜合論述銀納米材料及銀導(dǎo)電薄膜制備與應(yīng)用的基礎(chǔ)上,采用多元醇法合成了銀納米線和銀納米顆粒,同時(shí)配制了無顆粒型納米銀墨水,并以此銀納米線、銀納米顆粒和無顆粒型納米銀墨水為原料分別制備透明導(dǎo)電薄膜、致密導(dǎo)電薄膜及圖案化導(dǎo)電薄膜等三種銀導(dǎo)電薄膜,分析了合成工藝參數(shù)對(duì)銀納米材料形貌及尺寸的影響規(guī)律,闡明了涂膜工藝及后處理技術(shù)對(duì)導(dǎo)電薄膜的光電性能、表面粗糙度等特性的影響規(guī)律,制備出高性能的透明導(dǎo)電薄膜、致密導(dǎo)電薄膜及圖案化導(dǎo)電薄膜,為其在光電器件電極領(lǐng)域的應(yīng)用奠定重要基礎(chǔ)。具體研究內(nèi)容及結(jié)果如下:（1）銀納米線的可控合成及透明導(dǎo)電薄膜制備。以... 

【文章來源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：126 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

(a)AAO模板法制備銀納米線的過程圖(b)銀離子在模板孔洞中形成銀納米線的過程

浙江大學(xué)博士學(xué)位論文4圖1.2(a)DNA模板法制備銀納米線的過程圖(b)DNA模板(c)Wei等人利用DNA模板法制備的銀納米線[82]Fig.1.2(a)ProcessofsilvernanowirespreparedbyDNAtemplatemethod(b)DNAtemplate(c)SilvernanowirespreparedbyWeietal.withDNAtemplatemethod.[82]電化學(xué)沉積法可以通過調(diào)節(jié)電流強(qiáng)度或電壓強(qiáng)度對(duì)銀納米線的形貌尺寸進(jìn)行較為準(zhǔn)確的控制，其原理是通過在電流作用下還原溶液中的銀離子前驅(qū)體以制備銀納米線。利用該方法制備的銀納米線純度較高，合成方法簡單且對(duì)環(huán)境污染較小，而且由于和模板法一起使用，對(duì)于銀納米線的制備更加有好處。Xu等人[85]探究了一種通過將納米線電沉積到模板上的方法制備了不同直徑的有序銀納米線，可將銀納米線的直徑控制在28~200nm。然而，電化學(xué)沉積法制備銀納米線一般需要配合模板法來進(jìn)行，因此該方法同樣受到模板去除工藝復(fù)雜、產(chǎn)量較低、結(jié)晶度較低性、長徑比較低的困擾，對(duì)該方法在工業(yè)上規(guī)模應(yīng)用制備銀納米線產(chǎn)生了限制。圖1.3Xu等人[85]使用電化學(xué)沉積法制備的銀納米線(a)透射電鏡圖像和電子衍射圖(b)掃描電鏡圖像Fig.1.3SilvernanowirespreparedbyXuetal[85]withelectrochemicaldepositionmethod.(a)TEMandSAED(b)SEM.

浙江大學(xué)博士學(xué)位論文4圖1.2(a)DNA模板法制備銀納米線的過程圖(b)DNA模板(c)Wei等人利用DNA模板法制備的銀納米線[82]Fig.1.2(a)ProcessofsilvernanowirespreparedbyDNAtemplatemethod(b)DNAtemplate(c)SilvernanowirespreparedbyWeietal.withDNAtemplatemethod.[82]電化學(xué)沉積法可以通過調(diào)節(jié)電流強(qiáng)度或電壓強(qiáng)度對(duì)銀納米線的形貌尺寸進(jìn)行較為準(zhǔn)確的控制，其原理是通過在電流作用下還原溶液中的銀離子前驅(qū)體以制備銀納米線。利用該方法制備的銀納米線純度較高，合成方法簡單且對(duì)環(huán)境污染較小，而且由于和模板法一起使用，對(duì)于銀納米線的制備更加有好處。Xu等人[85]探究了一種通過將納米線電沉積到模板上的方法制備了不同直徑的有序銀納米線，可將銀納米線的直徑控制在28~200nm。然而，電化學(xué)沉積法制備銀納米線一般需要配合模板法來進(jìn)行，因此該方法同樣受到模板去除工藝復(fù)雜、產(chǎn)量較低、結(jié)晶度較低性、長徑比較低的困擾，對(duì)該方法在工業(yè)上規(guī)模應(yīng)用制備銀納米線產(chǎn)生了限制。圖1.3Xu等人[85]使用電化學(xué)沉積法制備的銀納米線(a)透射電鏡圖像和電子衍射圖(b)掃描電鏡圖像Fig.1.3SilvernanowirespreparedbyXuetal[85]withelectrochemicaldepositionmethod.(a)TEMandSAED(b)SEM.

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種3D打印混凝土材料的試驗(yàn)研究[J]. 雷波,解文峰.  新型建筑材料. 2020(02)
[2]激光直寫微型RGO/MWCNT/CF平面柔性超級(jí)電容器的制備及性能[J]. 關(guān)芳蘭,李昕,張群,龔?,林紫鈺,陳耀,王樂軍.  高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報(bào). 2020(02)
[3]控制劑種類對(duì)多元醇熱法制備納米銀材料形貌的影響[J]. 熊智淳,張哲娟.  電子元件與材料. 2020(02)
[4]噴涂-浸涂結(jié)合法制備高滲透通量平板陶瓷超濾膜[J]. 趙亞輝,胡志偉,王一鳴,王洋,常啟兵,汪永清,郝恩奇.  膜科學(xué)與技術(shù). 2019(06)
[5]噴墨打印技術(shù)制備氧化物薄膜晶體管[J]. 楊小天,王冠達(dá),史愷,李旭.  長春工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 2019(03)
[6]噴墨打印技術(shù)制備透明電極[J]. 李旭,楊小天.  吉林建筑大學(xué)學(xué)報(bào). 2019(03)
[7]Enhancement of pulsed laser ablation assisted with continuous wave laser irradiation[J]. Ye Ding,LiJun Yang,MingHui Hong.  Science China（Physics,Mechanics & Astronomy）. 2019(03)
[8]環(huán)境友好型氧化石墨烯印刷電子功能材料的研究[J]. 趙瑋,荀振亞,張志云.  價(jià)值工程. 2018(31)
[9]旋涂法制備納米ZnO陰極涂層及場發(fā)射性能[J]. 楊延寧,王超,李小敏,張富春,杜永星,王簫揚(yáng).  人工晶體學(xué)報(bào). 2018(07)
[10]高功率脈沖磁控濺射技術(shù)的離子(粒子)特性及其對(duì)薄膜組織結(jié)構(gòu)的影響[J]. 吳保華,冷永祥,黃楠,楊文茂,李雪源.  表面技術(shù). 2018(05)

博士論文
[1]激光直寫制備柔性微納結(jié)構(gòu)與器件研究[D]. 周偉平.北京工業(yè)大學(xué) 2017
[2]銀基納米材料可控合成及其表面增強(qiáng)拉曼光譜應(yīng)用研究[D]. 黃慶利.揚(yáng)州大學(xué) 2014

碩士論文
[1]真空冷凝換熱性能模擬與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 丁亞琪.浙江大學(xué) 2015
[2]C/C復(fù)合材料ZrB2-SiC基陶瓷涂層的制備及性能研究[D]. 張?zhí)熘?中南大學(xué) 2014
[3]掩模板光刻工藝研究[D]. 陳明.復(fù)旦大學(xué) 2011
[4]水熱法制備金屬納米顆粒研究[D]. 汪寶珍.蘭州理工大學(xué) 2011
[5]銀納米顆粒的制備及其應(yīng)用研究[D]. 朱純陽.中國科學(xué)院研究生院（理化技術(shù)研究所） 2008
[6]納米金屬制備及其性能研究[D]. 史運(yùn)澤.西北工業(yè)大學(xué) 2007



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