高導(dǎo)熱5A分子篩復(fù)合材料的制備及其氬同位素吸附性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-01-26 08:41
核聚變能是一種可持續(xù)、清潔的新型能源,也是解決日益嚴(yán)峻的能源危機(jī)、環(huán)境污染等問(wèn)題的有效手段,能滿足未來(lái)高度發(fā)達(dá)工業(yè)化的需要。氫同位素分離是氘氚燃料循環(huán)再利用的關(guān)鍵,也是核聚變堆的核心。氫同位素高效分離有助于實(shí)現(xiàn)核聚變過(guò)程氘氚燃料自持、降低運(yùn)行成本。目前,大部分氫同位素分離材料研究都聚焦在通過(guò)材料微觀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提升氫同位素吸附分離性能,而通常忽略整個(gè)吸附分離過(guò)程的熱管理效應(yīng)。鑒于此,本文以多孔材料吸附及材料熱傳導(dǎo)理論為基礎(chǔ),并借鑒國(guó)內(nèi)外聚合物導(dǎo)熱復(fù)合材料的研究思路,選擇商業(yè)5A分子篩作為研究對(duì)象,詳細(xì)研究了導(dǎo)熱填料種類(氮化硼、石墨片、石墨烯及聚硅氧烷)與含量,以及導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)對(duì)5A分子篩復(fù)合材料導(dǎo)熱性能和氫同位素吸附性能的影響,探討了材料導(dǎo)熱性能與氫同位素吸附之間的契合關(guān)系,形成了材料設(shè)計(jì)-熱導(dǎo)/氫同位素吸附性能調(diào)控技術(shù)。具體研究?jī)?nèi)容如下:(1)為了提升5A分子篩的導(dǎo)熱性能,分別選取氮化硼和石墨片(含量:0 wt%~30 wt%),采用粉末混合法、模壓成型以及焙燒工藝制備了 5A/氮化硼和5A/石墨復(fù)合材料;采用XRD、SEM、FT-IR等技術(shù)表征了復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)和形貌;利用導(dǎo)熱測(cè)試儀和紅外...
【文章來(lái)源】:中國(guó)工程物理研究院北京市
【文章頁(yè)數(shù)】:112 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2低溫蒸餾法分離屮/02的流程圖??Figure?1.2?Schematic?diagram?of?H2/D2?separation?by?cryogenic?distillation.??
形成金屬氫化物時(shí)具有氫同位素效應(yīng)。首先,將惰性氣體(通??常為氦氣)引入填充有分離材料(常用的是載靶材料)的色譜柱中進(jìn)行緩沖,然后導(dǎo)??入氫同位素混合氣體,在色譜柱內(nèi)產(chǎn)生混合吸附區(qū),待吸附達(dá)到穩(wěn)定后,將純氫氣當(dāng)??作置換氣體注入。鑒于氫同位素效應(yīng),純氫氣優(yōu)先置換出混合吸附區(qū)段內(nèi)重的氫同位??素,并將其推動(dòng)到色譜柱的前列,形成一個(gè)新的吸附區(qū)。隨著置換的持續(xù)進(jìn)行,純的??氫同位素色譜帶逐漸生成,重的氫同位素的色譜帶位于最前部,而色譜柱的最后部是??氫氣的色譜帶。置換色譜法分離過(guò)程示意圖見(jiàn)圖1.4112]。??nn?j,?1?/?,?1?/??miiMdlALm???,??,????(a)?(b)?(c)?(d)??圖1.4氫同位素置換色譜法分離示意圖1121??Figure?1.4?Schematic?diagram?of?displacement?chromatography.??通常,鈀-氫體系一般只能用來(lái)高效分離含氫的同位素混合氣體。如果用于氘氚的??分離,就需要更長(zhǎng)的色譜柱或者采用其他方法。除此之外,分離完成后的緩沖區(qū)域也??較長(zhǎng),純氚的含量較低。??1.2.1.5?熱循環(huán)吸附法(Thermal?Cycling?Adsorption?Process,?TCAP)??熱循環(huán)吸附法是(TCAP)是由Lee[39]率先提出的,該實(shí)驗(yàn)室從1980年便開(kāi)始對(duì)??這種方法進(jìn)行詳細(xì)的研究[4(M1]。自1992年起,我國(guó)陸光達(dá)等[42]開(kāi)始對(duì)TCAP進(jìn)行初步??研宄。經(jīng)過(guò)數(shù)十年的研宄,在分離柱結(jié)構(gòu)、分離材料、分離系統(tǒng)運(yùn)行和控制等方面取??6??
?高導(dǎo)熱5A分子篩復(fù)合材料的制備及其氫同位素吸附性能研究???得了顯著地進(jìn)步|43]。圖1.51441給出了?TCAP的裝置原理圖,裝置由填充有分離材料(通??常為載鈀材料)的分離柱和回流柱構(gòu)成,運(yùn)行期間,分離柱要經(jīng)受高、低溫循環(huán)過(guò)程。??近年來(lái),黃國(guó)強(qiáng)等獲得了一定的成績(jī),他們?cè)O(shè)計(jì)并建立了?TCAP實(shí)驗(yàn)裝置(見(jiàn)圖1.6),??而且通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了氫氘混合氣(氘的體積分?jǐn)?shù)為49.3?%)的分離性能,研宄發(fā)現(xiàn),??30個(gè)循環(huán)后,柱底端的氘豐度高達(dá)98.8?%144]。??加熱?I??冷卻:::..^?:::?Hn??::i?*':'????::i??r.H??進(jìn)料一Pd/K?:ji?PFR??|4.|??|?.M??!冬丨i:????ii??產(chǎn)品??圖1.5熱循環(huán)吸附分離原理圖1441??Figure?1.5?Schematic?diagram?of?TCAP.???H2+D2??冷刼循壞系條I??B!??^?Lir11???01?娜?u??—??11?kt捧規(guī)i?產(chǎn)品氣接受床??圖1.6?TCAP分離實(shí)驗(yàn)裝置示意圖1441??Figure?1.6?Schematic?diagram?of?TCAP?separation?device.??7??
本文編號(hào):3000813
【文章來(lái)源】:中國(guó)工程物理研究院北京市
【文章頁(yè)數(shù)】:112 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2低溫蒸餾法分離屮/02的流程圖??Figure?1.2?Schematic?diagram?of?H2/D2?separation?by?cryogenic?distillation.??
形成金屬氫化物時(shí)具有氫同位素效應(yīng)。首先,將惰性氣體(通??常為氦氣)引入填充有分離材料(常用的是載靶材料)的色譜柱中進(jìn)行緩沖,然后導(dǎo)??入氫同位素混合氣體,在色譜柱內(nèi)產(chǎn)生混合吸附區(qū),待吸附達(dá)到穩(wěn)定后,將純氫氣當(dāng)??作置換氣體注入。鑒于氫同位素效應(yīng),純氫氣優(yōu)先置換出混合吸附區(qū)段內(nèi)重的氫同位??素,并將其推動(dòng)到色譜柱的前列,形成一個(gè)新的吸附區(qū)。隨著置換的持續(xù)進(jìn)行,純的??氫同位素色譜帶逐漸生成,重的氫同位素的色譜帶位于最前部,而色譜柱的最后部是??氫氣的色譜帶。置換色譜法分離過(guò)程示意圖見(jiàn)圖1.4112]。??nn?j,?1?/?,?1?/??miiMdlALm???,??,????(a)?(b)?(c)?(d)??圖1.4氫同位素置換色譜法分離示意圖1121??Figure?1.4?Schematic?diagram?of?displacement?chromatography.??通常,鈀-氫體系一般只能用來(lái)高效分離含氫的同位素混合氣體。如果用于氘氚的??分離,就需要更長(zhǎng)的色譜柱或者采用其他方法。除此之外,分離完成后的緩沖區(qū)域也??較長(zhǎng),純氚的含量較低。??1.2.1.5?熱循環(huán)吸附法(Thermal?Cycling?Adsorption?Process,?TCAP)??熱循環(huán)吸附法是(TCAP)是由Lee[39]率先提出的,該實(shí)驗(yàn)室從1980年便開(kāi)始對(duì)??這種方法進(jìn)行詳細(xì)的研究[4(M1]。自1992年起,我國(guó)陸光達(dá)等[42]開(kāi)始對(duì)TCAP進(jìn)行初步??研宄。經(jīng)過(guò)數(shù)十年的研宄,在分離柱結(jié)構(gòu)、分離材料、分離系統(tǒng)運(yùn)行和控制等方面取??6??
?高導(dǎo)熱5A分子篩復(fù)合材料的制備及其氫同位素吸附性能研究???得了顯著地進(jìn)步|43]。圖1.51441給出了?TCAP的裝置原理圖,裝置由填充有分離材料(通??常為載鈀材料)的分離柱和回流柱構(gòu)成,運(yùn)行期間,分離柱要經(jīng)受高、低溫循環(huán)過(guò)程。??近年來(lái),黃國(guó)強(qiáng)等獲得了一定的成績(jī),他們?cè)O(shè)計(jì)并建立了?TCAP實(shí)驗(yàn)裝置(見(jiàn)圖1.6),??而且通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了氫氘混合氣(氘的體積分?jǐn)?shù)為49.3?%)的分離性能,研宄發(fā)現(xiàn),??30個(gè)循環(huán)后,柱底端的氘豐度高達(dá)98.8?%144]。??加熱?I??冷卻:::..^?:::?Hn??::i?*':'????::i??r.H??進(jìn)料一Pd/K?:ji?PFR??|4.|??|?.M??!冬丨i:????ii??產(chǎn)品??圖1.5熱循環(huán)吸附分離原理圖1441??Figure?1.5?Schematic?diagram?of?TCAP.???H2+D2??冷刼循壞系條I??B!??^?Lir11???01?娜?u??—??11?kt捧規(guī)i?產(chǎn)品氣接受床??圖1.6?TCAP分離實(shí)驗(yàn)裝置示意圖1441??Figure?1.6?Schematic?diagram?of?TCAP?separation?device.??7??
本文編號(hào):3000813
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