非均勻電流密度對(duì)超導(dǎo)結(jié)構(gòu)力學(xué)特性的影響研究
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1(a)長(zhǎng)圓柱狀超導(dǎo)結(jié)構(gòu)示意圖;(b)臨界電流密度分布示意圖
現(xiàn)的強(qiáng)度和剛度問(wèn)題,有必要研究圓柱狀高溫超導(dǎo)結(jié)構(gòu)中臨界電流密度非均勻分布對(duì)其力學(xué)特性的影響。本章基于求解平面應(yīng)變問(wèn)題的方法和Bean臨界態(tài)模型,考慮臨界電流密度沿超導(dǎo)圓柱體半徑方向呈非均勻分布的特性,解析得到了承載電流上升和下降過(guò)程中超導(dǎo)結(jié)構(gòu)內(nèi)局部磁通密度和電流密度分布規(guī)律,并給....
圖3.1(a)長(zhǎng)圓柱狀超導(dǎo)結(jié)構(gòu)示意圖;(b)臨界電流密度分布示意圖
了外加磁場(chǎng)增大和減小過(guò)程中,圓柱狀超導(dǎo)體內(nèi)部的局部磁場(chǎng)和電流密度分布規(guī)律,同時(shí)得到了超導(dǎo)體的徑向位移、徑向和環(huán)向應(yīng)力的解析表達(dá)。分析了臨界電流密度非均勻分布特性影響下,II型超導(dǎo)圓柱體的力學(xué)響應(yīng)。并討論了指數(shù)模型參數(shù)和臨界電流密度的不均勻程度對(duì)超導(dǎo)體磁化過(guò)程中應(yīng)力分布的影響。這些....
圖4.1(a)長(zhǎng)圓柱狀超導(dǎo)結(jié)構(gòu)示意圖;(b)臨界電流密度分布示意圖
峽樽錘呶魯?疾牧顯詰緦?duì)输运壹s俺?賈岢械確矯?的應(yīng)用,對(duì)受磁場(chǎng)和電流共同作用的II型超導(dǎo)圓柱體的力學(xué)行為進(jìn)行了研究?紤]了臨界態(tài)Bean模型下,超導(dǎo)體內(nèi)臨界電流密度在不同分布狀態(tài)時(shí),外部場(chǎng)上升和下降過(guò)程中,結(jié)構(gòu)內(nèi)部的磁通密度和電流密度的分布。基于彈性力學(xué)理論,計(jì)算獲得了超導(dǎo)體內(nèi)應(yīng)....
圖4.2電流和磁場(chǎng)相互作用的方位關(guān)系圖
非均勻電流密度對(duì)超導(dǎo)結(jié)構(gòu)力學(xué)特性的影響研究38并且在該模型中,n=3時(shí)可以有效描述臨界電流密度的非均勻特性,因此我們選取n=3時(shí)的情況進(jìn)行分析。此時(shí)在超導(dǎo)長(zhǎng)圓柱中,從外到內(nèi)被分為三層,半徑依次為a1、a2、a3且各層半徑之間有如下關(guān)系:132122,,3,assaRsaa====....
本文編號(hào):3957490
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