準(zhǔn)直分子光電子成像實(shí)驗(yàn)研究
發(fā)布時(shí)間:2022-08-08 12:34
激光技術(shù)的發(fā)展使得激光場強(qiáng)與原子內(nèi)價(jià)電子和原子實(shí)之間庫侖場相接近,其相互作用會產(chǎn)生諸多非線性物理現(xiàn)象,如高階閾上電離、非次序雙電離、高次諧波及庫侖爆炸等。原子分子內(nèi)電子在強(qiáng)場作用下的行為,決定了產(chǎn)物的研究方式。為了獲得光解反應(yīng)離子或電子產(chǎn)額及其位置動量的空間分布信息,利用速度成像技術(shù)來分析原子或分子在強(qiáng)激光場中的電離過程,進(jìn)而分析作用的物理規(guī)律。速度成像技術(shù)對研究強(qiáng)場物理的分子反應(yīng)過程有著巨大的應(yīng)用前景和意義。本論文通過強(qiáng)飛秒激光對非絕熱準(zhǔn)直的N2、O2、CO2三種分子進(jìn)行光電子速度成像研究,分析了再散射機(jī)制和分子軌道問題。本論文共由四章組成。第一章主要介紹了超短強(qiáng)激光技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用和強(qiáng)場激光與原子或分子作用主要電離機(jī)制以及準(zhǔn)直分子的強(qiáng)場物理研究。第二章主要介紹本實(shí)驗(yàn)自主搭建的速度成像裝置以及實(shí)驗(yàn)原理,并以400nm激光作用Xe原子完成裝置能量標(biāo)定以及圖像處理。分析了Xe原子多光子電離過程并提取Xe原子不同電離過程角分布信息,通過提取勒讓德多項(xiàng)式的各向異性參數(shù)對角分布信息進(jìn)行確認(rèn)。第三章采用泵浦-探測技術(shù)實(shí)現(xiàn)對N
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 超短脈沖激光技術(shù)
1.1.1 超短脈沖激光技術(shù)的發(fā)展
1.1.2 超短脈沖激光技術(shù)的應(yīng)用
1.2 超短脈沖激光與原子分子的作用
1.2.1 激光場與原子分子相互作用
1.2.2 多光子電離
1.2.3 場致電離
1.2.4 再散射理論
1.3 準(zhǔn)直分子強(qiáng)場研究
第二章 速度成像實(shí)驗(yàn)原理及裝置介紹
2.1 真空系統(tǒng)及真空泵的選擇
2.1.1 真空系統(tǒng)
2.1.2 真空泵的選擇
2.2 分子束系統(tǒng)
2.2.1 分子平均自由程
2.2.2 超聲分子束
2.3 加速電場與探測系統(tǒng)
2.3.1 加速電場
2.3.2 探測系統(tǒng)
2.4 分子準(zhǔn)直實(shí)驗(yàn)技術(shù)
2.4.1 激光系統(tǒng)
2.4.2 泵浦探測實(shí)驗(yàn)技術(shù)
2.5 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理及探測器能量標(biāo)定
2.5.1 飛行時(shí)間質(zhì)譜原理及標(biāo)定
2.5.2 中值濾波原理
2.5.3 波長 400nm 激光下 Xe 原子光電子動能標(biāo)定
2.5.4 波長 400nm 激光下 Xe 原子光電子角分布提取
2.6 本章小結(jié)
第三章 準(zhǔn)直分子光電子成像
3.1 分子信息
3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
3.2.1 光電子成像研究再散射過程
3.2.2 分子軌道對電離的影響
3.3 本章小結(jié)
第四章 總結(jié)與展望
4.1 總結(jié)
4.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
本文編號:3671519
【文章頁數(shù)】:59 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 超短脈沖激光技術(shù)
1.1.1 超短脈沖激光技術(shù)的發(fā)展
1.1.2 超短脈沖激光技術(shù)的應(yīng)用
1.2 超短脈沖激光與原子分子的作用
1.2.1 激光場與原子分子相互作用
1.2.2 多光子電離
1.2.3 場致電離
1.2.4 再散射理論
1.3 準(zhǔn)直分子強(qiáng)場研究
第二章 速度成像實(shí)驗(yàn)原理及裝置介紹
2.1 真空系統(tǒng)及真空泵的選擇
2.1.1 真空系統(tǒng)
2.1.2 真空泵的選擇
2.2 分子束系統(tǒng)
2.2.1 分子平均自由程
2.2.2 超聲分子束
2.3 加速電場與探測系統(tǒng)
2.3.1 加速電場
2.3.2 探測系統(tǒng)
2.4 分子準(zhǔn)直實(shí)驗(yàn)技術(shù)
2.4.1 激光系統(tǒng)
2.4.2 泵浦探測實(shí)驗(yàn)技術(shù)
2.5 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理及探測器能量標(biāo)定
2.5.1 飛行時(shí)間質(zhì)譜原理及標(biāo)定
2.5.2 中值濾波原理
2.5.3 波長 400nm 激光下 Xe 原子光電子動能標(biāo)定
2.5.4 波長 400nm 激光下 Xe 原子光電子角分布提取
2.6 本章小結(jié)
第三章 準(zhǔn)直分子光電子成像
3.1 分子信息
3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
3.2.1 光電子成像研究再散射過程
3.2.2 分子軌道對電離的影響
3.3 本章小結(jié)
第四章 總結(jié)與展望
4.1 總結(jié)
4.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
本文編號:3671519
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