自旋電子學(xué)的出現(xiàn)與發(fā)展,使得摩爾定律得以延續(xù),利用電子自旋自由度促使新一代電子器件集成微型化成為新的發(fā)展趨勢(shì)。石墨烯等二維材料的出現(xiàn)為自旋電子學(xué)提供了新的發(fā)展機(jī)會(huì),是集成微型化中不可或缺的部分,具有豐富的光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)性質(zhì)和寬廣的應(yīng)用前景。利用二維材料堆疊形成的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)為新一代電子器件的發(fā)展指引了一個(gè)新的方向,在自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、傳感器、存儲(chǔ)器能多方面領(lǐng)域都有應(yīng)用價(jià)值。但自旋電子學(xué)中仍有二維磁性的空缺,直至2017年在二維范德瓦爾斯磁性材料CrI3和Cr2Ge2Te6單層中首次報(bào)導(dǎo)了長(zhǎng)程磁有序的存在,才彌補(bǔ)了這一空缺,激發(fā)了大量關(guān)于二維磁性材料的探索研究,自此二維磁性材料成為自旋電子學(xué)進(jìn)一步發(fā)展的契機(jī)。由于當(dāng)前現(xiàn)有的二維磁性材料TC都較低,相當(dāng)一部分在空氣中并不穩(wěn)定,物性研究尚未完全清晰,因此探索新型二維磁性材料和研究?jī)?nèi)在物理性質(zhì)是當(dāng)前研究的兩個(gè)主要方向。我們依托強(qiáng)磁場(chǎng)與高壓技術(shù)等極端實(shí)驗(yàn)條件,對(duì)二維磁性材料的物理性質(zhì)進(jìn)行了研究,另外也探索了新型的二維磁性材料,主要開(kāi)展了以下研究工作:第一章緒論部分首先在第一節(jié)引言中簡(jiǎn)介了自旋電子學(xué)的發(fā)展概況,接著在第二節(jié)中介紹了物質(zhì)磁性... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１?（ａ）硅基處理器中的摩爾定律，圓圈、三角形、正方形和菱形分別代表英特爾、??ＡＭＤ、丨ＢＭ和摩托羅拉生產(chǎn)的微處理器；（ｂ）硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的面積密度增長(zhǎng)過(guò)程，圓圈和三??角形分別對(duì)應(yīng)演示?

?第１章緒?論????Ｚｅｅｍａｎ?ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ?－＾／Ｔｉ?Ｓｐｉｎ?ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ??＼?▼?｛＼?ｗｔｍｍＷ?ｆｒｏｍ?ａ?ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔ??Ｓｐｉｎｓ??ｐｈＨｖ＼？ｗ?＾?Ｍ＝ｒ??＿ｎｔ?，?Ａ？Ａ?—??ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ?中匾分?ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ??＃?ｉ??圖１．２在非磁性介質(zhì)中產(chǎn)生自旋極化電子的技術(shù)圖片引用自丨２１??磁性材料在自旋電子學(xué)中的應(yīng)用不勝枚舉，比如利用鐵磁性材料可以構(gòu)建一??些自旋相關(guān)的器件，如自旋閥、磁隧穿結(jié)（ＭＴＪ）和磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（ＭＲＡＭ）??等等，下面我們將對(duì)物質(zhì)的磁性進(jìn)行簡(jiǎn)單概述。??ＦＭ?Ｆｒｅｅ??ＦＭ??＝＞?Ｐｉｎｎｅｄ??ＡＦＭ????圖１．３自旋閥器件結(jié)構(gòu)示意圖??１．２磁性的概念與分類(lèi)??原子核及核外電子構(gòu)成原子，原子構(gòu)成宏觀物質(zhì)，因此宏觀物質(zhì)的磁性可以??追溯到原子層面。在原子尺度上，軌道磁矩的存在與單個(gè)電子在軌道上的運(yùn)動(dòng)有??３??

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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