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高密度電阻率法高分辨率成像與解釋

發(fā)布時(shí)間:2021-10-08 15:49
  高密度電阻率法(簡(jiǎn)稱(chēng)“高密度電法”)是一種常用的地球物理勘探方法。相較于傳統(tǒng)的電阻率法,高密度電阻率法可實(shí)現(xiàn)測(cè)量過(guò)程中電極裝置類(lèi)型、電極間距和測(cè)點(diǎn)的自動(dòng)切換,從而提高探測(cè)精度和工作效率。在實(shí)際應(yīng)用中,通常采用光滑約束最小二乘法對(duì)高密度電阻率法的探測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行反演。然而,根據(jù)反演結(jié)果雖可得出探測(cè)區(qū)域內(nèi)的電阻率分布情況,但難以準(zhǔn)確地確定不同電阻率區(qū)域之間邊界的具體位置,進(jìn)而影響探測(cè)數(shù)據(jù)解釋結(jié)果的精度。為解決上述問(wèn)題,本文提出了一種基于反射系數(shù)分析的高密度電阻率法高分辨率成像與解釋方法。該方法可通過(guò)對(duì)反演斷面數(shù)據(jù)進(jìn)行有效的二次處理及分析實(shí)現(xiàn)異常區(qū)域邊界位置處數(shù)據(jù)特征的放大,從而識(shí)別反演斷面中異常區(qū)域邊界的具體位置,提高數(shù)據(jù)解釋結(jié)果的準(zhǔn)確性,并為實(shí)際工程提供更為可靠的理論指導(dǎo)。因此,關(guān)于高密度電阻率法高分辨率成像與解釋方法的研究具有較強(qiáng)的現(xiàn)實(shí)意義。當(dāng)前,通過(guò)對(duì)高密度電阻率法的反演數(shù)據(jù)進(jìn)行二次處理以實(shí)現(xiàn)高分辨率成像及解釋的相關(guān)研究基本未見(jiàn)。(1)本文主要通過(guò)數(shù)值模擬的方式進(jìn)行分析。首先采用克里金插值法對(duì)光滑約束最小二乘法的反演結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)插值及網(wǎng)格化,繼而通過(guò)分析反演斷面中穿過(guò)異常響應(yīng)區(qū)域的各組橫... 

【文章來(lái)源】:山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】:101 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

高密度電阻率法高分辨率成像與解釋


圖2.1點(diǎn)電源電場(chǎng)分布??在電阻率法勘探中,至少有兩根供電電極(正極和負(fù)極)

分布情況,市場(chǎng),分布情況,電極


高密度電阻率法高分辨率成像與解釋??半空間中任一點(diǎn)M處的電位為??u=^ ̄?-——-?(2.9)??27t\_rA?rB.??式中,M和rB分別為兩電極到電場(chǎng)中某一點(diǎn)的距離。??iPW??電流方向??圖2.2?兩極供電時(shí)市場(chǎng)分布情況??在兩極供電形成的地下半空間中,任意一點(diǎn)M處的電場(chǎng)由兩個(gè)點(diǎn)電源??產(chǎn)生的電場(chǎng)合成。根據(jù)場(chǎng)的疊加原理,可得??uM?=^ ̄?—?—?(2.10)??^■n\.rAM?rBM.??點(diǎn)M處與另一任一點(diǎn)#處的的電位差為??——-——L?+?—1?(2.11)??Z7rlrAM?rBM?rAN?rBN?_??由上式可得??p?=?K.^ML?(2.12)??I??式中,炙=—j————p,稱(chēng)為裝置系數(shù)。?????1???rAM?rBM?rAN?rBN??在實(shí)際探測(cè)時(shí),一般將d、5稱(chēng)為供電電極,M、AM乍為測(cè)量電極,此時(shí)四??個(gè)電極均布設(shè)在地面上,且通常置于一條直線上。由于實(shí)際地層中電阻率分布不??均,因此在地面通過(guò)上述裝置所觀測(cè)到的數(shù)據(jù)為視電阻率:??Ps=K.^ML?(2.13)??視電阻率值是地下非均勻體的電阻率的綜合響應(yīng),通過(guò)反演可得出地下的??11??

示意圖,電極,電阻率,探測(cè)深度


山東大學(xué)碩士學(xué)位論文??“真”電阻率值,即電阻率法勘探的最終結(jié)果。??2.1.2高密度電阻率法工作流程??2-D高密度電阻率法探測(cè)通常將多根電極(25根或以上)連接至一條或多條??多芯電纜,電纜通過(guò)一部電極轉(zhuǎn)換控制裝置與數(shù)據(jù)采集儀器連接?碧竭^(guò)程中,??根據(jù)預(yù)設(shè)的觀測(cè)序列、裝置類(lèi)型等采集參數(shù)自動(dòng)選擇相關(guān)的4根電極進(jìn)行數(shù)據(jù)采??集166]。圖2.3為將多個(gè)電極通過(guò)一條多芯電纜連接至控制及采集裝置并沿一條直??線進(jìn)行2-D探測(cè)的示意圖。電極布設(shè)時(shí),兩相鄰電極的電極距一般固定不變。??測(cè)站32??I?I??A?M?N?B??3a?I?3a?|?3a??A? ̄??測(cè)站18??,?J????I?I??A?M?IS?B??i?2a?j?2a?|?2a?i?電極轉(zhuǎn)換?? ̄^ ̄?數(shù)據(jù)采集儀器?控制裝置??測(cè)站l????????A?M?N?B?\??1?10?20?)??測(cè)蛍層?1?^?1?a?1?a?[?[??:?j?|?|?|?j?|?l?j?l?l?|?1?1?j?/??n=l?]???????????????????n=2?18?????????????????????????????n=3?32參????n=4?43???????????n=5?51???????????n=6?56??????圖2.3?2-D高密度電阻率法電極排列和擬斷面觀測(cè)序列示意圖??由上圖可知,隨著探測(cè)深度的增加,各電極間距逐漸增大,因而各測(cè)量層上??的數(shù)據(jù)點(diǎn)逐漸減少,即數(shù)據(jù)剖面呈“上寬下窄”的倒梯形。??在進(jìn)行實(shí)際探測(cè)時(shí),需先敷設(shè)電纜和布置電極。連接完成后,儀

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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[2]直流電阻率法正反演對(duì)比解釋及其應(yīng)用研究[D]. 陳寧.成都理工大學(xué) 2012
[3]高密度電阻率法正、反演模擬及其應(yīng)用[D]. 于文福.成都理工大學(xué) 2011
[4]井間電阻率成像方法研究[D]. 沈平.中南大學(xué) 2010
[5]高密度電法淺部不均勻體影響效應(yīng)及校正方法研究[D]. 侯彥威.煤炭科學(xué)研究總院 2008
[6]高密度電阻率法數(shù)據(jù)處理方法研究[D]. 劉海飛.中南大學(xué) 2004



本文編號(hào):3424475

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