中遠紅外相干源在紅外探測、紅外醫(yī)療、紅外對抗等軍事領域和民用領域均有著廣泛的應用。采用非線性光學晶體對現(xiàn)有的成熟激光進行非線性變頻是中紅外激光產(chǎn)生的重要途徑之一。紅外非線性光學（IR-NLO）晶體是器件制作的關鍵材料。近幾十年來,包括 AgGaSe2、AgGaS2、ZnGeP2（ZGP）、CdGeAs2、CdSiP2（CSP）在內(nèi)的黃銅礦半導體因其獨特的物理性質,受到科研工作者的廣泛關注。其中,CdSiP2具有紅外透過范圍寬、非線性光學系數(shù)大、雙折射適宜、熱導率高、硬度大、抗光損傷閾值高等優(yōu)異性質,同時CdSiP2晶體在1064 nm處雙光子吸收（TPA）很小,是可以用1064 nm的激光泵浦,輸出6.0 μm以上可調(diào)諧激光的非線性系數(shù)最大的紅外光學材料。CdSiP2晶體獨特的光學特性,以及較高的硬度（9.3 GPa）和良好的熱導率（13.6 Wm-1K-1）,使其在中遠紅外激光領域有重要的應用潛力。本論文針對CdSiP2晶體的多晶合成、單晶生長以及缺陷表征開展系統(tǒng)研究,主要內(nèi)容包括:（1）綜述了磷族和硫族三元化合物單晶體的性能特點及發(fā)展趨勢,并詳細介紹了布里奇曼法晶體生長技術,系統(tǒng)地... 

【文章來源】：山東大學山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：85 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－３?（ａ）?ＶＢ法（ｂ）?ＨＧＦ法生長的ＣｄＳｉＰ２晶體??１．２．３長波紅外用硫族化合物??Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ２型硫族化合物在中遠紅外區(qū)域透過范圍寬，透過性良好，并可構建??

ｔｉｎ?Ｐｅｔｒｏｖ等［１１３】己經(jīng)能夠生長出尺寸為０３０ｘ１００??ｍｍ３的大尺寸、高質量ＬｉＩｎＳｅ２單晶。國內(nèi)，山東大學［４７，１１４］于２０１４年率先開展??了?ＬｉＩｎＳｅ２晶體生長工作，生長出尺寸為０１２ｘ３０?ｍｍ３高質量單晶，并對生長晶??體進行結構解析和熱學性質測試。２０１５年，哈爾濱工業(yè)大學［Ｕ５］生長出尺寸為??０２０ｘ７０?ｍｍ３的ＬｉＩｎＳｅ２晶體，生長的晶體表面存在很多氣泡。２０１８年，西北工??業(yè)大學＿生長出尺寸為０２０ｘ７０?ｍｍ３的ＬｉＩｎＳｅ２晶體。圖１－４為垂直布里奇曼法??生長出的ＬｉＩｎＳｅ２晶體。??Ｂ—??Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ??Ｈ?Ｏｐｔｆｍｉｚａｔｉｏｎ?０３１?ｍｍ??Ｇ＿ｈ?｜??圖１＊４?（ａ）?Ｖａｌｅｎｔｉｎ?Ｐｅｔｒｏｖ等生長的ＬＩＳｅ晶體，（ｂ）山東大學生長的ＬＩＳｅ晶體??ＢａＧａ４Ｓｅ７（ＢＧＳｅ）、ＢａＧａ２ＧｅＳｅ６（ＢＧＧＳｅ）晶體是由我國研宄者最先開發(fā)的兩種??７??

山東大學碩士學位論文??應用于長波紅外的新型紅外非線性光學晶體。８３〇３４３６７屬于單斜晶系，空間??群，中國科學院理化技術研宄所姚吉勇研宄員最早生長出了?ＢＧＳｅ晶體［１１７］，圖??１－５為其生長出的晶體，ＢＧＳｅ晶體的非線性光學性能及其在紅外光學頻率轉換??器件方面的應用有待進一步的研宄。??婦?＾?費知＊?＿＿丨１％??、?Ｊ??卿，－＃叫Ｖ＇ｌ．ｖ、分、??圖１－５姚吉勇研究員生長出的ＢＧＳｅ晶體??ＢａＧａ２ＧｅＳｅ６（ＢＧＧＳｅ）晶體是尹文龍等［１１８］在２０１２年報道的具有紅外非線性效??應的化合物，屬于三方晶系Ａ３空間群，與ＢＧＳｅ相比具有更高的對稱性，有利??于晶體的定向等后期加工。該晶體熔點低（８８０?°Ｃ）、非線性系數(shù)大Ｗ？＝６６?ｐｍ／Ｖ）、??透過范圍寬（０．５－１８嘩）、雙折射適中（０．０８－０．１１）激光損傷閾值高（１１０?ＭＷ／ｃｍ２），??可直接使用Ｎｄ：?ＹＡＧ激光器泵浦實現(xiàn)激光輸出，在紅外變頻方面有重要的應用??潛力［５Ｇ’Ｕ９］。圖１－６為中國工程物理研宄院尹文龍等生長的ＢＧＧＳｅ的晶體及加工??出的ＢＧＧＳｅ－ＯＰＯ器件。??ＢＨＩ?．?Ｍ?ｈ??Ｅ．?ＣＩＩｍ??圖１－６中國工程物理研宄院生長的ＢＧＧＳｅ的晶體及加工出的ＢＧＧＳｅ－ＯＰＯ器件??８??

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3400147